【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体涉及一种芯片、晶圆以及测试方法。
技术介绍
1、在半导体制造进程中，通常包括光刻、刻蚀、掺杂、材料沉积等工艺，所形成结构的尺寸或者与之相关的尺寸称为关键尺寸，即cd(critical dimension)。由于工艺制程的复杂性，在生产制造过程中，有很多因素都会影响关键尺寸，导致晶圆不同区域的结构的关键尺寸不一致，这会影响半导体器件或相关产品的特性。因此，监测或者评估晶圆或者芯片制造的关键尺寸十分重要。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种芯片、晶圆以及测试方法，通过在晶圆或者芯片上设置多个测试单元，用于监测及评估晶圆或者芯片制造的关键尺寸(cd)。
2、根据本申请的一方面，本申请一实施例提供了一种晶圆，包括多个测试单元，每个所述测试单元包括分光器件；其中，所述分光器件包括光输入结构、分光结构以及第一光输出结构，所述分光结构被配置为将输入到所述光输入结构的光分配至所述第一光输出结构。
3、进一步地，所述多个测试单元为至少3个，并且在同一曝光区域内，与所述多个测试单元一一对应的多个分光结构以预设的第一空间尺度呈周期性排列。
4、在一些实施例中，所述预设的第一空间尺度为x1，其中，500μm≤x1≤5000μm。
5、在一些实施例中，所述多个测试单元分别设置在不同的曝光区域内，并且与所述多个测试单元一一对应的多个分光结构以预设的第二空间尺度排列。
6、在一些实施例中，所述预设的第二空间尺度为x2，其中，1
7、在一些实施例中，每个所述测试单元包括光输入端口，所述光输入端口被配置为将光耦合至所述光输入结构。
8、可选地，每个所述测试单元还包括光输出部，所述光输出部光学耦合至所述第一光输出结构。
9、可选地，每个所述测试单元还包括电输出部，所述电输出部被配置为将所述第一光输出结构输出的光信号转换为电信号。
10、根据本申请的另一方面，本申请还提供了一种测试方法，用于对上述任一所述的晶圆进行测试，所述测试方法包括：
11、对所述多个测试单元中的每一个的所述光输入结构输入光；
12、获得所述多个测试单元中的每一个的所述第一光输出结构的分光参数；
13、建立所述多个测试单元中的每一个的位置参数与所述分光参数的对应关系。
14、根据本申请的另一方面，本申请还提供了一种芯片，包括：多个测试单元，每个所述测试单元包括分光器件；其中，所述分光器件包括光输入结构、分光结构以及第一光输出结构，所述分光结构被配置为将输入到所述光输入结构的光分配至所述第一光输出结构。
15、在一些实施例中，所述多个测试单元为至少3个，与所述多个测试单元一一对应的多个分光结构以预设的第一空间尺度呈周期性排列。
16、在一些实施例中，所述预设的第一空间尺度为x1，其中，500μm≤x1≤5000μm。
17、本申请实施例提供了芯片、晶圆以及测试方法，其通过在晶圆或者芯片上设置多个测试单元，测量所述多个测试单元中的每一个的第一光输出结构的分光参数，用于监测及评估该多个测试单元所在区域的工艺偏差和良率偏差，借此来间接表征晶圆上的cd的偏移情况。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种晶圆，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的晶圆，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的晶圆，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的晶圆，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的晶圆，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的晶圆，其特征在于，
8.根据权利要求6所述的晶圆，其特征在于，
9.一种测试方法，用于对如权利要求1至权利要求8中任一项所述的晶圆进行测试，其特征在于，所述测试方法包括：
10.一种芯片，包括：
11.根据权利要求10所述的芯片，其特征在于，
12.根据权利要求11所述的芯片，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种晶圆，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的晶圆，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的晶圆，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的晶圆，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的晶圆，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭博，邹静慧，孟怀宇，沈亦晨，
申请(专利权)人：杭州光智元科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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