温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请涉及量子芯片技术领域，具体涉及一种量子芯片介质层的刻蚀方法、量子芯片，所述量子芯片具有衬底，包括：以氧气的比例在第一预设范围的第一刻蚀气体对所述衬底上的介质层进行一次刻蚀；其中，所述第一预设范围为10％‑20％，所述第一刻蚀气体为四氟...
该专利属于本源量子计算科技（合肥）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过本源量子计算科技（合肥）股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。