System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 稠环化合物以及包括其的发光器件、电子设备和电子装置制造方法及图纸_技高网

稠环化合物以及包括其的发光器件、电子设备和电子装置制造方法及图纸

技术编号:40908242 阅读:2 留言:0更新日期:2024-04-18 14:38
本发明专利技术涉及稠环化合物以及包括其的发光器件、电子设备和电子装置。发光器件包括第一电极,面向第一电极的第二电极,在第一电极和第二电极之间并且包括发射层的夹层,以及由式1表示的稠环化合物。并且电子装置和电子设备包括发光器件。式1

【技术实现步骤摘要】

本公开的一个或多个实施方式涉及包括稠环化合物的发光器件、包括发光器件的电子设备和电子装置以及稠环化合物。


技术介绍

1、发光器件为自发射装置,其具有宽视角、高对比度、短响应时间以及在亮度、驱动电压和响应速度方面卓越的或适当的特性。

2、发光器件可包括在基板上的第一电极,以及依次堆叠在第一电极上的空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极。从第一电极提供的空穴可通过空穴传输区朝着发射层移动,并且从第二电极提供的电子可通过电子传输区朝着发射层移动。载流子(比如空穴和电子)在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁和衰变至基态,因此生成光。


技术实现思路

1、本公开的实施方式的一个或多个方面涉及包括稠环化合物的发光器件、包括发光器件的电子装置和电子设备以及稠环化合物。

2、另外的方面将部分在如下的描述中陈述,并且部分将从描述中是显而易见的,或可通过呈现的本公开的实施方式的实践而了解到。

3、根据本公开的一个或多个实施方式,发光器件可包括:

4、第一电极;

5、面向第一电极的第二电极;以及

6、在第一电极和第二电极之间并且包括发射层的夹层,

7、其中发光器件可包括由式1表示的稠环化合物:

8、式1

9、

10、其中,在式1中,

11、x1可为单键、o、s、se、c(r8)(r9)、si(r8)(r9)或n(r8),

12、y1可为n、b、p(=o)或p(=s),

13、环cy1至环cy3可各自独立地为c5-c60碳环基或c2-c60杂环基,

14、a1至a3可各自独立地为选自0至10的整数,

15、r1至r9、r11至r15、r21至r23和r31至r34可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个r10a取代的c1-c60烷基、未取代的或被至少一个r10a取代的c2-c60烯基、未取代的或被至少一个r10a取代的c2-c60炔基、未取代的或被至少一个r10a取代的c1-c60烷氧基、未取代的或被至少一个r10a取代的c1-c60烷硫基、未取代的或被至少一个r10a取代的c3-c60碳环基、未取代的或被至少一个r10a取代的c1-c60杂环基、未取代的或被至少一个r10a取代的c6-c60芳氧基、未取代的或被至少一个r10a取代的c6-c60芳硫基、-c(q1)(q2)(q3)、-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(=o)(q1)、-s(=o)2(q1)或-p(=o)(q1)(q2),

16、选自r1至r9、r11至r15、r21至r23和r31至r34中的至少两个基团可任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个r10a取代的c5-c30碳环基或者未取代的或被至少一个r10a取代的c2-c30杂环基,并且

17、r10a可为:

18、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基或硝基;

19、各自未取代的或被下述取代的c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基或c1-c60烷氧基:氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c3-c60碳环基、c1-c60杂环基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c7-c60芳烷基、c2-c60杂芳烷基、-si(q11)(q12)(q13)、-n(q11)(q12)、-b(q11)(q12)、-c(=o)(q11)、-s(=o)2(q11)、-p(=o)(q11)(q12)或其任何组合;

