【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种opc修正方法、装置及掩膜版结构。
技术介绍
1、通常，在版图刻印在掩模版上之前，需要先采用opc修正方法对版图进行修正，防止在光刻过程中产生光学邻近效应 (optical proximity effect，ope)，即避免刻印在硅片上的图形与设计不一致而产生图形失真。尤其是在90nm及以下节点的光刻工艺中，opc修正更是必不可少。
2、目前，在利用opc模型对版图上的图形进行opc修正之后，还会利用opc模型中的光刻规则检查lrc（lithography rule check）检验opc修正后的版图图形与该图形的目标值之间的差别，以查找出不符合预先设定规格的版图图形，并对其再次进行opc修正，直至符合预先设定规格。
3、具体地说，在光刻工艺中，孔层次的成像是通过光源照射到掩模板上的正方形图形后，在硅片上形成圆形的孔（通孔结构）的图像。
4、然而，由于通孔结构所对应的正方形图形在opc修正中主要受到难以控制的周围环境的影响，且其整体形貌并不会体现在通孔结构的关键尺寸cd上，因此，即使opc修正后的正方形图形在曝光后其沿x方向和y方向上的光刻实际关键尺寸cd均能达到目标值，但其整体形貌则并不一定是圆形，而形状不是圆形的通孔结构，例如椭圆形的通孔，则增大了通孔结构所连接的芯片部件与其他芯片部件发生短接的风险，即降低了半导体器件性能的稳定性。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种opc修正方法、装置及掩膜版结
2、第一方面，为解决上述技术问题，本专利技术提供一种opc修正方法，包括：
3、对测试版图中的多个正方形图形进行opc修正，以得到每一个所述正方形图形的第一仿真图形，其中所述正方形图形为用于在硅片上形成圆形通孔结构的版图图形。
4、针对每一个所述正方形图形及其对应的第一仿真图形，利用预设公式，分别计算每一个所述正方形图形的图形形貌参数，其中所述图形形貌参数用于表征所述第一仿真图形与圆形图形的相似度。
5、将每一个所述正方形图形的图形形貌参数与参数阈值进行比较，并将图形形貌参数大于所述参数阈值的正方形图形旋转一预设角度，以使各个旋转角度后的正方形图形所对应的第二仿真图形为圆形图形。
6、进一步的，对测试版图中的多个正方形图形进行opc修正的步骤，具体可以包括：按照预设的辅助图形添加规则，在所述正方形图形的周围区域内添加相应的辅助图形，并对添加了所述辅助图形的测试版图进行光刻仿真，以得到每一个所述正方形图形在硅片上的实际曝光图形，即所述第一仿真图形。
7、进一步的，利用所述预设公式计算出每一个所述正方形图形的图形形貌参数的步骤，具体可以包括：
8、获取每一个所述正方形图形的目标值，以得到每一个所述正方形图形的目标图形。
9、在每一个所述正方形图形的目标图形上分别设置多条切分线段，其中多条所述切分线段均穿过该目标图形的几何中心，且分别与穿过该几何中心的轴向中心线呈不同夹角。
10、利用opc模型中的光刻模型分别提取每条所述切分线段的光强分布曲线，以确定出每一个目标图形所对应的正方形图形在每条所述切分线段上的成像阈值。
11、将多条所述切分线段的成像阈值中的最大成像阈值和最小成像阈值作为所述预设公式的输入，并将所述预设公式的输出作为所述正方形图形的图形形貌参数。
12、进一步的，用于计算所述正方形图形的图形形貌参数的预设公式为：
13、
14、其中，c为每一个所述正方形图形的图形形貌参数，为每一个所述正方形图形的目标图形上的一条切分线段的成像阈值，j为切分线段的条数，为每一个所述正方形图形的目标图形上所对应的j条切分线段的成像阈值中的最大成像阈值，为每一个所述正方形图形的目标图形上所对应的j条切分线段的成像阈值中的最小成像阈值。
15、进一步的，每条所述切分线段与所述轴向中心线之间所呈的夹角范围具体可以为：0~180°。
16、进一步的，所述正方形图形所旋转的预设角度为该正方形图形的目标图形上所设置的一切分线段与所述轴向中心线之间的夹角，且该切分线段为所述最小成像阈值所对应的切分线段。
17、进一步的，在所述将图形形貌参数大于所述参数阈值的正方形图形旋转一预设角度的步骤之后，所述opc修正方法还可以包括如下步骤：
18、基于所述第二仿真图形，计算所述旋转角度后的正方形图形的图形形貌参数，并判断该图形形貌参数是否大于所述参数阈值，若是，则再次对该正方形图形进行一预设角度的旋转，直至该正方形图形所对应的仿真图形均为圆形图形。
