【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体设计领域，尤其涉及一种采样芯片外部大电流的电路设计，具体为一种高精度的电流采样电路。
技术介绍
1、如图1所示，目前大电流采样大多采用普通运放搭建pga模块测量检测电阻两端电压,由于半导体工艺存在器件偏差，运放存在失调，使得输出信号经放大后携带大量失调电压。若使用斩波技术消除运放失调，该技术的高精度采样电路会消耗大量芯片面积和电流。
技术实现思路
1、为克服上述现有技术的不足，本专利技术提供一种高精度的电流采样电路，通过简化电流采样电路结构，使之面积与功耗更低，并消除了工艺偏差带来的放大误差。
2、本专利技术是根据以下技术方案实现的：
3、一种高精度的电流采样电路，包括两个电流镜组，用于复制偏置电流源，其中，第一电流镜组的输出端连接负反馈回路，第二电流镜组的输出端连接ad模块；所述负反馈回路的一端连接外围实施电路，另一端连接第二电流镜组。
4、作为进一步的技术方案，所述第一电流镜组包括四个镜像管，其中，四个所述镜像管的源极分别与偏置电流源连接，第一镜像管的漏极分别与第一镜像管、第二镜像管、第三镜像管及第四镜像管的栅极连接，第二镜像管、第三镜像管及第四镜像管的漏极与负反馈回路连接。
5、作为进一步的技术方案，所述第一镜像管的漏极还与内置电流参考源连接。
6、作为进一步的技术方案，所述负反馈回路包括两个三极管和两个功率管，其中，两个所述三极管的基极连接至第二功率管的源极，两个所述三极管的发射极分别连接一大小
7、作为进一步的技术方案，所述第二电流镜组包括两个镜像管，其中，第五镜像管的漏极分别与第五镜像管、第六镜像管的栅极连接，第六镜像管的漏极与ad模块连接。
8、作为进一步的技术方案，所述第六镜像管的漏极连接buff运放正输入端，所述buff运放的输出端连接ad模块。
9、作为进一步的技术方案，所述外围实施电路包括功率管，所述功率管串联一负载电阻，所述负载电阻和外部检测电阻并联接入采样电路。
10、作为进一步的技术方案，第一镜像管、第二镜像管、第三镜像管及第四镜像管的版图配置匹配，第一三极管、第二三极管的版图配置匹配，两个三极管各自串联的电阻及内部电阻的版图匹配。
11、作为进一步的技术方案，所述采样电路输出的采样电流为其中k为第二电流镜组的电流镜复制比值；m为内部电阻与三极管串联电阻的比值，rtest为外部检测电阻，vr为ad模块读取的电压。
12、与现有技术相比，本专利技术的有益效果在于：
13、本专利技术简化了高精度电流采样电路结构，使之面积与功耗更低。
14、本专利技术通过第一电流镜组中多个镜像管的版图匹配、负反馈回路中多个三极管的版图匹配，消除了工艺偏差带来的放大误差。
15、本专利技术所提供的采样电流与电源电压、温度及工艺参数无关，仅需要读出输出端的电压即可得到准确电流。
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1.一种高精度的电流采样电路，其特征在于，包括两个电流镜组，用于复制偏置电流源，其中，第一电流镜组的输出端连接负反馈回路，第二电流镜组的输出端连接AD模块；所述负反馈回路的一端连接外围实施电路，另一端连接第二电流镜组。
2.根据权利要求1所述一种高精度的电流采样电路，其特征在于，所述第一电流镜组包括四个镜像管，其中，四个所述镜像管的源极分别与偏置电流源连接，第一镜像管的漏极分别与第一镜像管、第二镜像管、第三镜像管及第四镜像管的栅极连接，第二镜像管、第三镜像管及第四镜像管的漏极与负反馈回路连接。
3.根据权利要求2所述一种高精度的电流采样电路，其特征在于，所述第一镜像管的漏极还与内置电流参考源连接。
4.根据权利要求1所述一种高精度的电流采样电路，其特征在于，所述负反馈回路包括两个三极管和两个功率管，其中，两个所述三极管的基极连接至第二功率管的源极，两个所述三极管的发射极分别连接一大小相同的电阻；第一三极管的集电极连接第二功率管的栅极；第一功率管的源极连接第二三极管的发射极，栅极连接第二三极管的集电极。
5.根据权利要求1所述一种高精
6.根据权利要求5所述一种高精度的电流采样电路，其特征在于，所述第六镜像管的漏极连接BUFF运放正输入端，所述BUFF运放的输出端连接AD模块。
7.根据权利要求1所述一种高精度的电流采样电路，其特征在于，所述外围实施电路包括功率管，所述功率管串联一负载电阻，所述负载电阻和外部检测电阻并联接入采样电路。
8.根据权利要求1所述一种高精度的电流采样电路，其特征在于，第一镜像管、第二镜像管、第三镜像管及第四镜像管的版图配置匹配，第一三极管、第二三极管的版图配置匹配，两个三极管各自串联的电阻及内部电阻的版图匹配。
9.根据权利要求1所述一种高精度的电流采样电路，其特征在于，所述采样电路输出的采样电流为其中k为第二电流镜组的电流镜复制比值；m为内部电阻与三极管串联电阻的比值，RTEST为外部检测电阻，VR为AD模块读取的电压。
...【技术特征摘要】
1.一种高精度的电流采样电路，其特征在于，包括两个电流镜组，用于复制偏置电流源，其中，第一电流镜组的输出端连接负反馈回路，第二电流镜组的输出端连接ad模块；所述负反馈回路的一端连接外围实施电路，另一端连接第二电流镜组。
2.根据权利要求1所述一种高精度的电流采样电路，其特征在于，所述第一电流镜组包括四个镜像管，其中，四个所述镜像管的源极分别与偏置电流源连接，第一镜像管的漏极分别与第一镜像管、第二镜像管、第三镜像管及第四镜像管的栅极连接，第二镜像管、第三镜像管及第四镜像管的漏极与负反馈回路连接。
3.根据权利要求2所述一种高精度的电流采样电路，其特征在于，所述第一镜像管的漏极还与内置电流参考源连接。
4.根据权利要求1所述一种高精度的电流采样电路，其特征在于，所述负反馈回路包括两个三极管和两个功率管，其中，两个所述三极管的基极连接至第二功率管的源极，两个所述三极管的发射极分别连接一大小相同的电阻；第一三极管的集电极连接第二功率管的栅极；第一功率管的源极连接第二三极管的发射极，栅极连接第二三极管的集电极。
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈亮添，
申请(专利权)人：武汉芯必达微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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