MRAM读电路及读操作方法技术

本发明专利技术提供一种MRAM读电路及读操作方法。MRAM读电路包括：与MRAM存储器位宽相对应的多个数据读电路、多个第二开关管和辅助MTJ，每个数据读电路用于读出存储阵列的1比特数据，每个数据读电路包括灵敏放大器、参考电阻和第一开关管，其中，参考电阻的阻值可调，参考电阻的一端连接灵敏放大器的参考输入端，参考电阻的另一端接地；第一开关管连接于存储阵列和灵敏放大器的数据输入端之间；辅助MTJ被多个数据读电路共用，用于辅助调整各参考电阻的阻值，辅助MTJ的一端通过各第二开关管连接于各灵敏放大器的数据输入端，辅助MTJ的另一端接地。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路设计，尤其涉及一种mram读电路及读操作方法。

技术介绍

1、读取mram存储的信息是通过检测存储单元的电阻实现的。存储单元的电阻有两种状态，高电阻状态rap(“ap”态)或者低电阻状态rp(“p”态)。在读取存储数据时，通过施加读电压，存储单元的电阻会产生读电流脉冲idata，参考电阻rref施加固定电压会产生参考电流iref，灵敏放大器通过对比读电流idata和参考电流iref，输出“0”或者“1”。通常将参考电阻rref设在rap和rp的中间，保证灵敏放大器读“1”和读“0”的可读裕量一样。

2、但是，由于工艺偏差会导致灵敏放大器产生失调，而且对于多位宽的存储器，不同位的数据对应的读电路灵敏放大器的失调也不相同，导致mram存储器不同位的数据之间重合的可读裕量减小。

技术实现思路

1、为解决上述问题，本专利技术提供了一种mram读电路及读操作方法，能够解决不同位的数据之间重合的可读裕量减小的问题。

2、一方面，本专利技术提供一种mram读电路，包括：

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【技术保护点】

1.一种MRAM读电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的MRAM读电路，其特征在于，所述参考电阻包括译码器和电阻选择电路；

3.根据权利要求2所述的MRAM读电路，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的MRAM读电路，其特征在于，不同的参考电阻分别接入不同的m位参考电阻档位选择信号，实现单独可调。

5.根据权利要求1所述的MRAM读电路，其特征在于，所述第一开关管为NMOS开关管，所述第一开关管的栅端连接读控制信号，所述第一开关管的漏端连接所述存储阵列，所述第一开关管的源端连接所述灵敏放大器的数据输入端。p>

6.根据权...

【技术特征摘要】

1.一种mram读电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的mram读电路，其特征在于，所述参考电阻包括译码器和电阻选择电路；

3.根据权利要求2所述的mram读电路，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的mram读电路，其特征在于，不同的参考电阻分别接入不同的m位参考电阻档位选择信号，实现单独可调。

5.根据权利要求1所述的mram读电路，其特征在于，所述第一开关管为nmos开关管，所述第一开关管的栅端连接读控制信号，所述第一开关管的漏端连接所述存储阵列，所述第一开关管的源端连接所述灵敏放大器的数据输入端。

6.根据权利要求1所述的mram读电路，其特征在于，所述第二开关管为nmos开关管，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊保玉，赵建坤，杜以恒，
申请(专利权)人：浙江驰拓科技有限公司，
类型：发明
国别省市：