19、第二方面，基于如上所述的opc修正方法，本专利技术还提供了一种opc修正装置，具体可以包括：
20、第一仿真图形确定模块，用于对测试版图中的多个正方形图形进行opc修正，以得到每一个所述正方形图形的第一仿真图形，其中所述正方形图形为用于在硅片上形成圆形通孔结构的版图图形。
21、图形形貌参数计算模块，用于针对每一个所述正方形图形及其对应的第一仿真图形，利用预设公式，分别计算每一个所述正方形图形的图形形貌参数，其中所述图形形貌参数用于表征所述第一仿真图形与圆形图形的相似度。
22、图形旋转模块，用于将每一个所述正方形图形的所述图形形貌参数与参数阈值进行比较，并将图形形貌参数大于所述参数阈值的正方形图形旋转一预设角度，以使各个旋转角度后的正方形图形所对应的第二仿真图形为圆形图形。
23、第三方面，基于如上所述的opc修正方法，本专利技术还提供了一种掩膜版结构，具体可以包括：如上所述的opc修正方法修正后所得到的版图图形，其中，所述版图图形至少包括多个旋转一预设角度后的正方形图形。
24、第四方面，基于如上所述的opc修正方法或所述掩膜版结构，本专利技术还提供了一种通孔结构的形貌优化方法，其特征在于，包括：
25、基于如上所述的opc修正方法，形成相应的掩膜版。
26、利用所述掩膜版，在预先提供的硅片上形成至少一通孔结构，其中所述通孔结构的形状为圆形。
27、第五方面，本专利技术还提供了一种电子设备，包括处理器、通信接口、存储器和通信总线，其中，处理器，通信接口，存储器通过通信总线完成相互间的通信；
28、存储器，用于存放计算机程序；
29、处理器，用于执行存储器上所存放的程序时，实现如上所述的opc修正方法或所述掩膜版结构的步骤。
30、与现有技术相比，本专利技术提供的技术方案至少具有如下有益效果之一：
31、本专利技术提供了一种opc修正方法、装置及掩膜板版图。在本专利技术提供的opc修正方法中，首本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种OPC修正方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的OPC修正方法，其特征在于，对测试版图中的多个正方形图形进行OPC修正的步骤，包括：
3.如权利要求1所述的OPC修正方法，其特征在于，利用所述预设公式计算出每一个所述正方形图形的图形形貌参数的步骤，包括：
4.如权利要求3所述的OPC修正方法，其特征在于，用于计算所述正方形图形的图形形貌参数的预设公式为：
5.如权利要求4所述的OPC修正方法，其特征在于，每条所述切分线段与所述轴向中心线之间所呈的夹角范围为：0~180°。
6.如权利要求5所述的OPC修正方法，其特征在于，所述正方形图形所旋转的预设角度为该正方形图形的目标图形上所设置的一个切分线段与所述轴向中心线之间的夹角，且该切分线段为所述最小成像阈值所对应的切分线段。
7.如权利要求1所述的OPC修正方法，其特征在于，在所述将图形形貌参数大于所述参数阈值的正方形图形旋转一预设角度的步骤之后，所述OPC修正方法还包括：
8.一种OPC修正装置，其特征在于，包括：
9
10.一种通孔结构的形貌优化方法，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种opc修正方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的opc修正方法，其特征在于，对测试版图中的多个正方形图形进行opc修正的步骤，包括：
3.如权利要求1所述的opc修正方法，其特征在于，利用所述预设公式计算出每一个所述正方形图形的图形形貌参数的步骤，包括：
4.如权利要求3所述的opc修正方法，其特征在于，用于计算所述正方形图形的图形形貌参数的预设公式为：
5.如权利要求4所述的opc修正方法，其特征在于，每条所述切分线段与所述轴向中心线之间所呈的夹角范围为：0~180°。
6.如权利要求5所述的opc修正方法，其特征在于，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵广，罗招龙，郑悦，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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