【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体器件加工领域，尤其是真空吸附盘及太鼓晶圆加工设备。
技术介绍
1、授权公告号为cn114582713b的中国专利技术专利揭示了一种太鼓晶圆的加工方法和装置，其在进行太鼓晶圆环切时，是将太鼓晶圆放置于真空吸附盘上吸附固定。现有的真空吸附盘采用分体结构，如附图1所示，其包括吸附太鼓晶圆的晶圆主体01的第一部分100以及环设在所述太鼓晶圆外周的用于吸附太鼓晶圆上的uv膜02的第二部分200，第一部分100和第二部分200的顶面具有高度差。为了适应不同太鼓晶圆的太鼓环的段差l（太鼓环突出的高度），现有的结构是为每种段差l的太鼓晶圆配置一种第一部分100，以使太鼓晶圆放置在真空吸附盘上时，晶圆主体01能够贴在第一部分上，同时uv膜02能够贴在第二部分上从而保证稳定吸附。
2、但是，这种方式不仅需要多个第一部分，且很容易出现第一部分更换不准确或上料不准确从而导致太鼓晶圆无法稳定吸附的情况。
技术实现思路
1、本技术的目的就是为了解决现有技术中存在的上述问题，提供一种真空吸附...
【技术保护点】
1.真空吸附盘，包括盘体，其特征在于：所述盘体上形成有中心吸附部分和围设在所述中心吸附部分外周的外围吸附部分，所述中心吸附部分的第一顶面处设置有第一吸附槽，所述外围吸附部分的第二顶面处设置有第二吸附槽，所述第一顶面的高度高于所述第二顶面的高度，所述盘体上还形成位于所述中心吸附部分和外围吸附部分之间的预定深度的容纳槽，所述容纳槽的槽底低于所述第二顶面。
2.根据权利要求1所述的真空吸附盘，其特征在于：所述容纳槽的槽底处设置有至少一个破真空孔。
3.根据权利要求1所述的真空吸附盘，其特征在于：所述容纳槽的深度在所述真空吸附盘的厚度的1/3-1/2之
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【技术特征摘要】
1.真空吸附盘，包括盘体，其特征在于：所述盘体上形成有中心吸附部分和围设在所述中心吸附部分外周的外围吸附部分，所述中心吸附部分的第一顶面处设置有第一吸附槽，所述外围吸附部分的第二顶面处设置有第二吸附槽，所述第一顶面的高度高于所述第二顶面的高度，所述盘体上还形成位于所述中心吸附部分和外围吸附部分之间的预定深度的容纳槽，所述容纳槽的槽底低于所述第二顶面。
2.根据权利要求1所述的真空吸附盘，其特征在于：所述容纳槽的槽底处设置有至少一个破真空孔。
3.根据权利要求1所述的真空吸附盘，其特征在于：所述容纳槽的深度在所述真空吸附盘的厚度的1/3-1/2之间。
4.根据权利要求1所述的真空吸附盘，其特征在于：所述第一吸附槽包括一组同心设置的第一环槽，所述第一环槽之间通过延伸过所述第一环槽的中心的第一直槽连通，所述第一环槽的中心连接第一轴向气道，所述第一轴向气道连接径向气道，所述径向气道延伸...
【专利技术属性】
技术研发人员：周鑫，张宁宁，吕孝袁，陈丛余，王永强，葛凡，孙志超，
申请(专利权)人：江苏京创先进电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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