一种sp2-碳共轭二维聚合物薄膜的制备方法技术

本发明专利技术属于有机二维材料技术领域，具体涉及一种sp<supgt;2</supgt;‑碳共轭二维聚合物薄膜的制备方法。所述sp<supgt;2</supgt;‑碳共轭二维聚合物薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)对基底表面进行预处理，在预处理后的基底上沉积引发剂，使用聚合单体、配位剂和溶剂的混合液在预处理的金属与沉积有引发剂的基底之间进行聚合反应得到聚合物刷层；(2)将表面有聚合物刷层的基底加入到有机单体、催化剂和有机溶剂混合得到的预混液中，通入惰性气体后高温反应，在基底表面得到sp<supgt;2</supgt;‑碳共轭二维聚合物薄膜。利用厚度可调控的聚合物刷层辅助，在基底表面原位合成高晶态、高厚度、高性能的sp<supgt;2</supgt;‑碳共轭二维聚合物薄膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于有机二维材料，具体涉及一种sp2-碳共轭二维聚合物薄膜的制备方法。

技术介绍

1、二维共价有机框架(2d cofs)作为二维聚合物材料的重要分支之一，具有π堆叠有序、活性位点丰富、开放纳米孔道结构可调谐、分子构筑基元可定制与共价连接键较强等特性。其中，得益于碳碳双键增强的π共轭电子跃迁、超高的化学稳定性/热稳定性、高电子迁移率等特性，以及sp2-碳连接全共轭2d cofs的高效构建，是能量存储、半导体器件、能量转换、选择性分离膜等前瞻性新兴技术及苛刻环境领域内研究的热点。

2、目前的sp2-碳共轭2d cofs多以粉末形式存在，然而粉末状产物有取向不规则、存在大量晶界等缺点。同时，sp2-碳共轭2d cofs薄膜也存在结晶度低、机械性能差、不连续等问题，严重阻碍了该材料在相关分离、催化、能源或光电器件中的应用。因此，研究大面积无缺陷、高结晶度sp2-碳共轭2d cof薄膜(或称sp2-碳共轭二维聚合物)的制备方法，对于其在众多潜在领域的实际应用具有重要意义。

技术实现思路p>

1、本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种sp2-碳共轭二维聚合物薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中聚合单体为含有氨基的单体化合物。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中聚合单体与配位剂的体积比为20～100:1；和/或聚合单体与溶剂的体积比为1:1.5～15。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中预处理的金属与沉积有引发剂的基底之间的距离为0.01～0.15mm。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中聚合反应的温度为15～60℃...

【技术特征摘要】

1.一种sp2-碳共轭二维聚合物薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中聚合单体为含有氨基的单体化合物。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中聚合单体与配位剂的体积比为20～100:1；和/或聚合单体与溶剂的体积比为1:1.5～15。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中预处理的金属与沉积有引发剂的基底之间的距离为0.01～0.15mm。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中聚合反应的温度为15～60℃，时间为1...

【专利技术属性】
技术研发人员：张涛，张武鑫，伍大恒，王科，
申请(专利权)人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所，
类型：发明
国别省市：