一种自清洁涂层、自清洁结构、制作方法、玻璃幕墙及监控设备技术

技术编号:40878889 阅读:41 留言:0更新日期:2024-04-08 16:49
本申请公开一种自清洁涂层、自清洁结构、制作方法、玻璃幕墙及监控设备,该自清洁涂层包括:导电层;胶柱阵列层,设于导电层的至少一侧表面,胶柱阵列层包括多个纳米胶柱,每个纳米胶柱的一端与导电层连接;其中,每个纳米胶柱的侧面设有至少一个电致变形结构件,每个纳米胶柱的至少一个电致变形结构件与导电层间隔设置。本申请的自清洁涂层通过在基底表面设置导电层,以保证基底表面的导电性,并在导电层的表面设置胶柱阵列层,胶柱阵列层的每个纳米胶柱上设置至少一个电致变形结构件,且至少一个电致变形结构件与导电层间隔设置,以使电致变形结构件在交变电场作用下产生变形,从而使胶柱阵列层进行振动,实现机械主动除尘。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及视窗涂层,尤其涉及一种自清洁涂层、自清洁结构、制作方法、玻璃幕墙及监控设备


技术介绍

1、户外装置,如应用于室外露天场的监控设备,其视窗表面经常会吸附脏污、灰层等物质,从而影响监控设备的成像质量。为了解决这个问题,一些研究者开发了疏水、亲水的自清洁涂层来实现非主动除污。无论是亲水膜还是疏水膜,在长期户外使用过程中也会导致自清洁功能的下降,无法实现主动清洁。


技术实现思路

1、本申请公开了一种自清洁涂层、自清洁结构、制作方法、玻璃幕墙及监控设备,以提供一种能够实现主动清洁的涂层。

2、为达到上述目的,本申请提供以下技术方案:

3、第一方面,本申请提供了一种自清洁涂层,包括:

4、导电层;

5、胶柱阵列层,设于所述导电层的至少一侧表面,所述胶柱阵列层包括多个纳米胶柱,每个所述纳米胶柱的一端与所述导电层连接;

6、其中,每个所述纳米胶柱的侧面设有至少一个电致变形结构件,每个所述纳米胶柱的至少一个所述电致变形结构件与所述导电层间隔设置。

<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种自清洁涂层,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的自清洁涂层,其特征在于,每个所述纳米胶柱的与所述导电层间隔设置的电致变形结构件与所述导电层的距离大于等于所述纳米胶柱的高度的一半。

3.根据权利要求1所述的自清洁涂层,其特征在于,每个所述纳米胶柱的侧面设有两个所述电致变形结构件,任一所述纳米胶柱的两个所述电致变形结构件沿所述纳米胶柱的高度方向错位设置,其中一个所述电致变形结构件与所述导电层间隔设置,另一个所述电致变形结构件与所述导电层连接。

4.根据权利要求3所述的自清洁涂层,其特征在于,在所述导电层的正投影面内,任一所述纳米胶柱的两个所...

【技术特征摘要】

1.一种自清洁涂层,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的自清洁涂层,其特征在于,每个所述纳米胶柱的与所述导电层间隔设置的电致变形结构件与所述导电层的距离大于等于所述纳米胶柱的高度的一半。

3.根据权利要求1所述的自清洁涂层,其特征在于,每个所述纳米胶柱的侧面设有两个所述电致变形结构件,任一所述纳米胶柱的两个所述电致变形结构件沿所述纳米胶柱的高度方向错位设置,其中一个所述电致变形结构件与所述导电层间隔设置,另一个所述电致变形结构件与所述导电层连接。

4.根据权利要求3所述的自清洁涂层,其特征在于,在所述导电层的正投影面内,任一所述纳米胶柱的两个所述电致变形结构件沿第一方向设置。

5.根据权利要求4所述的自清洁涂层,其特征在于,所述纳米胶柱在所述导电层的正投影为长方形或正多边形,每个所述纳米胶柱的两个电致变形结构件分别设于纳米胶柱的两个相对侧面。

6.根据权利要求1-5任一项所述的自清洁涂层,其特征在于,所述纳米胶柱为二氧化硅纳米胶柱。

7.根据权利要求1-5任一项所述的自清洁涂层,其特征在于,每个所述纳米胶柱的垂直于第一方向的高度为20-40nm。

8.根据权利要求1-5任一项所述的自清洁涂层,其特征在于,所述电致变形结构件的材质包括纳米锆钛酸铅或纳米钛酸钡中的至少一种。

9.根据权利要求1-4任一项所述的自清洁涂层,其特征在于,所述导电层的厚度为10-15nm;所...

【专利技术属性】
技术研发人员:郑博达徐琼华汪聪陈洁郜春山郑东辉刘丁熙陈鸿武邓志吉王雅莉
申请(专利权)人:浙江大华技术股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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