【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开大体上涉及存储器，且更特定来说，涉及与具有晶片上晶片接合的存储器裸片及逻辑裸片的形成相关联的设备及方法。
技术介绍
1、存储器装置通常被提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，其包含易失性及非易失性存储器。易失性存储器需要电力来维持其数据且包含随机存取存储器(ram)、动态随机存取存储器(dram)及同步动态随机存取存储器(sdram)等。非易失性存储器可通过在未被供电时保存所存储数据来提供持久数据且可包含nand快闪存储器、nor快闪存储器、只读存储器(rom)、电可擦除可编程rom(eeprom)、可擦除可编程rom(eprom)及电阻可变存储器(例如相变随机存取存储器(pcram))、电阻性随机存取存储器(rram)及磁阻随机存取存储器(mram)等。
2、存储器还用作各种电子应用的易失性及非易失性数据存储装置，所述应用包含(但不限于)个人计算机、便携式记忆棒、数码相机、蜂窝电话、例如mp3播放器的便携式音乐播放器、电影播放器及其它电子装置中。存储器单元可布置成阵列，其中阵列用于存储器装置中。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：在将所述第一金属垫的所述子集接合到所述第二金属垫的所述子集之前，在所述第一晶片上形成所述多个存储器装置。
3.根据权利要求1至2中任一权利要求所述的方法，其进一步包括：在将所述第一金属垫的所述子集接合到所述第二金属垫的所述子集之前，在所述第二晶片上形成所述多个逻辑装置。
4.根据权利要求1至2中任一权利要求所述的方法，其中将所述第一金属垫的所述子集接合到所述第二金属垫的所述子集包括将所述多个存储器装置中的每一者的相应输入/输出(IO)线耦合到所述多个逻辑装置中的相应者的IO线。
5.根据权利要求1至2中任一权利要求所述的方法，其中形成所述多个第一金属垫包括在所述多个存储器装置上形成存储器到逻辑电路系统。
6.根据权利要求5所述的方法，其中形成所述存储器到逻辑电路系统进一步包括将所述存储器装置的多个局部输入/输出(LIO)线耦合到所述第一金属垫的所述子集及所述第一金属垫的不同子集，
7.根据权利要求1至2中任一权利要求所述的方法，其中形成所述多
8.根据权利要求1至2中任一权利要求所述的方法，其中将所述第一金属垫的所述子集接合到所述第二金属垫的所述子集包括接合，使得所述第一晶片上的所述多个存储器装置中的四者与所述第二晶片上的所述多个逻辑装置中的相应者对准且耦合到所述相应者，
9.一种方法，其包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：在形成所述晶片上晶片接合之前，定位所述第一晶片及所述第二晶片使得所述存储器裸片及所述逻辑裸片呈面对面布置；及
11.根据权利要求9至10中任一权利要求所述的方法，其中形成所述晶片上晶片接合包括形成与所述存储器裸片及所述逻辑裸片接触的金属材料。
12.根据权利要求11所述的方法，其中形成所述晶片上晶片接合进一步包括使所述金属材料退火。
13.根据权利要求11所述的方法，其中形成所述晶片上晶片接合进一步包括在室温下将所述金属材料接合到所述存储器裸片及所述逻辑裸片。
14.根据权利要求9至10中任一权利要求所述的方法，其中形成所述晶片上晶片接合包括将所述逻辑裸片的第一金属材料接合到所述存储器裸片的第二金属材料。
15.根据权利要求14所述的方法，其中接合所述第一金属材料及所述第二金属材料包括经由热工艺将所述第一金属材料及所述第二金属材料合并成与所述存储器裸片及所述逻辑裸片接触的第三金属材料。
16.一种方法，其包括：
17.根据权利要求16所述的方法，其进一步包括：在通信地耦合所述第一存储器裸片及所述第二存储器裸片之前：
18.根据权利要求17所述的方法，其进一步包括：
19.根据权利要求17至18中任一权利要求所述的方法，其进一步包括：从存储器裸片池选择所述第一存储器裸片及所述第二存储器裸片。
20.一种方法，其包括：
21.根据权利要求20所述的方法，其中形成所述晶片上晶片接合包括：使耦合到所述多个逻辑装置的所述第二晶片的多个垫与所述第一晶片的多个收发器对准。
22.根据权利要求20至21中任一权利要求所述的方法，其中形成所述晶片上晶片接合包括形成与所述多个存储器装置及所述多个逻辑装置接触的金属材料。
23.一种方法，其包括：
24.根据权利要求23所述的方法，其进一步包括在所述衬底上形成所述多个凸块触点作为球栅阵列(BGA)。
25.根据权利要求23至24中任一权利要求所述的方法，其中接合所述存储器裸片堆叠及接合所述逻辑裸片包括：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：在将所述第一金属垫的所述子集接合到所述第二金属垫的所述子集之前，在所述第一晶片上形成所述多个存储器装置。
3.根据权利要求1至2中任一权利要求所述的方法，其进一步包括：在将所述第一金属垫的所述子集接合到所述第二金属垫的所述子集之前，在所述第二晶片上形成所述多个逻辑装置。
4.根据权利要求1至2中任一权利要求所述的方法，其中将所述第一金属垫的所述子集接合到所述第二金属垫的所述子集包括将所述多个存储器装置中的每一者的相应输入/输出(io)线耦合到所述多个逻辑装置中的相应者的io线。
5.根据权利要求1至2中任一权利要求所述的方法，其中形成所述多个第一金属垫包括在所述多个存储器装置上形成存储器到逻辑电路系统。
6.根据权利要求5所述的方法，其中形成所述存储器到逻辑电路系统进一步包括将所述存储器装置的多个局部输入/输出(lio)线耦合到所述第一金属垫的所述子集及所述第一金属垫的不同子集，
7.根据权利要求1至2中任一权利要求所述的方法，其中形成所述多个第二金属垫包括在所述多个逻辑装置上形成逻辑到存储器电路系统。
8.根据权利要求1至2中任一权利要求所述的方法，其中将所述第一金属垫的所述子集接合到所述第二金属垫的所述子集包括接合，使得所述第一晶片上的所述多个存储器装置中的四者与所述第二晶片上的所述多个逻辑装置中的相应者对准且耦合到所述相应者，
9.一种方法，其包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：在形成所述晶片上晶片接合之前，定位所述第一晶片及所述第二晶片使得所述存储器裸片及所述逻辑裸片呈面对面布置；及
11.根据权利要求9至10中任一权利要求所述的方法，其中形成所述晶片上晶片接合包括形成与所述存储器...
【专利技术属性】
技术研发人员：K·R·帕雷克，S·S·艾勒特，A·T·扎伊迪，G·E·胡申，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：
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