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本发明提供了一种改善存算一体读干扰现象的NAND器件及电路系统，该NAND器件包括CTL器件部分和MOSFET器件部分，其结构具有并行的两个部分；其中，CTL部分包括源电极、漏电极、半导体沟道层、隧穿层、电荷俘获层、介电层二、栅电极二以及钝...该专利属于山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司授权不得商用。