【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及了一种浸没式光刻，尤其涉及一种浸没流场扰动力测量装置及测量方法。
技术介绍
1、投影光刻机是大规模集成电路制造的核心设备之一，通过一定波长的激光照射掩模版，经过投影物镜，将掩模版上的图形转印到硅片上的光刻胶上。曝光后的硅片，经过后续显影、刻蚀、沉积、离子注入、抛光、测试、切割、焊接、封装等工艺，最终形成芯片。
2、浸没式光刻机是在投影物镜最后一片镜片和硅片之间，填充高折射率的浸没液体，进而提高光刻分辨率，实现更高更小的工艺线宽。由于光刻胶在浸没液体中的物质析出、光化学反应等，将在浸没液体中形成污染物，曝光过程中产生的热量也会导致浸没液体温度升高，因此需要不断地更新曝光区域的浸没液体并稳定流动，才能减少浸没曝光缺陷，保证光刻性能。浸没单元设置于投影物镜最后一片镜片的径向外侧，并且位于硅片上片，具有浸液供给开口和浸液回收开口，通过浸液供给开口向最后镜片和硅片的间隙提供浸没液体，通过浸液回收开口从最后镜片和硅片的间隙回收浸没液体，从而形成浸没流场。
3、流场的持续流动会对最后镜片和硅片产生扰动力，尤其在硅...
【技术保护点】
1.一种浸没流场扰动力测量装置，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的一种浸没流场扰动力测量装置，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的一种浸没流场扰动力测量装置，其特征在于：
4.根据权利要求3所述的一种浸没流场扰动力测量装置，其特征在于：
5.根据权利要求1所述的一种浸没流场扰动力测量装置，其特征在于：
6.根据权利要求5所述的一种浸没流场扰动力测量装置，其特征在于：
7.根据权利要求6所述的一种浸没流场扰动力测量装置，其特征在于：
8.根据权利要求1所述的一种浸没流场扰动力测量装
【技术特征摘要】
1.一种浸没流场扰动力测量装置，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的一种浸没流场扰动力测量装置，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的一种浸没流场扰动力测量装置，其特征在于：
4.根据权利要求3所述的一种浸没流场扰动力测量装置，其特征在于：
5.根据权利要求1所述的一种浸没流场扰动力测量装置，其特征在于：
6.根据...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。