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本发明公开了一种基于上下层行波电极铌酸锂薄膜调制器，包括衬底、氧化硅层和铌酸锂薄膜，所述氧化硅层位于所述衬底的一侧并且所述铌酸锂薄膜位于所述氧化硅层远离所述衬底的一侧，所述铌酸锂薄膜设有若干凸出的脊形波导结构；所述脊形波导结构包括第一调制臂...
该专利属于浙江大学绍兴研究院所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学绍兴研究院授权不得商用。

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