一种存内异或运算单元制造技术

本发明专利技术公开了一种存内异或运算单元，包括：包括：NMOS管N1、NMOS管N2、NMOS管N3、NMOS管N4、PMOS管P1、PMOS管P2、反相器I1以及反相器I2；I1的输入端和I2的输出端连接于存储节点Q，I1的输出端与I2的输入端连接于存储点QB；N1和N2的栅极均连接字线WL，N1和N2的漏极分别连接至存储节点Q和存储节点QB，N1和N2的源极分别连接位线BL和位线BLB；P1的栅极、P 2的源极、N4的源极以及N3的栅极均连接异或操作线A；P1的源极与P2的栅极均连接至存储节点Q；所述N4的栅极与N3的源极均连接至存储节点QB；所述P1的漏极、P 2的漏极、N4的漏极以及N3的漏极均连接至输出节点S，本发明专利技术利用了原SRAM单元中电路和额外的4个晶体管实现了存内异或运算，减小了额外功耗和面积。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于内存计算，尤其涉及一种存内异或运算单元。

技术介绍

1、当前存内计算系统中，绝大多数设计只能实现mac计算功能。然而，异或运算也在神经网络运算中占据重要地位。当这些存算系统需要进行异或运算时，不得不在存储器外，使用运算器中的单独异或门单元进行运算，造成了功耗和运算时间的损失，也消耗了存内计算带来的功耗和面积优势。

技术实现思路

1、为了解决现有技术存在的问题，本专利技术提供了一种存内异或运算单元及系统，能够使得异或运算在sram存储器内实现。

2、本专利技术所要解决的技术问题是通过以下技术方案实现的：

3、一种存内异或运算单元，包括：nmos管n1、nmos管n2、nmos管n3、nmos管n4、pmos管p1、pmos管p2、反相器i1以及反相器i2；

4、所述反相器i1的输入端和反相器i2的输出端连接于存储节点q，所述反相器i1的输出端与反相器i2的输入端连接于存储点qb；

5、所述nmos管n1和nmos管n2的栅极均连接字线wl，所述nmo本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存内异或运算单元，其特征在于，包括：NMOS管N1、NMOS管N2、NMOS管N3、NMOS管N4、PMOS管P1、PMOS管P2、反相器I1以及反相器I2；

2.根据权利要求1所述的一种存内异或运算单元，其特征在于，所述位线BL和位线BLB用于加载权重数据。

3.根据权利要求1所述的一种存内异或运算单元，其特征在于，所述字线WL用于加载写使能信号。

4.根据权利要求1所述的一种存内异或运算单元，其特征在于，所述存储节点Q用于加载第一异或运算操作数。

5.根据权利要求1所述的一种存内异或运算单元，其特征在于，所述异或操作线A用于加载...

【技术特征摘要】

1.一种存内异或运算单元，其特征在于，包括：nmos管n1、nmos管n2、nmos管n3、nmos管n4、pmos管p1、pmos管p2、反相器i1以及反相器i2；

2.根据权利要求1所述的一种存内异或运算单元，其特征在于，所述位线bl和位线blb用于加载权重数据。

3.根据权利要求1所述的一种存内异或运算单元，其特征在于，所述字线wl...

【专利技术属性】
技术研发人员：周玉梅，李晓峰，乔树山，尚德龙，
申请(专利权)人：中科南京智能技术研究院，
类型：发明
国别省市：