【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例涉及集成电路，具体地，涉及存储阵列及提高存储阵列的数据读取准确度的方法。
技术介绍
1、存储阵列通常包括多个半导体存储装置。位于同一行的半导体存储装置可共用一个感测放大器（sa）。在对存储阵列中的某个半导体存储装置发起读操作时，会首先发送激活命令，然后发送“读”操作指令。在这个过程中，半导体存储装置的存储单元中存储的电荷被提供到位线上，从而引起位线上的电平变化。半导体存储装置中的感测放大器（sa）用于放大位线上的电平变化以将位线的电压驱动到上下两个电源轨，并保持在稳态。最后，半导体存储装置的存储单元中存储的电荷将被输出到数据总线。
2、在对位于同一行的半导体存储装置进行多次“读”操作过程中，“读”操作的间隔时间是符合操作规范的固定值。在列选信号使能期间，感测放大器差分放大位线的变化所花费的时间占据了整个过程的大部分时间，在“读”操作的间隔时间固定的情况下，留给次级感测放大器（ssa）的时间余量可能不够，导致后续电压平衡器平衡数据总线上的电压还没达到平衡状态，下一个列选信号就使能，因而影响读出数据的准确性。>
<本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种存储阵列，其特征在于，所述存储阵列包括读操作控制电路和多个半导体存储装置，所述读操作控制电路耦接所述多个半导体存储装置，
2.根据权利要求1所述的存储阵列，其特征在于，所述升压电路包括：第一电压比较器、第一反相器、第一传输门、第二传输门、第一晶体管、第一电容器、第一电阻器、第二电阻器、第三电阻器，
3.根据权利要求1或2所述的存储阵列，其特征在于，所述信号产生电路包括：列选信号产生电路、升压控制信号产生电路、次级放大信号产生电路，
4.根据权利要求3所述的存储阵列，其特征在于，所述列选信号产生电路包括：第一延时电路、解码电路
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【技术特征摘要】
1.一种存储阵列，其特征在于，所述存储阵列包括读操作控制电路和多个半导体存储装置，所述读操作控制电路耦接所述多个半导体存储装置，
2.根据权利要求1所述的存储阵列，其特征在于，所述升压电路包括：第一电压比较器、第一反相器、第一传输门、第二传输门、第一晶体管、第一电容器、第一电阻器、第二电阻器、第三电阻器，
3.根据权利要求1或2所述的存储阵列，其特征在于，所述信号产生电路包括：列选信号产生电路、升压控制信号产生电路、次级放大信号产生电路，
4.根据权利要求3所述的存储阵列，其特征在于，所述列选信号产生电路包括：第一延时电路、解码电路，
5.根据权利要求3所述的存储阵列，其特征在于，所述升压控制信号产生电路包括：第二延时电路、第三延时电路、或门，
6.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：金峻虎，郭澳飞，
申请(专利权)人：浙江力积存储科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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