一种涂布装置及涂布方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种涂布装置及涂布方法，其中，涂布装置包括晶硅承载件、掩膜板承载件以及涂布头；晶硅承载件用于固定晶硅；掩膜板承载件用于固定掩膜板，所述掩膜板承载件靠近所述晶硅承载件以使所述掩膜板间隔设置在所述晶硅的外周；涂布头用于涂布浆料，所述浆料覆盖所述晶硅和至少部分所述掩膜板，且所述涂布头在所述掩膜板与所述晶硅的衔接处单位面积的涂布量大于所述涂布头在晶硅中部单位面积的涂布量。本发明专利技术的涂布装置及涂布方法用于提高涂布头在晶硅上涂布浆料的均匀度，避免晶硅边缘涂布不均问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及涂布，尤其涉及一种涂布装置及涂布方法。

技术介绍

1、随着对钙钛矿研究的不断深入，钙钛矿与晶硅的叠层技术逐渐受到了人们的关注。现有的钙钛矿与晶硅的叠层技术包括四端子叠层技术和二端子钙钛矿晶硅叠层技术。相比与四端子叠层技术，二端子钙钛矿晶硅叠层技术可以减少寄生吸收导致的光学损失，具备更高的光电效率，因而受到更广泛的关注。

2、二端子钙钛矿晶硅叠层技术需要在晶硅上制备钙钛矿吸收层。钙钛矿吸收层的制备一般是采用涂布头通过狭缝涂布的方式将浆料涂布在晶硅上形成薄膜，之后通过干燥结晶等步骤成型。最终制备的钙钛矿电池的性能与浆料在晶硅上的涂布均匀性有关。

3、公开号为cn115780173a的中国专利公开了一种适用于太阳能硅片的涂膜设备，该涂膜设备包括至少一个硅片载台、至少一个掩膜载台、基础平台以及至少一个调平定位组件，该涂膜设备能够针对晶硅实现狭缝涂布，存在的不足是每个待涂膜硅片和周围掩膜之间存在间隙，虽然该间隙非常细小（≤5mm），涂布过程中，覆盖空隙处的液膜，会留存在缝隙中，不会滴落，但是随着钙钛矿晶硅叠层技术的不断发展，对涂本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种涂布装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的涂布装置，其特征在于，所述掩膜板与所述晶硅之间的间隙包括与所述涂布头的涂布方向平行的Y向缝隙，和与所述涂布头的涂布方向垂直的X向缝隙；

3.根据权利要求2所述的涂布装置，其特征在于，还包括控制组件；

4.根据权利要求2所述的涂布装置，其特征在于，所述涂布头包括第一模体、第二模体以及设置在所述第一模体与第二模体之间的复合垫片，所述复合垫片一侧边缘与所述第一模体、第二模体形成出液口；

5.根据权利要求4所述的涂布装置，其特征在于，所述复合垫片包括沿复合垫片厚度方向堆叠的第一垫片和第二...

【技术特征摘要】

1.一种涂布装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的涂布装置，其特征在于，所述掩膜板与所述晶硅之间的间隙包括与所述涂布头的涂布方向平行的y向缝隙，和与所述涂布头的涂布方向垂直的x向缝隙；

3.根据权利要求2所述的涂布装置，其特征在于，还包括控制组件；

4.根据权利要求2所述的涂布装置，其特征在于，所述涂布头包括第一模体、第二模体以及设置在所述第一模体与第二模体之间的复合垫片，所述复合垫片一侧边缘与所述第一模体、第二模体形成出液口；

5.根据权利要求4所述的涂布装置，其特征在于，所述复合垫片包括沿复合垫片厚度方向堆叠的第一垫片和第二垫片，所述第一垫片开设有第一镂空区，所述第二垫片开设有第二镂空区，所述第二镂空区与部分所述第一镂空区重合连通且延伸至所述复合垫片边缘并对应形成第一出液区，所述第一镂空区未与所述第二镂空区重合的部分延伸至所复合述垫片边缘并对应形成第二出液区。

6.根据权利要求5所述的涂布装置，其特征在于，所述第一垫片的非镂空区的厚度为50-80μm，所述第二垫片的非镂空区的厚度为10-80μm；

7.根据权利要求6所述的涂布装置，其特征在于，所述第一出液区的长度为所述y向缝隙的宽度的0.1-3倍，所述第一出液区的长度为0.01-1.8mm，所述y向缝隙的宽度为0.1-0.6mm；其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王锦山，张恒，王此宏，周斌，何强，
申请(专利权)人：德沪涂膜设备苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：