【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电路领域，进一步的涉及一种二级运放调压电路以及电子设备。
技术介绍
1、传统nmos差分输入二级运放要想增大输入共模电压范围，只能选择折叠式共源共栅(cacode)结构，由pmos与nmos共同作为输入，这种轨到轨输入折叠式共源共栅结构将会大大增大面积。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种二级运放调压电路以及电子设备，减少了电路面积以及功耗。
2、具体的，本专利技术的技术方案如下：
3、一种二级运放调压电路，包括：
4、第一电源、第二电源、第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管、第一开关、第二开关、第三开关、第四开关、第一电路以及第二电路；
5、所述第一场效应管的栅极与所述第一电源连接，所述第一场效应管的漏极连接所述第一电路的输入端，所述第一场效应管的源极与所述第一开关的一端连接，所述第一开关的另一端与所述第二电路的输入端连接；
6、所述第二场效应管的栅极与所述第二电源连接，所述第二场效应管的漏极连接所述第一电路的输入端，所述第二场效应管的源极与所述第二开关的一端连接，所述第二开关的另一端与所述第二电路的输入端连接；
7、所述第三场效应管的栅极与所述第一电源连接，所述第三场效应管的漏极连接所述第一电路的输入端，所述第三场效应管的源极与所述第三开关的一端连接，所述第三开关的另一端与所述第二电路的输入端连接；
8、所述第四场效应管的栅极与所述第二电源
9、相比传统方案仅仅增加了两个场效应管和四个开关，减少了电路面积以及功耗。
10、在一些实施方式中，
11、当所述二级运放调压电路处于增压状态时，所述第一开关和所述第二开关均闭合，所述第三开关和所述第四开关均断开，且所述第一场效应管和所述第二场效应管导通，所述增压状态为增大所述第一电源和所述第二电源的输入电压。
12、在一些实施方式中，
13、当所述二级运放调压电路处于增压状态时，所述第三开关和所述第四开关均闭合，所述第一开关和所述第二开关均断开，且所述第三场效应管和所述第四场效应管导通，所述增压状态为增大所述第一电源和所述第二电源的输入电压。
14、在一些实施方式中，所述第二电路包括：
15、第五场效应管，所述第五场效应管的栅极连接外部电源，所述第五场效应管的源极接地，所述第五场效应管的漏极分别与所述第一开关、所述第二开关、所述第三开关以及所述第四开关连接。
16、在一些实施方式中，所述第二电路还包括：
17、第六场效应管，所述第六场效应管的栅极连接所述外部电源，所述第六场效应管的源极接地，所述第六场效应管的漏极与所述第一电路的输入端连接。
18、在一些实施方式中，所述第一电路包括：
19、第七场效应管，所述第七场效应管的漏极连接第三电源，所述第七场效应管的源极分别连接第一场效应管和第三场效应管的漏极，所述第七场效应管的栅极连接所述第七场效应管的源极；
20、第八场效应管，所述第八场效应管的漏极连接所述第三电源，所述第八场效应管的源极连接所述第二场效应管的漏极，所述第八场效应管的栅极连接所述第七场效应管的栅极和源极。
21、在一些实施方式中，还包括：
22、第九场效应管，所述第九场效应管的漏极连接所述第三电源，所述第九场效应管的源极分别连接所述第六场效应管的漏极和所述第一电源，所述第七场效应管的栅极分别连接所述第四场效应管的漏极和所述第八场效应管的源极。
23、在一些实施方式中，所述第一场效应管和所述第二场效应管为n型场效应管；所述第三场效应管和所述第四场效应管为nt型场效应管。
24、在一些实施方式中，所述第七场效应管和所述第八场效应管为p型场效应管。
25、本专利技术还提供一种应用二级运放调压电路的电子设备，包括前述实施方式所述的二级运放调压电路。
26、与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：
27、增加第三场效应管、第四场效应管、第一开关、第二开关、第三开关以及第四开关，并当输入电压大于预设电压时，关闭第三开关和第四开关，使得第一场效应管和第二场效应管导通，增大共模电压范围；或，当输入电压不大于预设电压时，关闭第一开关和第二开关，使得第三场效应管和第四场效应管导通，增大共模电压范围。相比传统方案仅仅增加了两个场效应管和四个开关，减少了电路面积以及功耗。
28、附图说明
29、下面将以明确易懂的方式，结合附图说明优选实施方式，对本专利技术的上述特性、技术特征、优点及其实现方式予以进一步说明。
30、图1是本专利技术的一种二级运放调压电路的一个实施例的结构图；
31、图2是传统nmos管差分输入二级运放电路的结构图；
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1.一种二级运放调压电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的二级运放调压电路，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的二级运放调压电路，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的二级运放调压电路，其特征在于，所述第二电路包括：
5.根据权利要求4所述的二级运放调压电路，其特征在于，所述第二电路还包括：
6.根据权利要求5所述的二级运放调压电路，其特征在于，所述第一电路包括：
7.根据权利要求6所述的二级运放调压电路，其特征在于，还包括：
8.根据权利要求1-7任一项所述的二级运放调压电路，其特征在于，所述第一场效应管和所述第二场效应管为N型场效应管；所述第三场效应管和所述第四场效应管为NT型场效应管。
9.根据权利要求6所述的二级运放调压电路，其特征在于，所述第七场效应管和所述第八场效应管为P型场效应管。
10.一种应用二级运放调压电路的电子设备，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的二级运放调压电路。
【技术特征摘要】
1.一种二级运放调压电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的二级运放调压电路，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的二级运放调压电路，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的二级运放调压电路，其特征在于，所述第二电路包括：
5.根据权利要求4所述的二级运放调压电路，其特征在于，所述第二电路还包括：
6.根据权利要求5所述的二级运放调压电路，其特征在于，所述第一电路包括：
7.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：丁怡，
申请(专利权)人：普冉半导体上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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