【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，具体涉及一种阵列基板和显示面板。
技术介绍
1、在传统的阵列基板中，像素电极和半导体层设置在栅极绝缘层的上表面，第二金属层的一部分搭接于像素电极的上表面，第二金属层的另一部分搭接于半导体层的上表面。
2、在传统阵列基板的制程步骤中，在形成第二金属层之前，需对像素电极进行图案化。像素电极图案化过程中所使用的刻蚀液会对半导体层的材料腐蚀和破坏，影响半导体层与漏极接触的表面的平整度，造成半导体层与漏极欧姆接触的特性不佳，导致薄膜晶体管(thin film transistor，tft)器件的寄生电阻增大，使得tft器件的开态电流降低。
3、故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种阵列基板和显示面板，减小了像素电极图案化过程中对半导体层的影响，提高了tft器件的开态电流。
2、为解决上述问题，本申请的技术方案如下：
3、本申请提出了一种阵列基板，包括：
4、衬底；
5、第一金属层，设于所述衬底上；
6、栅极绝缘层，设于所述衬底上，并覆盖所述第一金属层；
7、半导体层，设于所述栅极绝缘层上；
8、第二金属层，包括间隔设置的第一电极和第二电极，其中，所述第一电极设于所述半导体层上，所述第二电极的一部分设于所述半导体层上，所述第二电极的另一部分设于所述栅极绝缘层上；
9、第一透明电极，与所述第二电极的外侧表
10、钝化层，设于所述栅极绝缘层上，并覆盖所述半导体层、所述第二金属层和所述第一透明电极；和
11、第二透明电极，设于所述钝化层上，所述第二透明电极的至少部分与所述第一透明电极重叠设置。
12、在本申请的一实施例中，所述半导体层包括：
13、沟道部，设于所述栅极绝缘层上；
14、第一掺杂部，位于所述沟道部的一侧，所述第一电极设于所述第一掺杂部上；和
15、第二掺杂部，位于所述沟道部的另一侧，所述第二电极覆盖所述第二掺杂部的外表面；
16、其中，所述第一透明电极在所述衬底上的正投影的至少部分位于所述第二掺杂部在所述衬底上的正投影的外侧。
17、在本申请的一实施例中，所述第二电极包括：
18、第一金属部，覆盖所述第二掺杂部的上表面；和
19、第二金属部，与所述第一金属部连接，并覆盖第二掺杂部的侧面；
20、其中，所述第一透明电极的至少部分设于所述栅极绝缘层上，所述第一透明电极与所述第一金属部、所述第二金属部两者中的至少一者搭接。
21、在本申请的一实施例中，所述第一透明电极的第一部分设于所述栅极绝缘层上，所述第一透明电极的第二部分设于所述第二金属部远离所述半导体层的一表面。
22、在本申请的一实施例中，所述第一透明电极的第三部分设于所述第一金属部的上表面；
23、其中，所述第一透明电极在所述衬底上的正投影位于所述沟道部在所述衬底上的正投影的外侧。
24、在本申请的一实施例中，所述第二电极包括：
25、第一金属部，覆盖所述第二掺杂部的上表面；
26、第二金属部，与所述第一金属部连接，并覆盖第二掺杂部的侧面；和
27、第三金属部，设于所述栅极绝缘层上，所述第三金属部与所述第二金属部远离所述第一金属部的一侧连接；
28、其中，所述第一透明电极的至少部分设于所述栅极绝缘层上，所述第一透明电极与所述第一金属部、所述第二金属部两者中的至少一者搭接。
29、在本申请的一实施例中，所述第一透明电极的第一部分设于所述栅极绝缘层上，所述第一透明电极的第二部分设于所述第三金属部的上表面。
30、在本申请的一实施例中，所述第一透明电极的第三部分设于所述第二金属部远离所述半导体层的一表面。
31、在本申请的一实施例中，所述第一透明电极的第四部分设于所述第一金属部的上表面；
32、其中，所述第一透明电极在所述衬底上的正投影位于所述沟道部在所述衬底上的正投影的外侧。
33、本申请提出了一种显示面板，显示面板包括阵列基板，阵列基板包括衬底；第一金属层，设于所述衬底上；栅极绝缘层，设于所述衬底上，并覆盖所述第一金属层；半导体层，设于所述栅极绝缘层上；第二金属层，包括间隔设置的第一电极和第二电极，其中，所述第一电极设于所述半导体层上，所述第二电极的一部分设于所述半导体层上，所述第二电极的另一部分设于所述栅极绝缘层上；第一透明电极，与所述第二电极的外表面搭接；钝化层，设于所述栅极绝缘层上，并覆盖所述半导体层、所述第二金属层和所述第一透明电极；第二透明电极，设于所述钝化层上，所述第二透明电极的至少部分与所述第一透明电极重叠设置。
34、在本申请中，通过调换传统阵列基板制程中第二金属层和像素电极的成膜顺序，在制作像素电极之前，形成覆盖在半导体层外表面的第二金属层。在第一透明电极图案化的过程中，由于第二金属层覆盖在半导体层的外表面，第一透明电极图案化过程中所使用的刻蚀液被覆盖在半导体层外表面的第二金属层阻挡，刻蚀液不会作用于半导体层与第二金属层的接触界面，防止半导体层与第二金属层的接触界面被刻蚀液腐蚀。本申请通过先沉积第二金属层，使第二金属层与半导体层之间形成较好的接触界面，再沉积第一透明电极，此时，第一透明电极既可以与第二金属层连接，又不影响第二金属层与半导体层的接触界面，使半导体层与第二电极的欧姆接触良好，降低了tft器件的寄生电阻，提高了tft器件的开态电流。
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1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体层包括：
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电极包括：
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一透明电极的第一部分设于所述栅极绝缘层上，所述第一透明电极的第二部分设于所述第二金属部远离所述半导体层的一表面。
5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一透明电极的第三部分设于所述第一金属部的上表面；
6.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电极包括：
7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一透明电极的第一部分设于所述栅极绝缘层上，所述第一透明电极的第二部分设于所述第三金属部的上表面。
8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一透明电极的第三部分设于所述第二金属部远离所述半导体层的一表面。
9.如权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第一透明电极的第四部分设于所述第一金属部的上表面；
10.一种显示面板，其特征在
...【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体层包括：
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电极包括：
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一透明电极的第一部分设于所述栅极绝缘层上，所述第一透明电极的第二部分设于所述第二金属部远离所述半导体层的一表面。
5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一透明电极的第三部分设于所述第一金属部的上表面；
6.如权利要求2所述的阵列基板，...
【专利技术属性】
技术研发人员：乔磊，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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