【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于制造芯片卡模块的方法以及通过所述方法获得的芯片卡模块。更一般地说,本专利技术涉及将至少一个部件集成到芯片卡模块的印刷电路的厚度中的所述模块的制造。
技术介绍
1、在芯片卡的领域中,卡的模块由其上连接有集成电路(也称为“芯片”)的接触栅网组成,所述模块插入到卡中,以使得集成电路处于所述卡内部,其中各接触与卡的表面齐平。接触栅网是根据单表面或双表面柔性印刷电路制造技术实现的,双表面柔性印刷电路的一个被蚀刻表面对应于接触栅网,并且另一个表面用以容纳芯片并且将其连接到接触栅网。根据使用利用金引线进行的连接的技术(以英语术语“wire-bonding(布线接合)”而更为熟知)或根据将翻转的芯片直接接合在印刷电路上的技术(以英语术语“flip-chip(倒装芯片)”而更为熟知),芯片被连接到印刷电路。一旦芯片被连接,芯片就被根据准许控制树脂厚度的技术由树脂覆盖以便对其进行保护。这样实现的模块对应于在与接触栅网相对的表面的中心处具有300至400微米量级的突起的具有介于150和200微米之间的厚度的印刷电路的矩形片件。
< ...【技术保护点】
1.一种用于制造芯片卡模块的方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
2.如权利要求1所述的用于制造芯片卡模块的方法,其中沉积第一和第二导电层(50)的步骤是同时实现的,并且包括:在第一电介质材料层上并且在开口中沉积起底导体材料的步骤;以及随后的电沉积铜的步骤。
3.如权利要求1所述的用于制造芯片卡模块的方法,其中沉积第一导电层的步骤是通过在热轧步骤之前沉积第二金属片材(51)完成的,并且实现开口的步骤同时在第一电介质材料层(30)中和第二金属片材(51)中实现开口(40)。
4.如前述权利要求之一所述的用于制造芯片卡模块的方法,其
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于制造芯片卡模块的方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
2.如权利要求1所述的用于制造芯片卡模块的方法,其中沉积第一和第二导电层(50)的步骤是同时实现的,并且包括:在第一电介质材料层上并且在开口中沉积起底导体材料的步骤;以及随后的电沉积铜的步骤。
3.如权利要求1所述的用于制造芯片卡模块的方法,其中沉积第一导电层的步骤是通过在热轧步骤之前沉积第二金属片材(51)完成的,并且实现开口的步骤同时在第一电介质材料层(30)中和第二金属片材(51)中实现开口(40)。
4.如前述权利要求之一所述的用于制造芯片卡模块的方法,其中通过激光完成实现开口的步骤。
5.如前述权利要求之一所述的用于制造芯片卡模块的方法,其中电介质材料(30)选择自以下材料之一:聚酯、环氧树脂、聚酰亚胺。
6.如前述权利要求之一所述的用于制造芯片卡模块的方法,其中第一电介质材料层(30)是以液相或糊状相部署的热固性材料,并且其中所述方法包括进行热轧以便使第一电介质材料层平坦并且使第一电介质材料层固化的步骤。
7.如前述权利要求所述的用于制造芯片卡模块的方法,其中借助于具有对压制高度的控制的压机来实现热轧步骤。
8.如...
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