高纯碳化锆粉体研磨用复合氧化锆研磨球及其制备方法技术

本发明专利技术涉及陶瓷研磨介质技术领域，具体涉及一种高纯碳化锆粉体研磨用复合氧化锆研磨球及其制备方法。所述的高纯碳化锆粉体研磨用复合氧化锆研磨球，由钇稳定四方相氧化锆粉体、单斜氧化锆粉体、超细氧化铝粉体和石墨粉按质量比60:10～30:1～20:1～5混合制成。本发明专利技术的高纯碳化锆粉体研磨用复合氧化锆研磨球，硬度高，自磨耗低，解决了高纯碳化锆基粉体粒度控制时由于磨介磨损导致的物料污染问题，并提高碳化锆基超硬粉体的纯度；本发明专利技术还提供其制备方法。

【技术实现步骤摘要】
高纯碳化锆粉体研磨用复合氧化锆研磨球及其制备方法
本专利技术涉及陶瓷研磨介质
，具体涉及一种高纯碳化锆粉体研磨用复合氧化锆研磨球及其制备方法。
技术介绍
碳化锆是一种难熔金属碳化物，具有高熔点、高硬度及高热导率和电导率、高化学稳定性和良好的耐辐射特性等优点。高纯超细碳化锆粉体广泛应用于航空航天器的耐超高温结构陶瓷及抗氧化涂层、超高温耐火材料等领域。目前工业和实验室制备碳化锆的方法主要有电弧炉碳热还原法、自蔓延高温合成法(SHS)、溶胶-凝胶法(sol-gel)和气相反应法等。无论哪种方法合成的粉体，为了获得超细粉体，大都需要采用高能研磨来获得超细粉体。而高能研磨需要各种材质的研磨球作为研磨介质，研磨介质的磨损，则作为污染物带入到被磨的粉体中。为了减少研磨介质的磨损量，必然要考虑提高研磨介质的耐磨性。同时需要考虑磨耗带来的污染物对粉体的污染。氧化锆由于具有高的强度和断裂韧性，因此是目前主流的研磨介质之一；同时，因为氧化锆中的锆元素和碳化锆的锆元素相同，因此可以避免在高纯粉体中引入杂质阳离子。专利CN200710116340.本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高纯碳化锆粉体研磨用复合氧化锆研磨球，其特征在于：由钇稳定四方相氧化锆粉体、单斜氧化锆粉体、超细氧化铝粉体和石墨粉按质量比60:10～30:1～20:1～5混合制成。/n

【技术特征摘要】
1.一种高纯碳化锆粉体研磨用复合氧化锆研磨球，其特征在于：由钇稳定四方相氧化锆粉体、单斜氧化锆粉体、超细氧化铝粉体和石墨粉按质量比60:10～30:1～20:1～5混合制成。


2.根据权利要求1所述的高纯碳化锆粉体研磨用复合氧化锆研磨球，其特征在于：钇稳定四方相氧化锆粉体的比表面积为6～20m2/g，中位粒径D50为0.1～0.8μm，是氧化钇掺杂的共沉淀法制备的氧化锆粉体，其中氧化锆和氧化钇的质量分数之和大于99.5％，氧化钇的摩尔百分含量为2.2～2.8％。


3.根据权利要求1所述的高纯碳化锆粉体研磨用复合氧化锆研磨球，其特征在于：单斜氧化锆粉体为不加稳定剂的氧化粉体，其中氧化锆质量分数大于99.2％，其比表面积为3～10m2/g，中位粒径D50为0.5～1.0μm。


4.根据权利要求1所述的高纯碳化锆粉体研磨用复合氧化锆研磨球，其特征在于：超细氧化铝粉体中α相氧化铝含量大于96％，其中氧化铝质量分数大于99.6％，其比表面积为2～6m2/g，中位粒径D50为0.3～0.8μm。


5.根据权利要求1所述的高纯碳化锆粉体研磨用复合氧化锆研磨球，其特征在于：石墨粉为高纯石墨粉，中位粒径D50为1～3μm。


6.一种权利要求1-5...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴事江，陈大明，张合军，林杨，赵金明，李拯，杨焕顺，
申请(专利权)人：山东合创明业精细陶瓷有限公司，淄博星澳新材料研究院有限公司，山东亿莱盛新材料科技有限公司，淄博启明星新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37