光电器件及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种光电器件及其制备方法，涉及光电技术领域。光电器件包括阴极、阳极和功能层，功能层包括电子传输层，电子传输层的材料包括由交联剂交联的电子传输材料，交联剂为叠氮化合物，叠氮化合物具有至少两个作为端基的叠氮基团。本发明专利技术提供的光电器件的电子传输层稳定性佳。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电，具体涉及光电器件及其制备方法。

技术介绍

1、光电器件包括发光二极管、太阳能电池、光电探测器等，现有的光电器件一般包括阴极、阳极以及功能层。电子传输层是光电器件中重要的功能层，溶液法是当前制备光电器件电子传输层的常见方法之一，但现有技术下，电子传输层存在稳定性较差的问题。具体的，当利用溶液法在已经制备完成的电子传输层上制备另一功能层时，已经制备完成的电子传输层可能会因为待制备功能层所用溶液的溶剂而被破坏，导致已经制备完成的电子传输层作用效果降低甚至失效，同时，已经制备完成的电子传输层因溶剂而受到破坏后，其膜层表面不平整，也不利于待制备功能层的成膜制备。综上，亟待一种提高光电器件电子传输层稳定性的技术。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供光电器件，该光电器件的电子传输层稳定性佳。

2、本专利技术的另一目的在于提供光电器件的制备方法，该制备方法能够通过简单的工艺实现电子传输层稳定性的提升。

3、本专利技术解决技术问题是采用以下技术方案来实现的：

4、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.光电器件，其特征在于，所述光电器件包括阴极、阳极和功能层，所述功能层包括电子传输层，所述电子传输层的材料包括由交联剂交联的电子传输材料，所述交联剂为叠氮化合物，所述叠氮化合物具有至少两个作为端基的叠氮基团。

2.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述叠氮化合物具有N3-R2-R1-R3-N3的通式，其中，所述R1为连接基团，其选自于取代或未取代的-(CH2)m1-、-(CH2)m2CH＝CH(CH2)m3-、-(CH2)m4C≡C(CH2)m5-、-(CH2)m6O(CH2)m7-、-(CH2)m8CO(CH2)m9-、-(CH2)m10NHCO(CH2)m11-...

【技术特征摘要】

1.光电器件，其特征在于，所述光电器件包括阴极、阳极和功能层，所述功能层包括电子传输层，所述电子传输层的材料包括由交联剂交联的电子传输材料，所述交联剂为叠氮化合物，所述叠氮化合物具有至少两个作为端基的叠氮基团。

2.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述叠氮化合物具有n3-r2-r1-r3-n3的通式，其中，所述r1为连接基团，其选自于取代或未取代的-(ch2)m1-、-(ch2)m2ch＝ch(ch2)m3-、-(ch2)m4c≡c(ch2)m5-、-(ch2)m6o(ch2)m7-、-(ch2)m8co(ch2)m9-、-(ch2)m10nhco(ch2)m11-、-(ch2)m12conh(ch2)m13-、-(ch2)m14oco(ch2)m15-、-(ch2)m16coo(ch2)m17-、-(ch2)m18(och2)m19-、-coo(ch2)m20ooc-中的一种或多种的组合，其中，m1至m20各自独立地选自1～20的整数；

3.根据权利要求2所述的光电器件，其特征在于，所述m1至m20各自独立地选自1～10的整数；或者

4.根据权利要求3所述的光电器件，其特征在于，所述r1选自于-(ch2)n-、-ch2ch＝ch-、-ch2c≡c-、-ch2och2-、-ch2coch2-、-ch2nhcoch2-、-ch2ococh2-中的一种，其中n的取值范围为1～3；或者

5.根据权利要求2所述的光电器件，其特征在于，所述芳环选自于苯环、萘环、蒽环、菲环中的一种；和/或，

6.根据权利要求1～5任一项所述的光电器件，其特征在于，所述叠氮化合物选自具有以下结构式的化合物中的一种或多种：...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁文林，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：