一种改善存算一体读干扰现象的NAND器件及电路系统技术方案

本发明专利技术提供了一种改善存算一体读干扰现象的NAND器件及电路系统，该NAND器件包括CTL器件部分和MOSFET器件部分，其结构具有并行的两个部分；其中，CTL部分包括源电极、漏电极、半导体沟道层、隧穿层、电荷俘获层、介电层二、栅电极二以及钝化层；所述MOSFET部分包括衬底、栅电极一、介电层一，所述MOSFET部分还包括半导体沟道层、源电极以及漏电极，用于改善读干扰问题。本发明专利技术通过结合CTL和MOSFET器件，采用外围电路对存储地址进行译码，以实现对这两个部分的分别选通，降低读干扰对CTL器件部分存储电荷的影响，从而提高神经形态计算的可靠性和性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及计算机，具体涉及一种改善存算一体读干扰现象的nand(nand flash memory，非易失性存储器)器件及电路系统。

技术介绍

1、通用cpu(central processing unit，中央处理器)/gpu(graphics processingunit，图形处理器)以及ai(artificial intelligence，人工智能)加速芯片,均基于传统的冯·诺依曼计算架构,计算和存储单元分离,导致“冯·诺依曼瓶颈”不可避免，原因在于:第一、数据在计算和存储单元之间不停来回传输,消耗大部分的计算时间和功耗；第二、处理器和存储器之间运算速度的明显差异限制了整体系统的计算效率；面对这一问题，存储和计算的融合是未来的发展趋势，新型的计算架构逐渐兴起，其中包括近存计算(一种特殊的计算架构，它通过将数据存储单元和计算单元紧密结合，以实现更高效的数据处理和计算性能。近存计算的英文全称是near-memory computing。在近存计算中，计算操作由位于存储区域外部的独立计算芯片/模块完成。这种架构设计的代际设计成本较低，适合传统架构芯片转本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种改善存算一体读干扰现象的NAND器件，其特征在于，包括具有并行的CTL器件部分和MOSFET器件部分，其中：

2.根据权利要求1所述的改善存算一体读干扰现象的NAND器件，其特征在于，所述CTL部分的栅电极二连接到Vread的输入；以及

3.根据权利要求2所述的改善存算一体读干扰现象的NAND器件，其特征在于，所述NAND器件还连接有外围电路，用于在使用过程中通过外围电路进行存储地址的译码，为每个字线选择Vread与Vpass输入控制。

4.根据权利要求3所述的改善存算一体读干扰现象的NAND器件，其特征在于，所述外围电路还用于根据存储地址的译...

【技术特征摘要】

1.一种改善存算一体读干扰现象的nand器件，其特征在于，包括具有并行的ctl器件部分和mosfet器件部分，其中：

2.根据权利要求1所述的改善存算一体读干扰现象的nand器件，其特征在于，所述ctl部分的栅电极二连接到vread的输入；以及

3.根据权利要求2所述的改善存算一体读干扰现象的nand器件，其特征在于，所述nand器件还连接有外围电路，用于在使用过程中通过外围电路进行存储地址的译码，为每个字线选择vread与vpass输入控制。

4.根据权利要求3所述的改善存算一体读干扰现象的nand器件，其特征在于，所述外围电路还用于根据存储地址的译码对ctl或mosfet器件部分进行分别选通。

5.根据权利要求4所述的改善存算一体读干扰现象的nand器件，其特征在于，所述外围电路中还包括：采用位线作为输入，以及采用字线进行写入和读取操作，每个节点具有并行的两个器件组成一对，取每对电导的插值作为模拟的突触权重，在输入电压的作用下，取电流信号作为输出。

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【专利技术属性】
技术研发人员：赵天石，周永旺，安阳，马淑香，
申请(专利权)人：山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：