一种量子芯片介质层的刻蚀方法、量子芯片技术

本申请涉及量子芯片技术领域，具体涉及一种量子芯片介质层的刻蚀方法、量子芯片，所述量子芯片具有衬底，包括：以氧气的比例在第一预设范围的第一刻蚀气体对所述衬底上的介质层进行一次刻蚀；其中，所述第一预设范围为10％‑20％，所述第一刻蚀气体为四氟化碳与氧气混合的气体；以氧气的比例在第二预设范围的第二刻蚀气体对所述介质层进行二次刻蚀，得到刻蚀的量子芯片介质层，其中，所述第二刻蚀气体为六氟化硫与氧气混合的气体，所述第二预设范围为0％‑10％，当氧气的比例为0％时，所述第二刻蚀气体为六氟化硫，本申请通过上述方式实现了刻蚀工艺的优化，避免了介质层刻蚀过程中的存在刻蚀残留。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及量子芯片，尤其涉及一种量子芯片介质层的刻蚀方法、量子芯片。

技术介绍

1、随着超导量子芯片的发展，超导量子芯片上量子比特的数量也越来越多，同时控制线数量也相应的增加，导致线与线之间串扰越来越严重。为了增加控制线的数量，同时减小串扰，需要对量子芯片介质层的刻蚀方案进行优化，如何优化量子芯片介质层的刻蚀方案是需要解决的技术问题。

2、申请内容

3、本申请提供了一种量子芯片介质层的刻蚀方法、量子芯片，用以优化量子芯片介质层的刻蚀方案。

4、本说明书实施例提供一种量子芯片介质层的刻蚀方法，所述量子芯片具有衬底，包括：

5、以氧气的比例在第一预设范围的第一刻蚀气体对所述衬底上的介质层进行一次刻蚀；其中，所述第一刻蚀气体为四氟化碳与氧气混合的气体；

6、以氧气的比例在第二预设范围的第二刻蚀气体对所述介质层进行二次刻蚀，得到刻蚀的量子芯片介质层，其中，所述第二刻蚀气体为六氟化硫与氧气混合的气体，当氧气的比例为零时，所述第二刻蚀气体为六氟化硫。

7、可选的，在以氧气的比例在第一预设范围的刻蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种量子芯片介质层的刻蚀方法，所述量子芯片具有衬底，其特征在于，所述方法包括：

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在以氧气的比例在第一预设范围的刻蚀气体对所述衬底上的介质层进行一次刻蚀之前，包括：

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在得到刻蚀的量子芯片介质层之后，包括：

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述衬底进行刻蚀形成具有凹槽的衬底，包括：

5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一金属层包括第一铝层；

6.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二金属层包括氮化钛层；

7....

【技术特征摘要】

1.一种量子芯片介质层的刻蚀方法，所述量子芯片具有衬底，其特征在于，所述方法包括：

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在以氧气的比例在第一预设范围的刻蚀气体对所述衬底上的介质层进行一次刻蚀之前，包括：

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在得到刻蚀的量子芯片介质层之后，包括：

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述衬底进行刻蚀形成具有凹槽的衬底，包括：

5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一金属层包括第一铝层；

6.如权利要求2所述的方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，贾志龙，
申请(专利权)人：本源量子计算科技合肥股份有限公司，
类型：发明
国别省市：