提高控制栅填充窗口的方法技术

本发明专利技术提供一种提高控制栅填充窗口的方法，提供衬底，在衬底形成有浅沟槽隔离以定义出存储单元的有源区，浅沟槽隔离的高度高于衬底表面，浅沟槽隔离之间的间隙中形成有位于衬底上的栅极氧化层和位于栅极氧化层上的栅极多晶硅层；在浅沟槽隔离、栅极多晶硅层上形成光刻胶层，光刻打开光刻胶层，使得存储单元上的浅沟槽隔离、栅极多晶硅层裸露；利用存储单元凹槽刻蚀工艺刻蚀浅沟槽隔离至第一目标高度，去除光刻胶层；利用酸性溶液刻蚀浅沟槽隔离、栅极多晶硅层，使得位于浅沟槽隔离上方的栅极多晶硅层为梯形结构。本发明专利技术规避了转移机台末酸过货的步骤，提高了生产效率；同时使凹槽开口成倒梯形，增大了后续的控制栅填充窗口。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种提高控制栅填充窗口的方法。

技术介绍

1、nor flash中，crs(cell recess)是通过去除浮栅相邻的sti(浅沟槽隔离)氧化物来为后续的控制栅填充提供空间；

2、由于pitch(存储单元)缩小，浮栅淀积使用的是填充性更好的doped poly(掺杂多晶硅)，现有技术的控制栅填充方法如下：

3、步骤一、请参阅图1，提供衬底101，在衬底101形成有浅沟槽隔离102以定义出存储单元的有源区，浅沟槽隔离102的高度高于衬底101表面，浅沟槽隔离102之间的间隙中形成有位于衬底101上的栅极氧化层103和位于栅极氧化层103上的栅极多晶硅层104；

4、步骤二、在浅沟槽隔离102、栅极多晶硅层104上形成光刻胶层105，光刻打开光刻胶层105，使得存储单元上的浅沟槽隔离102、栅极多晶硅层104裸露，形成如图2所示的结构；

5、步骤三、利用存储单元凹槽刻蚀工艺刻蚀裸露的浅沟槽隔离102至第一目标高度，形成填充控制栅的沟槽，形成如图3所示的结构；</p>

6、步骤本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种提高控制栅填充窗口的方法，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的提高控制栅填充窗口的方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底包括块状半导体衬底或绝缘体上硅(SOI)衬底。

3.根据权利要求1所述的提高控制栅填充窗口的方法，其特征在于：步骤一中的所述浅沟槽隔离的形成方法包括：在所述衬底上形成栅氧化层和位于所述栅氧化层上的硬掩膜层；利用光刻、刻蚀形成位于所述硬掩膜层及其下方所述衬底上的浅沟槽；去除所述硬掩膜层；

4.根据权利要求1所述的提高控制栅填充窗口的方法，其特征在于：步骤三中的所述刻蚀的方法为干法刻蚀。

5.根据权利要求1所...

【技术特征摘要】

1.一种提高控制栅填充窗口的方法，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的提高控制栅填充窗口的方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底包括块状半导体衬底或绝缘体上硅(soi)衬底。

3.根据权利要求1所述的提高控制栅填充窗口的方法，其特征在于：步骤一中的所述浅沟槽隔离的形成方法包括：在所述衬底上形成栅氧化层和位于所述栅氧化层上的硬掩膜层；利用光刻、刻蚀形成位于所述硬掩膜层及其下方所述衬底上的浅沟槽；去除所述硬掩膜层；

4.根据权利要求1所述的提高控制栅填充窗口的方法，其特征在于：步骤三中的所述刻蚀的方法为干法刻蚀。

5.根据权利要求1所述的提高控制栅填充窗口的方法，其特征在于：步骤三中的浅沟槽隔离的上表面位于所述所述栅极...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄铭祺，申红杰，魏来，张文文，张超然，顾林，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：