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本发明提供一种提高控制栅填充窗口的方法，提供衬底，在衬底形成有浅沟槽隔离以定义出存储单元的有源区，浅沟槽隔离的高度高于衬底表面，浅沟槽隔离之间的间隙中形成有位于衬底上的栅极氧化层和位于栅极氧化层上的栅极多晶硅层；在浅沟槽隔离、栅极多晶硅层上...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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