石墨烯铜导体的制备方法及石墨烯铜导体技术

本申请涉及电接触材料技术领域，具体而言，涉及一种石墨烯铜导体的制备方法及石墨烯铜导体。石墨烯铜导体的制备方法，包括：S1在铜基体的表面包覆第一厚度的碳层；S2在表面具备碳层的铜基体上制备多孔镍层；S3在多孔镍层的表面及其孔内表面包覆第二厚度的碳层；S4向多孔镍层浇注熔融的镍液，使镍液的一部分进入多孔镍层的孔，镍液的另一部分形成包覆多孔镍层的表面镍层，同时利用镍液的热量将碳层中的碳分解并融入镍金属；S5以设定降温速率进行降温，将熔入镍金属中的碳析出，以在铜基体的表面形成镍石墨烯混合层，本申请能够提高石墨烯铜导体的使用寿命和导电性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及电接触材料，具体而言，涉及一种石墨烯铜导体的制备方法及石墨烯铜导体。

技术介绍

1、铜作为导体，具有优良的导电性能，可以作为导线、连接线或电接触导体，在实际使用过程中，使用环境复杂，可能面临沙尘雨雪水汽污物等侵袭，也可能面临腐蚀性气体如二氧化硫、硫化氢、二氧化氮等侵蚀，还会存在氧气腐蚀等情况，这些情况将导致导电性变差。

2、为改善铜导体抵抗外界侵蚀的能力，现有技术通过设置防腐蚀膜层或设置镍层来解决，然而现有技术中防腐蚀膜层容易导致导电性降低，镍层容易与铜基体产生铜镍互熔体而影响导电性。因此，如何改善铜导体的使用寿命和导电性，仍是本领域关注的重点研发方向之一。

技术实现思路

1、本申请旨在提供一种石墨烯铜导体的制备方法及石墨烯铜导体，以解决现有技术中铜导体的使用寿命和导电性难以兼顾的问题。

2、本申请的实施例是这样实现的：

3、第一方面，本申请实施例提供一种石墨烯铜导体的制备方法，包括：

4、s1在铜基体的表面包覆第一厚度的碳层；p>

5、s2在本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种石墨烯铜导体的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的石墨烯铜导体的制备方法，其特征在于，在所述S2中，先在表面具备碳层的铜基体上制备混合有易挥发金属的镍层，再加热蒸发易挥发金属形成所述多孔镍层。

3.根据权利要求2所述的石墨烯铜导体的制备方法，其特征在于，所述S2包括：

4.根据权利要求3所述的石墨烯铜导体的制备方法，其特征在于，在S2.2中，先以超过所述设定温度的温度加热20～35min，再在所述设定温度下保持25～30min。

5.根据权利要求3所述的石墨烯铜导体的制备方法，其特征在于，所述镍粉的粒径为10～10...

【技术特征摘要】

1.一种石墨烯铜导体的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的石墨烯铜导体的制备方法，其特征在于，在所述s2中，先在表面具备碳层的铜基体上制备混合有易挥发金属的镍层，再加热蒸发易挥发金属形成所述多孔镍层。

3.根据权利要求2所述的石墨烯铜导体的制备方法，其特征在于，所述s2包括：

4.根据权利要求3所述的石墨烯铜导体的制备方法，其特征在于，在s2.2中，先以超过所述设定温度的温度加热20～35min，再在所述设定温度下保持25～30min。

5.根据权利要求3所述的石墨烯铜导体的制备方法，其特征在于，所述镍粉的粒径为10～100μm，所述易挥发金属的粒径为1～50μm。

6.根据权利要求3所述的石墨烯铜导体的制备方法，其特征在于，所述易挥发金属包括锌、锑、镁中的至少一种；

7.根据权利要求1-6任一项所述的石墨烯铜导体的制备方法，其特征在于，所述多孔镍层的厚度为15～260μm。

8.根据权利要求1所述的石墨烯铜导体的制备方法，其特征在于，在s4中，将熔融镍液经前处理，以使镍液内熔有一定量的碳。

9.根据权利要求1所述的石墨烯铜导体的制备方法，其特征在于，在所述s5...

【专利技术属性】
技术研发人员：马瑜，敖东羿，
申请(专利权)人：上海新池能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：