温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请公开了一种LDMOS制造方法及器件，其中方法包括：S1：提供一形成有P型埋层和N型埋层的衬底，衬底上形成有外延层，外延层表层形成有间隔设置的多对浅沟槽隔离，其中，最靠近N型埋层中心的浅沟槽隔离定义为第一浅沟槽隔离；S2：在第一浅沟槽隔...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。