【技术实现步骤摘要】
本技术涉及晶圆加工设备，尤其涉及一种锁定室及离子注入系统。
技术介绍
1、离子注入机是将可控制数量的杂质离子掺入到半导体内，从而改变器件电学性能的技术，在现有的离子注入机中，多处部件由石墨包裹，离子束轰击在石墨上，容易引起颗粒污染物的产生；另外晶圆表面的光阻材料在离子束的轰击下也容易剥落。颗粒污染物若随离子束注入到晶圆表面，会影响离子注入的稳定性和均匀性，造成芯片良率性能的损失。尤其在某些特定诸如制程(比如碳/锗离子注入)，在离子源中碳/锗在解离的过程中极易吸附在腔壁上形成颗粒污染物，因此注入机的颗粒污染物是不断累积的，目前针对于离子注入机的颗粒污染物清洗，主要是在设备进行预防保养时，开腔对机台进行人工清洗，之后使用整盒挡片来进行循环过程，流程较为复杂，复机时间较长。因此需要一种设备，在日常维护中机台闲置时，就可以随时进行机台的颗粒污染物清洗，从而提高机台的利用率。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种锁定室及离子注入系统，通过在锁定室内增设第二腔室用于长期存储挡片，将挡片从第二腔室内传出或传入，以完成清洗时附着颗粒污染物或对挡片进行存储，无需开腔对机台进行人工清洗。
2、为实现上述目的，本技术提供了一种锁定室，用于存储晶圆，包括隔离部，所述锁定室内设所述隔离部，以将所述锁定室的内腔分隔为相分离的第一腔室和第二腔室，其中，所述第一腔室被设置为能够放置n个晶圆，所述第二腔室被设置为能够放置m个挡片，n和m均为正整数；
3、所述卡盘和所述机械臂均设于机台内
4、可选的，所述第一腔室内设有至少一个第一承托部，所述第一承托部用于承托所述晶圆，其中，所述第一承托部的数量与所述晶圆的数量一致。
5、可选的，所述第二腔室内设有至少一个第二承托部，所述第二承托部用于承托所述挡片，其中，所述第二承托部的数量与所述挡片的数量一致。
6、可选的，所述挡片的数量为两个，两个所述挡片在竖直方向上排布。
7、可选的，所述晶圆的数量为二十五个，二十五个所述晶圆在竖直方向上排布。
8、可选的，所述第一腔室设于所述第二腔室的上方或下方或中部。
9、可选的，所述锁定室上设有与所述第一腔室连通的第一通孔、滑动设于所述锁定室上且可覆盖所述第一通孔的第一封堵门，以及设于所述锁定室上的驱动装置，所述驱动装置的驱动端与所述第一封堵门连接。
10、可选的，所述锁定室上设有与所述第二腔室连通的第二通孔，以及滑动设于所述锁定室上且可覆盖所述第二通孔的第二封堵门。
11、可选的，还包括设于所述锁定室上的驱动部，其中，所述驱动部的驱动端与所述第二封堵门连接。
12、为实现上述目的，本技术还提供了一种离子注入系统，包括机台、卡盘、机械臂、清洗部和离子注入源，以及所述的锁定室，所述锁定室包括用于放置挡片的第二腔室，其中：
13、所述卡盘和所述机械臂均设于机台内，且所述机械臂用于运载所述挡片在所述卡盘与所述第二腔室之间传输，以及用于运载所述挡片在所述清洗部和所述第二腔室之间传输。
14、本技术的有益效果如下：
15、本技术在锁定室内增设第二腔室用于长期存储挡片，清洗时形成的高散发度离子束，轰击机台内壁长期积累的颗粒污染物，颗粒污染物从机台内壁脱离并随着离子束注入到挡片表面；清洗后，将注入有颗粒污染物的挡片传入到第二腔室内存储，这样可以避免开腔对设备进行人工清洗，并且该设备在日常维护中机台闲置时，就可以随时进行机台的颗粒污染物清洗，从而提高了机台的利用率。
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1.一种锁定室，用于存储晶圆，其特征在于，包括隔离部，所述锁定室内设所述隔离部，以将所述锁定室的内腔分隔为相分离的第一腔室和第二腔室，其中，所述第一腔室被设置为能够放置N个晶圆，所述第二腔室被设置为能够放置M个挡片，N和M均为正整数。
2.根据权利要求1所述的锁定室，其特征在于，所述第一腔室内设有至少一个第一承托部，所述第一承托部用于承托所述晶圆，其中，所述第一承托部的数量与所述晶圆的数量一致。
3.根据权利要求1所述的锁定室，其特征在于，所述第二腔室内设有至少一个第二承托部，所述第二承托部用于承托所述挡片，其中，所述第二承托部的数量与所述挡片的数量一致。
4.根据权利要求1所述的锁定室，其特征在于，所述挡片的数量为两个，两个所述挡片在竖直方向上排布。
5.根据权利要求1所述的锁定室，其特征在于，所述晶圆的数量为二十五个，二十五个所述晶圆在竖直方向上排布。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的锁定室，其特征在于，所述第一腔室设于所述第二腔室的上方或下方或中部。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的锁定室，其特
8.根据权利要求7所述的锁定室，其特征在于，所述锁定室上设有与所述第二腔室连通的第二通孔，以及滑动设于所述锁定室上且可覆盖所述第二通孔的第二封堵门。
9.根据权利要求8所述的锁定室，其特征在于，还包括设于所述锁定室上的驱动部，其中，所述驱动部的驱动端与所述第二封堵门连接。
10.一种离子注入系统，其特征在于，包括机台、卡盘、机械臂、清洗部和离子注入源，以及如权利要求1至9中任一项所述的锁定室，所述锁定室包括用于放置挡片的第二腔室，其中：
...【技术特征摘要】
1.一种锁定室，用于存储晶圆，其特征在于，包括隔离部，所述锁定室内设所述隔离部，以将所述锁定室的内腔分隔为相分离的第一腔室和第二腔室，其中，所述第一腔室被设置为能够放置n个晶圆，所述第二腔室被设置为能够放置m个挡片，n和m均为正整数。
2.根据权利要求1所述的锁定室，其特征在于，所述第一腔室内设有至少一个第一承托部，所述第一承托部用于承托所述晶圆，其中，所述第一承托部的数量与所述晶圆的数量一致。
3.根据权利要求1所述的锁定室，其特征在于，所述第二腔室内设有至少一个第二承托部，所述第二承托部用于承托所述挡片，其中，所述第二承托部的数量与所述挡片的数量一致。
4.根据权利要求1所述的锁定室，其特征在于，所述挡片的数量为两个，两个所述挡片在竖直方向上排布。
5.根据权利要求1所述的锁定室，其特征在于，所述晶圆的数量为二十五个，二十五个所述晶圆在竖直方向上排布。
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【专利技术属性】
技术研发人员：戴玉伟，马超，焦圣杰，
申请(专利权)人：芯恩青岛集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：
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