【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及陶瓷吸盘制备，具体涉及一种凸点碳化硅陶瓷吸盘的制备方法。
技术介绍
1、随着我国半导体产业的快速发展，对制造装备的精度提出了更高的要求。为了解决高端光刻机的运动及测量的高精度要求，光刻机在工作台等系统采用了陶瓷材料。其中应用于光刻机的吸盘为一种采用陶瓷制作的中空结构，吸盘通过接管与真空设备连接，然后与大尺寸硅片接触，启动真空抽吸，使吸盘内产生负压，从而将硅片吸牢。为了减少对硅片的污染，需要尽可能的减少吸盘与硅片的接触，因此，在吸盘本体表面设计很多的小的凸点，并且所有的凸点在同一个平面，让陶瓷吸盘与硅片实现点接触。为了使硅片吸附的更均匀，同时要减少接触面积，吸盘表面设计的凸点数量更多直径更小，如12寸吸盘表面有几万多个直径0.2-0.5mm的凸点。
2、现有的碳化硅陶瓷吸盘表面凸点结构主要依靠cnc加工制备而成。在制作过程中，由于凸点设计的直径越来越小，直径0.2-0.5mm，而碳化硅陶瓷硬度大且脆性易碎，加工过程中，磨头刀具晃动的力度极容易使凸点碰碎甚至于撞掉，导致整个吸盘表面设计凸点的残缺不均匀。碳化硅陶瓷的硬度大，难以加工，加工成本高且加工时间长，这种凸点结构的成品率极低。
3、现有的碳化硅陶瓷吸盘表面凸点结构主要依靠cnc加工制备而成，如公开号为：cn114523433b公开的一种凸点式吸盘的加工方法。在制作过程中，由于凸点设计的直径越来越小，直径0.2-0.5mm，而碳化硅陶瓷硬度大且脆性易碎，加工过程中，磨头刀具晃动的力度极容易使凸点碰碎甚至于撞掉，导致整个吸盘表面设计凸点的残缺不
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供了一种凸点碳化硅陶瓷吸盘的制备方法。
2、本专利技术为解决其技术问题所采用的技术方案为：一种凸点碳化硅陶瓷吸盘的制备方法，包括以下步骤：
3、步骤一：制备陶瓷料浆；
4、步骤二：设计待制作吸盘表面凸点的图纸；
5、步骤三：将图纸导入点胶设备，陶瓷料浆倒入点胶设备作为点胶材料，基于点胶设备将陶瓷料浆按照图纸在吸盘基体上进行点胶作业；
6、步骤四：对点胶完成的基体进行烧结，得到陶瓷吸盘。
7、所述吸盘基体为陶瓷素坯基体。
8、所述吸盘基体为经过烧结后的陶瓷基体。
9、素坯经过第一烧结后得到的中间体。
10、所述陶瓷料浆的固含量为50％-70％。
11、所述步骤四中烧结温度为1500℃-1700℃，烧结时间为0.5h-2h。
12、所述步骤三基于点胶设备的针头将陶瓷料浆印在所述吸盘基体上，针头的孔径为0.1mm-2mm。
13、所述凸点的形状为圆锥形、圆柱形及台阶型中的一种。
14、与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：制备过程简单，提高了陶瓷吸盘表面凸点的一致性，降低了陶瓷吸盘的加工制备成本，缩短了制作周期。
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1.一种凸点碳化硅陶瓷吸盘的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种凸点碳化硅陶瓷吸盘的制备方法，其特征在于，所述吸盘基体为陶瓷素坯基体。
3.根据权利要求1所述的一种凸点碳化硅陶瓷吸盘的制备方法，其特征在于，所述吸盘基体为经过烧结后的陶瓷基体。
4.根据权利要求1所述的一种凸点碳化硅陶瓷吸盘的制备方法，其特征在于，素坯经过第一烧结后得到的中间体。
5.根据权利要求1所述的一种凸点碳化硅陶瓷吸盘的制备方法，其特征在于，所述陶瓷料浆的固含量为50％-70％。
6.根据权利要求1所述的一种凸点碳化硅陶瓷吸盘的制备方法，其特征在于，所述步骤四中烧结温度为1500℃-1700℃，烧结时间为0.5h-2h。
7.根据权利要求1所述的一种凸点碳化硅陶瓷吸盘的制备方法，其特征在于，所述步骤三基于点胶设备的针头将陶瓷料浆印在所述吸盘基体上，针头的孔径为0.1mm-2mm。
8.根据权利要求1所述的一种凸点碳化硅陶瓷吸盘的制备方法，其特征在于，所述凸点的形状为圆锥形、圆柱形及台阶型中的一种
...【技术特征摘要】
1.一种凸点碳化硅陶瓷吸盘的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种凸点碳化硅陶瓷吸盘的制备方法，其特征在于，所述吸盘基体为陶瓷素坯基体。
3.根据权利要求1所述的一种凸点碳化硅陶瓷吸盘的制备方法，其特征在于，所述吸盘基体为经过烧结后的陶瓷基体。
4.根据权利要求1所述的一种凸点碳化硅陶瓷吸盘的制备方法，其特征在于，素坯经过第一烧结后得到的中间体。
5.根据权利要求1所述的一种凸点碳化硅陶瓷吸盘的制备方法，其特征在于，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄小婷，刘海林，刘飞，吴事江，郭丽萍，
申请(专利权)人：山东合创明业精细陶瓷有限公司，
类型：发明
国别省市：
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