一种LDMOS制造方法及器件技术

本申请公开了一种LDMOS制造方法及器件，其中方法包括：S1：提供一形成有P型埋层和N型埋层的衬底，衬底上形成有外延层，外延层表层形成有间隔设置的多对浅沟槽隔离，其中，最靠近N型埋层中心的浅沟槽隔离定义为第一浅沟槽隔离；S2：在第一浅沟槽隔离上方形成对接多晶硅结构，并在外延层进行离子注入工艺，以在外延层中形成漂移区、第一阱区、第二阱区和高压P阱区；S3：在外延层表面形成多晶硅栅极；S4：进行离子注入，形成位于漂移区表层的漏极和位于高压P阱区表层的源极；S5：制作接触孔场板，接触孔场板的第一接触孔停留于对接多晶硅结构，第二接触孔对接于源极。本申请通过上述方案，可以提高屏蔽接触结构的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体器件制造的，具体涉及一种ldmos制造方法及器件。

技术介绍

1、ldmos(横向扩散金属氧化物半导体)因其具有耐高压、高增益、低失真以及工艺的兼容性和设计效率方面的优势等诸多优点而被广泛应用在汽车行业，如减排、节能、先进驾驶辅助系统以及增强个性化和舒适性等领域。同时也应用于医疗，如超声波成像和高级电源管理控制等。

2、目前，通常使用接触孔场板作为屏蔽接触结构，然而，由于sti（浅沟槽隔离）区内通常填充有氧化物，导致制造过程中，接触孔场板在sti区中的接触点无法准确限定深度，极易导致屏蔽接触结构甚至导致半导体器件不稳定，直接影响整个功率集成电路的性能。因此，如何能够确保屏蔽接触结构的稳定性成为半导体领域内亟待解决的问题。

技术实现思路

1、本申请提供了一种ldmos制造方法及器件，可以提高屏蔽接触结构的稳定性。

2、第一方面，本申请实施例提供了一种ldmos制造方法，包括：

3、s1：提供一形成有p型埋层和n型埋层的衬底，所述衬底上形成有外延层，所述外延层表本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种LDMOS制造方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S2包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述S3包括：采用光刻和刻蚀工艺处理剩余的所述第二多晶硅层，形成多晶硅栅极。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一浅沟槽隔离位于所述漂移区内。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一阱区和第二阱区的离子掺杂类型相反。

6.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：

7.根据权利要求6所述的LDMOS器件，其特征在于，所述外延层内还形成有：

【技术特征摘要】

1.一种ldmos制造方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤s2包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述s3包括：采用光刻和刻蚀工艺处理剩余的所述第二多晶硅层，形成多晶硅栅极。

4.根据权利要求1所述的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晓东，陈天，王黎，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：