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本发明提供一种MRAM读电路及读操作方法。MRAM读电路包括：与MRAM存储器位宽相对应的多个数据读电路、多个第二开关管和辅助MTJ，每个数据读电路用于读出存储阵列的1比特数据，每个数据读电路包括灵敏放大器、参考电阻和第一开关管，其中，参考...
该专利属于浙江驰拓科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江驰拓科技有限公司授权不得商用。

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