20、各自未取代的或被下述取代的c3-c60碳环基、c1-c60杂环基、c6-c60芳氧基c6-c60芳硫基、c7-c60芳烷基或c2-c60杂芳烷基:氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c60碳环基、c1-c60杂环基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c7-c60芳烷基、c2-c60杂芳烷基、-si(q21)(q22)(q23)、-n(q21)(q22)、-b(q21)(q22)、-c(=o)(q21)、-s(=o)2(q21)、-p(=o)(q21)(q22)或其任何组合;或

21、-si(q31)(q32)(q33)、-n(q31)(q32)、-b(q31)(q32)、-c(=o)(q31)、-s(=o)2(q31)或-p(=o)(q31)(q32),

22、其中q1至q3、q11至q13、q21至q23和q31至q33可各自独立地为:

23、氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基或c1-c60烷氧基;或

24、各自未取代的或被氘、-f、氰基、c1-c60烷基、c1-c60烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的c3-c60碳环基、c1-c60杂环基、c7-c60芳烷基或c2-c60杂芳烷基。

25、根据本公开的一个或多个实施方式,电子装置可包括发光器件。

26、根据本公开的一个或多个实施方式,电子设备可包括发光器件。

27、根据本公开的一个或多个实施方式,提供了由式1表示的稠环化合物。

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【技术保护点】

1.一种发光器件,包括:

2.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述夹层包括由式1表示的所述稠环化合物。

3.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述发射层包括由式1表示的所述稠环化合物。

4.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述发射层包括主体和掺杂剂,并且所述掺杂剂包括由式1表示的所述稠环化合物。

5.根据权利要求4所述的发光器件,其中所述主体包括第一主体和第二主体,并且所述第一主体为电子传输主体,并且所述第二主体为空穴传输主体。

6.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述发射层进一步包括敏化剂。

7.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述发射层发射具有在410nm至490nm的范围内的最大发射波长的蓝光。

8.根据权利要求1所述的发光器件,其中,

9.一种电子装置,包括根据权利要求1至8中任一项所述的发光器件。

10.根据权利要求9所述的电子装置,进一步包括:

11.一种电子设备,包括根据权利要求1至8中任一项所述的发光器件,其中

12.一种由式1表示的稠环化合物:

13.根据权利要求12所述的稠环化合物,其中X1为单键。

14.根据权利要求12所述的稠环化合物,其中Y1为B。

15.根据权利要求12所述的稠环化合物,其中环CY1为由式CY1-1表示的基团:

16.根据权利要求12所述的稠环化合物,其中环CY2为由式CY2-1表示的基团:并且

17.根据权利要求12所述的稠环化合物,其中环CY3为由式CY3-1表示的基团:并且

18.根据权利要求12所述的稠环化合物,其中a1至a3的总和为1或更大,并且选自R1至R3中的至少一个为由选自式2-1至式2-4中的任何一个表示的基团:

19.根据权利要求12所述的稠环化合物,其中R11至R15、R21至R23和R31至R34各自独立地为:

20.根据权利要求12所述的稠环化合物,其中所述稠环化合物为选自化合物1至化合物68中的任何一种:

...

【技术特征摘要】

1.一种发光器件,包括:

2.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述夹层包括由式1表示的所述稠环化合物。

3.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述发射层包括由式1表示的所述稠环化合物。

4.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述发射层包括主体和掺杂剂,并且所述掺杂剂包括由式1表示的所述稠环化合物。

5.根据权利要求4所述的发光器件,其中所述主体包括第一主体和第二主体,并且所述第一主体为电子传输主体,并且所述第二主体为空穴传输主体。

6.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述发射层进一步包括敏化剂。

7.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述发射层发射具有在410nm至490nm的范围内的最大发射波长的蓝光。

8.根据权利要求1所述的发光器件,其中,

9.一种电子装置,包括根据权利要求1至8中任一项所述的发光器件。

10.根据权利要求9所述的电子装置,进一步包括:

11.一种电子设备,包括...

【专利技术属性】
技术研发人员:郑旼静金泰一朴宣映鲜于卿沈文基吴灿锡
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:

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