【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于六方氮化硼片晶制备领域，具体涉及一种六方氮化硼片晶及其制备方法和应用。
技术介绍
1、六方氮化硼是一种重要的精细化工产品，具有高禁带、高温抗氧化性、高抗腐蚀性、高化学稳定性、低热膨胀系数、低介电常数和抗热冲击性等性能。由于六方氮化硼具有上述众多优异的性能，其在绝缘材料、耐高温材料、催化剂材料、陶瓷材料复合添加剂和耐高温电子元器件材料等方面的应用非常广泛。
2、六方氮化硼由于其类石墨的层状结构，易形成片状晶体。目前市场上六方氮化硼片晶产品d50多在8μm以上，d50为1～4μm的六方氮化硼片晶价格高昂，不适合工业批量生产应用。相比于大粒径六方氮化硼，小粒径六方氮化硼具有比表面积大、填充量高等特点，更小的粒径和更薄的片层结构，在导热领域，可显示出六方氮化硼材料优异的本征导热率，形成良好的导热通路，降低界面热阻，提升导热性能；在润滑领域，小粒径的六方氮化硼呈现出更低的摩擦系数，更高的摩擦性能；除此之外，小粒径六方氮化硼在陶瓷、化妆品、电子等领域具有良好的应用潜能。
3、适用于大规模合成小粒径氮化硼的方法主要有球磨法、超声剥片法等。但是，在球磨过程中磨球的撞击不仅会使晶体发生破碎，引起晶体缺陷，形貌不规则，而且温度急剧升高造成的团聚，导致导热性能损失；而超声剥片法效率较低、损失率高。
4、小粒径六方氮化硼片晶具有更优异的性能，因此，有必要提供一种制备小粒径六方氮化硼片晶的新方法。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种六方氮化硼片晶，具有d5
2、本专利技术还提供上述六方氮化硼片晶的制备方法和应用。
3、本专利技术第一方面提供一种六方氮化硼片晶，所述六方氮化硼片晶的d50为1～4μm，比表面积为12～20m2/g，导热率为0.9～1.1w·m-1·k-1。
4、如上所述的六方氮化硼片晶，所述六方氮化硼片晶中氮化硼的含量不低于99.0％，水溶性硼的含量不高于0.3％。
5、如上所述的六方氮化硼片晶，通过如下制备方法制备得到：
6、将d50为6～10μm的第一六方氮化硼片晶进行煅烧处理，所述煅烧处理在空气或氧气气氛下进行，煅烧温度为700～1000℃，煅烧时间为1～8h，得到粒径减小率不低于40％的第二六方氮化硼片晶；
7、使用酸洗液对第二六方氮化硼片晶进行酸洗，所述酸洗液中h+的浓度为0.1～5mol/l，所述酸洗液的温度为40～90℃，酸洗时间为0.5～5h，过滤得到d50为1～4μm第三六方氮化硼片晶；
8、使用去离子水对所述第三六方氮化硼片晶进行水洗，所述去离子水的温度为40～90℃，水洗时间为0.5～6h，过滤、干燥后得到六方氮化硼片晶。
9、本专利技术第二方面提供上述六方氮化硼片晶的制备方法，包括如下步骤：
10、将d50为6～10μm的第一六方氮化硼片晶进行煅烧处理，所述煅烧处理在空气或氧气气氛下进行，煅烧温度为700～1000℃，煅烧时间为1～8h，得到粒径减小率不低于40％的第二六方氮化硼片晶；
11、使用酸洗液对第二六方氮化硼片晶进行酸洗，所述酸洗液中h+的浓度为0.1～5mol/l，所述酸洗液的温度为40～90℃，酸洗时间为0.5～5h，过滤得到d50为1～4μm第三六方氮化硼片晶；
12、使用去离子水对所述第三六方氮化硼片晶进行水洗，所述去离子水的温度为40～90℃，水洗时间为0.5～6h，过滤、干燥后得到六方氮化硼片晶；
13、所述六方氮化硼片晶的d50为1～4μm，比表面积为12～20m2/g，导热率为0.9～1.1w·m-1.k-1。
14、如上所述的方法，所述酸洗液包括盐酸、硫酸、硝酸中的至少一种。
15、如上所述的方法，所述六方氮化硼片晶中氮化硼的含量不低于99.0％，水溶性硼的含量不高于0.3％。
16、如上所述的方法，所述六方氮化硼片晶的粒径减小率不低于50％。
17、如上所述的方法，所述六方氮化硼中总氮化硼损失率不高于15％。
18、如上所述的方法，所述煅烧处理在坩埚内进行，基于500ml的坩埚，所述第一六方氮化硼的质量为50～150g。
19、本专利技术第三方面提供上述六方氮化硼片晶在导热绝缘材料中的应用。
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1.一种六方氮化硼片晶，其特征在于，所述六方氮化硼片晶的D50为1～4μm，比表面积为12～20m2/g，导热率为0.9～1.1W·m-1·K-1。
2.根据权利要求1所述的六方氮化硼片晶，其特征在于，所述六方氮化硼片晶中氮化硼的含量不低于99.0％，水溶性硼的含量不高于0.3％。
3.根据权利要求1或2所述的六方氮化硼片晶，其特征在于，所述六方氮化硼片晶通过如下制备方法制备得到：
4.一种六方氮化硼片晶的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述酸洗液包括盐酸、硫酸、硝酸中的至少一种。
6.根据权利要求4或5所述的方法，其特征在于，所述六方氮化硼片晶中氮化硼的含量不低于99.0％，水溶性硼的含量不高于0.3％。
7.根据权利要求4或5所述的方法，其特征在于，所述六方氮化硼片晶的粒径减小率不低于50％。
8.根据权利要求4或5所述的方法，其特征在于，所述六方氮化硼中总氮化硼损失率不高于15％。
9.根据权利要求4～8任一项所述的方法，其特征在于
10.权利要求1～3任一项所述的六方氮化硼片晶或者权利要求4～9任一项所述的方法制备得到的六方氮化硼片晶在导热绝缘材料中的应用。
...【技术特征摘要】
1.一种六方氮化硼片晶，其特征在于，所述六方氮化硼片晶的d50为1～4μm，比表面积为12～20m2/g，导热率为0.9～1.1w·m-1·k-1。
2.根据权利要求1所述的六方氮化硼片晶，其特征在于，所述六方氮化硼片晶中氮化硼的含量不低于99.0％，水溶性硼的含量不高于0.3％。
3.根据权利要求1或2所述的六方氮化硼片晶，其特征在于，所述六方氮化硼片晶通过如下制备方法制备得到：
4.一种六方氮化硼片晶的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述酸洗液包括盐酸、硫酸、硝酸中的至少一种。
6.根据权利要求4...
【专利技术属性】
技术研发人员：张航振，齐永新，文凯深，龙刘扬，吕德斌，
申请(专利权)人：天元航材营口科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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