【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路的非易失存储器，具体的涉及一种基于插入电压态辅助ldpc译码的方法及系统，更具体地说，涉及用于闪存(nand flash)存储器，尤其是nand flash存储器的ecc(error correcting code)编解码算法的设计，即涉及一种基于页误码率差异性的辅助ldpc译码的方法及系统。
技术介绍
1、随着科学技术的不断发展，以nand flash为存储介质的固态硬盘已经成为存储市场的主流，而为了满足用户更大的存储容量的需求，nand flash已经从2d平面型发展到3d堆叠结构，对于每一个存储单元来说，已经从最初的只存储1bit信息(slc)到如今可存储3bit甚至4bit信息(tlc/qlc)，显著提升了存储介质的密度。
2、但是，随着存储密度以及单元存储比特信息的提升，给nand闪存的可靠性问题带来了巨大的挑战，存储单元存储的bit信息越多导致存储单元的阈值分布间隔越来越小，从nand闪存中读取数据时会导致更多的错误出现，原始误码率也随之提升，nand闪存的可靠性会明显下降。
技术实现思路
1、有鉴于此，为解决上述问题，本专利技术提供一种基于插入电压态辅助ldpc译码的方法及系统，技术方案如下：
2、一种基于插入电压态辅助ldpc译码的方法，所述方法包括：
3、在编码过程中，获取待处理物理页；对所述待处理物理页的数据进行编码处理得到编码后的第一码字；在所述第一码字中插入多个电压态得到第二码字；将所述第二码字
4、在译码过程中，从所述存储器中读取待译码数据；对所述待译码数据进行处理得到插入的每个电压态对应的误码率；基于所述插入的每个电压态对应的误码率对原始误码率查找表中电压态的误码率进行修正得到目标误码率查找表；基于所述目标误码率查找表计算每个电压态对应的llr信息。
5、优选的，在上述方法中，所述第一码字包括多个码字单元，所述在所述第一码字中插入多个电压态得到第二码字，包括：
6、将多个电压态等间隔的插入到所述码字单元中得到所述第二码字。
7、优选的，在上述方法中，所述第一码字包括多个码字单元，所述在所述第一码字中插入多个电压态得到第二码字，包括：
8、将多个电压态插入到所述码字单元的末尾。
9、优选的，在上述方法中，所述在所述第一码字中插入多个电压态得到第二码字，包括：
10、将多个电压态插入到所述第一码字的末尾。
11、优选的，在上述方法中，1.20％＜p＜1.24％；
12、其中，p表示插入电压态的码率；
13、p＝m/n，m表示插入电压态的总个数，n表示所述待处理物理页中存储单元的总个数。
14、一种基于插入电压态辅助ldpc译码的系统，所述系统包括：
15、ldpc编码模块，用于在编码过程中从主机端获取待处理物理页，并对所述待处理物理页的数据进行编码处理得到编码后的第一码字；
16、辅助编码模块，用于在所述第一码字中插入多个电压态得到第二码字，并将所述第二码字写入存储器中；
17、辅助译码模块，用于在译码过程中从所述存储器中读取待译码数据，并对所述待译码数据进行处理得到插入的每个电压态对应的误码率；
18、误码率查找表修正模块，用于基于所述插入的每个电压态对应的误码率对原始误码率查找表中电压态的误码率进行修正得到目标误码率查找表；
19、ldpc译码模块，用于基于所述目标误码率查找表计算每个电压态对应的llr信息。
20、优选的，在上述系统中，所述第一码字包括多个码字单元，所述辅助编码模块用于在所述第一码字中插入多个电压态得到第二码字，具体为：
21、将多个电压态等间隔的插入到所述码字单元中得到所述第二码字。
22、优选的，在上述系统中，所述第一码字包括多个码字单元，所述辅助编码模块用于在所述第一码字中插入多个电压态得到第二码字，具体为：
23、将多个电压态插入到所述码字单元的末尾。
24、优选的，在上述系统中，所述辅助编码模块用于在所述第一码字中插入多个电压态得到第二码字，具体为：
25、将多个电压态插入到所述第一码字的末尾。
26、优选的，在上述系统中，1.20％＜p＜1.24％；
27、其中，p表示插入电压态的码率；
28、p＝m/n，m表示插入电压态的总个数，n表示所述待处理物理页中存储单元的总个数。
29、相较于现有技术，本专利技术实现的有益效果为：
30、本专利技术提供的一种基于插入电压态辅助ldpc译码的方法包括：在编码过程中，获取待处理物理页；对所述待处理物理页的数据进行编码处理得到编码后的第一码字；在所述第一码字中插入多个电压态得到第二码字；将所述第二码字写入存储器中；在译码过程中，从所述存储器中读取待译码数据；对所述待译码数据进行处理得到插入的每个电压态对应的误码率；基于所述插入的每个电压态对应的误码率对原始误码率查找表中电压态的误码率进行修正得到目标误码率查找表；基于所述目标误码率查找表计算每个电压态对应的llr信息。该基于插入电压态辅助ldpc译码的方法在对每一个物理页进行编码的过程中，每个物理页对应的三个逻辑页同时增加冗余位，将适当数量的电压态插入到编码好的第一码字中，插入的电压态作为辅助来反映本物理页中这些插入的电压态的误码率情况，在译码的过程中由于已知插入电压态的位置，则可以通过与原写入的电压态进行异或计算即可得到插入的每个电压态对应的误码率，之后对原始误码率查找表中电压态的误码率进行修正得到目标误码率查找表，再基于目标误码率查找表计算每个电压态对应的llr信息，进而提升ldpc的译码性能。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种基于插入电压态辅助LDPC译码的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一码字包括多个码字单元，所述在所述第一码字中插入多个电压态得到第二码字，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一码字包括多个码字单元，所述在所述第一码字中插入多个电压态得到第二码字，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一码字中插入多个电压态得到第二码字，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，1.20％＜p＜1.24％；
6.一种基于插入电压态辅助LDPC译码的系统，其特征在于，所述系统包括：
7.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，所述第一码字包括多个码字单元，所述辅助编码模块用于在所述第一码字中插入多个电压态得到第二码字，具体为：
8.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，所述第一码字包括多个码字单元，所述辅助编码模块用于在所述第一码字中插入多个电压态得到第二码字，具体为：
9.根据权利要求6所述的系统，其
10.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，1.20％＜p＜1.24％；
...【技术特征摘要】
1.一种基于插入电压态辅助ldpc译码的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一码字包括多个码字单元，所述在所述第一码字中插入多个电压态得到第二码字，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一码字包括多个码字单元，所述在所述第一码字中插入多个电压态得到第二码字，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一码字中插入多个电压态得到第二码字，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，1.20％＜p＜1.24％；
6.一种基于插入电压态...
【专利技术属性】
技术研发人员：王颀，张博，王先良，于晓磊，李前辉，何菁，杨柳，霍宗亮，叶甜春，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。