一种基于上下层行波电极铌酸锂薄膜调制器制造技术

技术编号:40938672 阅读:28 留言:0更新日期:2024-04-18 14:56
本发明专利技术公开了一种基于上下层行波电极铌酸锂薄膜调制器,包括衬底、氧化硅层和铌酸锂薄膜,所述氧化硅层位于所述衬底的一侧并且所述铌酸锂薄膜位于所述氧化硅层远离所述衬底的一侧,所述铌酸锂薄膜设有若干凸出的脊形波导结构;所述脊形波导结构包括第一调制臂和第二调制臂,所述第一调制臂和所述第二调制臂远离所述氧化硅层的一侧设置有氧化硅上盖层;所述氧化硅上盖层远离所述铌酸锂薄膜的一侧设置有GSG行波电极和若干上下层电极。本发明专利技术公开的一种基于上下层行波电极铌酸锂薄膜调制器,可以有效解决阻抗不匹配、电信号反射较大、微波损耗大等问题,提高调制器带宽。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光电,具体涉及一种基于上下层行波电极铌酸锂薄膜调制器


技术介绍

1、随着光通信技术的迅速发展,高效、紧凑、宽带的光调制器在光信号处理中变得愈发重要。薄膜铌酸锂调制器作为一种重要的光电器件,被广泛应用于光通信系统,用于调制光信号以实现光通信中的信号传输和处理。

2、基于铌酸锂薄膜的行波电极调制器一般由光波导负载和行波电极组成,电磁波在行波电极间传输,光载波在负载光波导中传输。在光载波和电磁波传输过程中,电磁波与光载波相互作用使光载波的相位发生变化,从而完成电信号到光信号的调制。行波电极结构是调制器的关键组成部分,通过精心的设计电极结构,可以更好的实现阻抗匹配,确保信号的有效传输、调制和控制,提高器件的性能。

3、在设计光调制器的行波电极时,通常需要考虑三个因素:第一是行波电极的微波损耗;第二是折射率匹配,即行波电极的电信号与光信号传输速率相近;第三是阻抗匹配,即行波电极的特征阻抗需要与微波系统中标准端口阻抗兼容,减少反射损耗。

4、现阶段的电光调制器电极的微波与光波的折射率匹配以及行波电极与终端负载的阻抗匹本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于上下层行波电极铌酸锂薄膜调制器,其特征在于,包括衬底、氧化硅层和铌酸锂薄膜,其中:

2.根据权利要求1所述的一种基于上下层行波电极铌酸锂薄膜调制器,其特征在于,所述上层结构包括若干的第一上层结构、第二上层结构、第三上层结构和第四上层结构,所述下层结构包括若干的第一下层结构、第二下层结构、第三下层结构和第四下层结构,所述第一上层结构和所述第一下层结构一一对应,所述第二上层结构和所述第二下层结构一一对应,所述第三上层结构和所述第三下层结构一一对应,所述第四上层结构和所述第四下层结构一一对应。

3.根据权利要求2所述的一种基于上下层行波电极铌酸锂薄膜调制器,...

【技术特征摘要】

1.一种基于上下层行波电极铌酸锂薄膜调制器,其特征在于,包括衬底、氧化硅层和铌酸锂薄膜,其中:

2.根据权利要求1所述的一种基于上下层行波电极铌酸锂薄膜调制器,其特征在于,所述上层结构包括若干的第一上层结构、第二上层结构、第三上层结构和第四上层结构,所述下层结构包括若干的第一下层结构、第二下层结构、第三下层结构和第四下层结构,所述第一上层结构和所述第一下层结构一一对应,所述第二上层结构和所述第二下层结构一一对应,所述第三上层结构和所述第三下层结构一一对应,所述第四上层结构...

【专利技术属性】
技术研发人员:王曰海杨娟戴庭舸
申请(专利权)人:浙江大学绍兴研究院
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1