【技术实现步骤摘要】
本公开涉及集成电路，具体涉及一种电阻器版图结构、电阻器调试电路和芯片。
技术介绍
1、目前，rc振荡器电路采用的电阻器版图结构中含有多个电阻器，通过将电阻器版图结构中不同的电阻器接入rc振荡器电路，可以产生多种不同的电阻值，满足rc振荡器电路的不同阻值需求；然而，多个电阻器之间连接时容易绕线，导致寄生电阻变大。
2、针对电阻器版图结构中多个电阻器之间连接时容易绕线，导致寄生电阻变大的问题，目前尚未提出有效的技术解决方案。
技术实现思路
1、本公开的主要目的在于提供一种电阻器版图结构、电阻器调试电路和芯片，以解决相关技术中多个电阻器之间连接时容易绕线，导致寄生电阻变大的问题。
2、为了实现上述目的，本公开的第一方面提供了一种电阻器版图结构，应用于rc振荡器电路，该电阻器版图结构包括多个正温度系数电阻器和多个负温度系数电阻器；
3、负温度系数电阻器和正温度系数电阻器的温度系数比值为-2:1，负温度系数电阻器和正温度系数电阻器的个数比值为1:2；
4、每个负温度系数电阻器的两端分别耦接一个正温度系数电阻器，一个负温度系数电阻器和负温度系数电阻器两端耦接的两个正温度系数电阻器构成一组零温电阻器；
5、预设组数的零温电阻器串联耦接构成一队零温电阻器，不同组数的零温电阻器串联耦接构成多队零温电阻器；
6、不同队的零温电阻器根据所包含组数从少到多，按照从电路板中间到电路板两边的方式依次串联耦接，排列在电路板上，其中，包含组数
7、可选地，正温度系数电阻器的温度系数为+10％，负温度系数电阻器的温度系数为-20％。
8、进一步地，正温度系数电阻器为扩散电阻器，负温度系数电阻器为多晶硅电阻器。
9、可选地，不同队的零温电阻器所包含零温电阻器的组数分别为1组、2组、4组、8组和12组；
10、第一队零温电阻器包括1组零温电阻器a，第二队零温电阻器包括2组零温电阻器b，第三队零温电阻器包括4组零温电阻器c，第四队零温电阻器包括8组零温电阻器g，第五队零温电阻器包括12组零温电阻器e；
11、其中，a、b、c、g和e分别表示不同队的一组零温电阻器。
12、进一步地，第一队零温电阻器位于电路板中间，第五队零温电阻器位于电路板两边，第二队零温电阻器、第三队零温电阻器和第四队零温电阻器按照顺序分别排列在第一队零温电阻器和第五队零温电阻器之间；
13、第二队零温电阻器至第五队零温电阻器中的各组零温电阻器关于第一队零温电阻器所在的轴对称；
14、所有组的零温电阻器的匹配方式为：
15、eeeeeeggggccbabccggggeeeeee。
16、进一步地，第五队零温电阻器的两边设有相同组数的虚拟电阻器，每组虚拟电阻器包括一组零温电阻器；
17、虚拟电阻器排列在电路板上，在电路连线上不与电路板上的任何零温电阻器连接。
18、进一步地，第五队零温电阻器的两边分别设有1组或2组虚拟电阻器d，其中，d表示一组虚拟电阻器；
19、当第五队零温电阻器的两边分别设有2组虚拟电阻器d时，所有组的零温电阻器的匹配方式为：ddeeeeeeggggccbabccggggeeeeeedd。
20、本公开的第二方面提供了一种电阻器调试电路，包括第一方面任意一项的电阻器版图结构，该电阻器调试电路还包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管；
21、各队零温电阻器的衬底端耦接工作电压端，第五队零温电阻器的正端耦接工作电压端，第一队零温电阻器的负端接地；
22、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管的控制极通过写i2c的形式分别接收各自对应的控制信号；
23、第一晶体管的第一极耦接第一队零温电阻器和第二队零温电阻器的串联耦接点，第一晶体管的第二极接地，第一晶体管被配置为根据对应的控制信号导通或截止，将第一队零温电阻器短接或接入电阻器调试电路；
24、第二晶体管的第一极耦接第二队零温电阻器和第三队零温电阻器的串联耦接点，第二晶体管的第二极耦接第一队零温电阻器和第二队零温电阻器的串联耦接点，第二晶体管被配置为根据对应的控制信号导通或截止，将第二队零温电阻器短接或接入电阻器调试电路；
25、第三晶体管的第一极耦接第三队零温电阻器和第四队零温电阻器的串联耦接点，第三晶体管的第二极耦接第二队零温电阻器和第三队零温电阻器的串联耦接点，第三晶体管被配置为根据对应的控制信号导通或截止，将第三队零温电阻器短接或接入电阻器调试电路；
26、第四晶体管的第一极耦接第四队零温电阻器和第五队零温电阻器的串联耦接点，第四晶体管的第二极耦接第三队零温电阻器和第四队零温电阻器的串联耦接点，第四晶体管被配置为根据对应的控制信号导通或截止，将第二队零温电阻器短接或接入电阻器调试电路。
