半导体装置制造方法及图纸

技术编号:40947910 阅读:20 留言:0更新日期:2024-04-18 20:21
本发明专利技术的半导体装置具备:基板(2)、具有形成于基板(2)的中央部的表面侧的开口部的空腔部(12)、作为空腔部(12)的底部(5c)而形成的基板(2)的背面导体(5a)、安装于背面导体(5a)的半导体芯片(4)、覆盖半导体芯片(4)和基板(2)的模制材料(1),模制材料(1)经由设置于基板(2)的孔(6)将基板(2)的表面侧和背面侧连接,防止基板的变形以及破裂等不良情况,并且抑制翘曲从而防止模制材料从基板的剥离。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及半导体装置


技术介绍

1、通常存在将多个半导体芯片安装在电路基板且用树脂一并密封后通过切割而分割为所希望的单片尺寸的模塑封装。作为这样的半导体装置的制造方法,广泛使用传递成型加工。另外,由于半导体芯片的发热随着高输出化而增加,因此要求电路基板提高散热性能。但是,电路基板大多使用树脂或陶瓷,散热性能低。

2、为了提高散热性能,而有效的是通过采用空腔构造切断电路基板部分处的热阻。在该情况下,进行高密度布线的电路基板通常所使用的cu导体,由于厚度薄,为30μm左右,因此无法充分散热,散热性能有限。

3、为了进一步提高散热性能,存在一种作为散热片增加背面导体厚度的方法。在加厚了背面导体厚度的情况下,将基板设置于传递成型模具时基板底面与模具之间的间隙变大。在背面导体的间隔宽的情况下,如果基板底面与模具之间的间隙大,则基板变形量因传递成型加工时的成形压力而变大,因此发生基板产生破裂等不良情况。特别是在存在切割线的交点的区域,由于基于背面导体的支撑间隔变宽,因此尤为显著。

4、作为对策,可以考虑通过向切割线的交点区域等本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置,其特征在于,

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

3.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

4.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,

5.根据权利要求1~4中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

6.根据权利要求1~4中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

7.根据权利要求6所述的半导体装置,其特征在于,

8.根据权利要求1~7中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

9.根据权利要求1~8中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体装置,其特征在于,

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

3.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

4.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,

5.根据权利要求1~4中任一项所述的半导体装置,其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员:岩井裕次隈高宏
申请(专利权)人:三菱电机株式会社
类型:发明
国别省市:

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