本技术公开了一种反射式单刀四掷开关芯片，属于电子通信技术领域。该开关芯片包括四条电路，四条电路的输入端均与射频端口IN连接，四条电路的输出端分别为射频输出端口。本技术采用GaAs FET开关，相比PIN开关具有偏置网络简单、控制电流小、驱动电路简化、开关速度快等优势，且性能比较高，使用非常方便；同时，本技术中，频率范围覆盖DC‑20GHz，输入/输出端口匹配阻抗为50Ω。
【技术实现步骤摘要】
本技术属于电子通信，具体涉及应用于开关滤波器组中的一种反射式单刀四掷开关芯片。
技术介绍
1、射频开关是当前通信系统的重要组成部分，是用于控制射频信号传输路径及信号大小的控制器件之一，广泛应用于微波通信、雷达系统、电子对抗等众多领域。随着无线通信系统的快速发展，对收发切换开关的开关速度、功率容量、集成性等方面有了更高的要求。
2、如何使射频开关在相对较宽的工作带宽内保持低插损及合适的隔离度是现在亟需解决的问题。
技术实现思路
1、针对
技术介绍
中提出的问题，本技术提供了一种反射式单刀四掷开关芯片。
2、本技术采用的技术方案如下：
3、一种反射式单刀四掷开关芯片，其特征在于，包括四条电路，四条电路的输入端均与射频端口in连接，四条电路的输出端分别连接射频端口out1、射频端口out2、射频端口out3和射频端口out4。
4、所述电路，包括依次连接的场效应管sw1、场效应管sw2、微带线tl1、场效应管sw3、场效应管sw4、场效应管sw5、微带线tl2、场效应管sw6；
5、以及依次连接的场效应管sw7、场效应管sw8、微带线tl3、场效应管sw9；
6、以及依次连接的场效应管sw10、场效应管sw11、微带线tl4、场效应管sw12、场效应管sw13、场效应管sw14、微带线tl5、场效应管sw15；
7、以及依次连接的场效应管sw16、场效应管sw17、微带线tl6、场效应管sw18。
>8、所述微带线tl1一端与场效应管sw2相连，另一端与场效应管sw3、场效应管sw4和场效应管sw7相连；所述微带线tl2一端连接场效应管sw5，另一端连接场效应管sw6；所述微带线tl3一端连接场效应管sw8，另一端连接场效应管sw9；所述微带线tl4一端与场效应管sw11相连，另一端与场效应管sw12、场效应管sw13和场效应管sw16相连；所述微带线tl5一端连接场效应管sw5，另一端连接场效应管sw6；所述微带线tl6一端连接场效应管sw17，另一端连接场效应管sw18。9、所述场效应管sw1的栅极通过电阻r1连接到vc1端；所述场效应管sw2、场效应管sw3的栅极分别通过电阻r2、电阻r3连接到vc2端；所述场效应管sw4的栅极通过电阻r4连接到vc3端；所述场效应管sw5、场效应管sw6的栅极分别通过电阻r5、电阻r6连接到vc4端；所述场效应管sw7的栅极通过电阻r7连接到vc5端；所述场效应管sw8、场效应管sw9的栅极分别通过电阻r8、电阻r9连接到vc6端；所述场效应管sw10的栅极通过电阻r10连接到vc2端；所述场效应管sw11、场效应管sw12的栅极分别通过电阻r11、电阻r12连接到vc1端；所述场效应管sw13的栅极通过电阻r13连接到vc7端；所述场效应管sw14、场效应管sw15的栅极分别通过电阻r14、电阻r15连接到vc8端；所述场效应管sw16的栅极通过电阻r16连接到vc9端；所述场效应管sw17、场效应管sw18的栅极分别通过电阻r17、电阻r18连接到vc10端。
10、场效应管sw2、场效应管sw3、场效应管sw5、场效应管sw6、场效应管sw8、场效应管sw9、场效应管sw11、场效应管sw12、场效应管sw14、场效应管sw15、场效应管sw17、场效应管sw18源极均接地。
11、进一步地，场效应管sw1、场效应管sw2、场效应管sw3、场效应管sw4、场效应管sw5、场效应管sw6、场效应管sw7、场效应管sw8、场效应管sw9、场效应管sw10、场效应管sw11、场效应管sw12、场效应管sw13、场效应管sw14、场效应管sw15、场效应管sw16、场效应管sw17和场效应管sw18，均采用-5v/0v电平逻辑控制。
12、进一步地，所述射频端口in、输出端口out1、输出端口out2、输出端口out3、输出端口out4均匹配50ω阻抗。
13、与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术公开了一种反射式单刀四掷开关芯片，采用gaas fet开关，相比pin开关具有偏置网络简单、控制电流小、驱动电路简化、开关速度快等优势，且性能比较高，使用非常方便；本技术中，频率范围覆盖dc-20ghz，输入/输出端口匹配阻抗为50ω。
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【技术保护点】
1.一种反射式单刀四掷开关芯片，其特征在于，包括四条电路，四条电路的输入端均与射频端口IN连接，四条电路的输出端分别连接射频端口OUT1、射频端口OUT2、射频端口OUT3和射频端口OUT4；
2.如权利要求1所述的一种反射式单刀四掷开关芯片，其特征在于，场效应管SW1、场效应管SW2、场效应管SW3、场效应管SW4、场效应管SW5、场效应管SW6、场效应管SW7、场效应管SW8、场效应管SW9、场效应管SW10、场效应管SW11、场效应管SW12、场效应管SW13、场效应管SW14、场效应管SW15、场效应管SW16、场效应管SW17和场效应管SW18，均采用-5V/0V电平逻辑控制。
3.如权利要求1或2所述的一种反射式单刀四掷开关芯片，其特征在于，所述射频端口IN、输出端口OUT1、输出端口OUT2、输出端口OUT3、输出端口OUT4均匹配50Ω阻抗。
【技术特征摘要】
1.一种反射式单刀四掷开关芯片，其特征在于，包括四条电路，四条电路的输入端均与射频端口in连接，四条电路的输出端分别连接射频端口out1、射频端口out2、射频端口out3和射频端口out4；
2.如权利要求1所述的一种反射式单刀四掷开关芯片，其特征在于，场效应管sw1、场效应管sw2、场效应管sw3、场效应管sw4、场效应管sw5、场效应管sw6、场效应管sw7、场效应管sw8、...
【专利技术属性】
技术研发人员：石彪，刘成，吴庆富，李元勋，张怀武，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：新型
国别省市：
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