27、可选地，该电阻器调试电路还包括至少八个反相器；
28、n0个反相器串联连接，输入端接收第一晶体管对应的控制信号，输出端耦接第一晶体管的控制极，被配置为放大第一晶体管对应的第一控制信号，并输出至第一晶体管的控制极；
29、n1个反相器串联连接，输入端接收第二晶体管对应的控制信号，输出端耦接第二晶体管的控制极，被配置为放大第二晶体管对应的第二控制信号，并输出至第二晶体管的控制极；
30、n2个反相器串联连接，输入端接收第三晶体管对应的控制信号，输出端耦接第三晶体管的控制极，被配置为放大第三晶体管对应的第三控制信号，并输出至第三晶体管的控制极；
31、n3个反相器串联连接，输入端接收第四晶体管对应的控制信号，输出端耦接第四晶体管的控制极，被配置为放大第四晶体管对应的第四控制信号，并输出至第四晶体管的控制极；
32、其中，n0、n1、n2和n3均为大于0的偶数。
33、本公开的第三方面提供了一种芯片，包括第二方面任意一项的电阻器调试电路。
34、本公开实施例提供的电阻器版图结构，应用于rc振荡器电路，该电阻器版图结构包括多个正温度系数电阻器和多个负温度系数电阻器，每个负温度系数电阻器的两端分别耦接一个正温度系数电阻器，一个负温度系数电阻器和负温度系数电阻器两端耦接的两个正温度系数电阻器构成一组零温电阻器；构成的零温电阻器可以避免温漂，使电阻值不受温度的影响，并且可以提高负温度系数电阻器和正温度系数电阻器的匹配度，更加准确地修调电阻值；
35、预设组数的零温电阻器串联耦接构成一队零温电阻器，不同组数的零温电阻器串联耦接构成多队零温电阻器；不同队的零温电阻器根据所包含组数从少到多，按照从电路板中间到电路板两边的方式依次串联耦接，排列在电路板上，其中，包含组数最少的一队零温电阻器位于电路板中间，包含组数最多的一队零温电阻器位于电本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种电阻器版图结构，其特征在于，应用于RC振荡器电路，所述电阻器版图结构包括多个正温度系数电阻器和多个负温度系数电阻器；
2.根据权利要求1所述的电阻器版图结构，其特征在于，所述正温度系数电阻器的温度系数为+10％，所述负温度系数电阻器的温度系数为-20％。
3.根据权利要求2所述的电阻器版图结构，其特征在于，所述正温度系数电阻器为扩散电阻器，所述负温度系数电阻器为多晶硅电阻器。
4.根据权利要求1所述的电阻器版图结构，其特征在于，不同队的零温电阻器所包含零温电阻器的组数分别为1组、2组、4组、8组和12组；
5.根据权利要求4所述的电阻器版图结构，其特征在于，所述第一队零温电阻器位于电路板中间，所述第五队零温电阻器位于电路板两边，所述第二队零温电阻器、第三队零温电阻器和第四队零温电阻器按照顺序分别排列在所述第一队零温电阻器和第五队零温电阻器之间；
6.根据权利要求4所述的电阻器版图结构，其特征在于，所述第五队零温电阻器的两边设有相同组数的虚拟电阻器，每组虚拟电阻器包括一组所述零温电阻器；
7.根据权利要
8.一种电阻器调试电路，其特征在于，包括权利要求4至8中任意一项所述的电阻器版图结构，所述电阻器调试电路还包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管；
9.根据权利要求8所述的电阻器调试电路，其特征在于，所述电阻器调试电路还包括至少八个反相器；
10.一种芯片，其特征在于，包括权利要求8-9中任意一项所述的电阻器调试电路。
...【技术特征摘要】
1.一种电阻器版图结构，其特征在于，应用于rc振荡器电路，所述电阻器版图结构包括多个正温度系数电阻器和多个负温度系数电阻器；
2.根据权利要求1所述的电阻器版图结构，其特征在于，所述正温度系数电阻器的温度系数为+10％，所述负温度系数电阻器的温度系数为-20％。
3.根据权利要求2所述的电阻器版图结构，其特征在于，所述正温度系数电阻器为扩散电阻器，所述负温度系数电阻器为多晶硅电阻器。
4.根据权利要求1所述的电阻器版图结构，其特征在于，不同队的零温电阻器所包含零温电阻器的组数分别为1组、2组、4组、8组和12组；
5.根据权利要求4所述的电阻器版图结构，其特征在于，所述第一队零温电阻器位于电路板中间，所述第五队零温电阻器位于电路板两边，所述第二队零温电阻器、第三队零温电阻器和第四队零温电...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴晓梅，
申请(专利权)人：圣邦微电子北京股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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