使用Flash模拟EEPROM的数据存储方法及系统技术方案

本发明专利技术公开一种使用Flash模拟EEPROM的数据存储方法及系统，方法包括：初始化Flash内预先划分好的两个存储空间，并确定两个所述存储空间的激活状态；在两个所述存储空间中查找所有的最新数据；在被写入的数据长度小于当前激活状态存储空间的剩余空间时，写入数据至当前激活状态存储空间的数据区；在被写入的数据长度大于当前激活状态存储空间的剩余空间时，交换两个存储空间的激活状态，写入数据至新激活状态存储空间的数据区。本发明专利技术通过管理两个存储空间的激活状态，交替地向两个存储数据区以特定的格式写入数据，并在初始化时仅记录数据标志头的首地址，解决当前Flash模拟EEPROM方法中Flash利用率低，且大量占用Sram问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于嵌入式软件设计领域，具体涉及一种使用flash模拟eeprom的数据存储方法及系统。

技术介绍

1、在嵌入式领域，有大量的数据需要在掉电的情况下能够被保存，且这些数据可能会被频繁的修改。如果增加eeprom去保存这些数据会导致成本上升，通常嵌入式领域会使用微控制器内部flash模拟eeprom。

2、现有技术一般通过使用sram+flash的方式模拟eeprom。一个数据包包括72bit，bit[31:0]用于存储数据，bit[63:32]用于存储目标地址(sram)的地址+有效标志位，bit[71:64]用于存储错误纠正码(ecc)，如图1所示。

3、同时考虑异常掉电后数据不会丢失，则需要额外再使用一倍的flash空间用于备份数据，如图2所示，其中，flash bank0用于正常模拟eeprom，flash bank1用于备份数据。但这样的方式导致flash的利用率极低(低于25％)。

4、现有技术主要存在以下缺陷：

5、1、flash利用率较低，模拟大空间的eeprom，需要占用更多的fla本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.使用FLASH模拟EEPROM的数据存储方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述使用FLASH模拟EEPROM的数据存储方法，其特征在于，在初始化之前，还包括：将Flash结构划分为两个存储空间，每个所述存储空间均包括信息区和数据区，所述信息区用于存放每个存储空间的信息，所述数据区用于存放EEPROM数据。

3.根据权利要求1所述使用FLASH模拟EEPROM的数据存储方法，其特征在于，每个所述存储空间均包括激活状态和非激活状态，且同一时刻仅有一个存储空间处于激活状态。

4.根据权利要求2所述使用FLASH模拟EEPROM的数据存储方法，其...

【技术特征摘要】

1.使用flash模拟eeprom的数据存储方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述使用flash模拟eeprom的数据存储方法，其特征在于，在初始化之前，还包括：将flash结构划分为两个存储空间，每个所述存储空间均包括信息区和数据区，所述信息区用于存放每个存储空间的信息，所述数据区用于存放eeprom数据。

3.根据权利要求1所述使用flash模拟eeprom的数据存储方法，其特征在于，每个所述存储空间均包括激活状态和非激活状态，且同一时刻仅有一个存储空间处于激活状态。

4.根据权利要求2所述使用flash模拟eeprom的数据存储方法，其特征在于，在初始化时，还包括：

5.根据权利要求4所述使用flash模拟eeprom的数据存储方法，其特征在于，在根据对比结果判断两个存储...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈阳，
申请(专利权)人：武汉芯必达微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：