【技术实现步骤摘要】
本公开涉及但不限于一种数据采样电路、延时检测电路及存储器。
技术介绍
1、随着集成电路技术的发展，芯片频率需要越来越高，以提高芯片的运行速度。然而，随着芯片频率的提高，芯片中信号的时序会变得更加难以控制，进而会影响到芯片的正常运行。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例提供了一种数据采样电路、延时检测电路及存储器，能够使得第一信号和第二信号的相对时延保持稳定，避免采样失效。
2、本公开实施例的技术方案是这样实现的：
3、本公开实施例提供了一种数据采样电路，所述数据采样电路包括：第一信号路径，被配置为接收第一信号，将所述第一信号处理并传输；所述第一信号路径具有第一延时；所述第一延时包括：第一物理延时和补偿延时；第二信号路径，被配置为接收第二信号，以及从所述第一信号路径接收处理后的所述第一信号，根据处理后的所述第一信号对所述第二信号进行采样。
4、上述方案中，所述第一信号路径包括：主路径，被配置为处理并传输所述第一信号；所述主路径具有所述第一物理延时；补偿单元，耦接于所述主路径，被配置为从补偿控制器接收至少一个补偿信号，响应于至少一个所述补偿信号，生成所述补偿延时；至少一个所述补偿信号是根据工艺角、电压条件和/或温度条件而得到的。
5、上述方案中，所述补偿控制器包括：温度感测器；至少一个所述补偿信号包括：至少一个温度补偿信号；至少一个所述温度补偿信号，是所述温度感测器根据所述温度条件而得到的。
6、上述方案中，所述补偿单元
7、上述方案中，每个所述第一负载电容包括：输入子单元，被配置为接收所述补偿信号，基于所述补偿信号生成两个控制信号；电容子单元，连接所述输入子单元，被配置为受到所述两个控制信号的触发而激活，改变所述第一负载电容的电容值。
8、上述方案中，所述输入子单元包括：第一反相器，被配置为接收所述补偿信号，输出所述两个控制信号中的第一控制信号；第二反相器，所述第二反相器的输入端连接所述第一反相器的输出端，所述第二反相器被配置为输出所述两个控制信号中的第二控制信号。
9、上述方案中，所述电容子单元包括：第一mos管，所述第一mos管的源极和漏极均连接所述第一反相器的输出端；第二mos管，所述第二mos管的源极和漏极均连接所述第二反相器的输出端，所述第二mos管的栅极连接所述第一mos管的栅极并共同作为所述第一负载电容的所述负载连接端；所述第二mos管的类型和所述第一mos管的类型相反。
10、上述方案中，所述第一信号为数据选通信号，所述第二信号为数据信号。
11、本公开实施例还提供了一种延时检测电路，所述延时检测电路包括：模拟单元，被配置为模拟第一信号路径的第一延时，生成待测延时；所述第一延时包括：第一物理延时和补偿延时；计数单元，耦接所述模拟单元，被配置为统计所述模拟单元对应的待测参数，以计算所述待测延时的延时量。
12、上述方案中，所述模拟单元包括：环形振荡路径，被配置为模拟所述第一物理延时；所述待测参数包括所述环形振荡路径对应的振荡周期数；补偿模拟单元，被配置为从补偿控制器接收至少一个补偿信号，响应于至少一个所述补偿信号，模拟所述补偿延时。
13、上述方案中，所述环形振荡路径所包括的门级电路的数量，与所述第一信号路径中的主路径所包括的门级电路的数量相等。
14、上述方案中，所述补偿模拟单元包括：至少一个第二负载电容；至少一个所述第二负载电容的负载连接端连接于所述环形振荡路径的任意位置；至少一个所述第二负载电容，被配置为对应接收至少一个所述补偿信号，受到至少一个所述补偿信号的触发而激活，改变电容值，以模拟所述补偿延时。
15、上述方案中，至少一个所述第二负载电容一一对应于所述第一信号路径中的至少一个第一负载电容；每个所述第二负载电容，与其对应的第一负载电容具有相同的结构，且与其对应的第一负载电容接收相同的所述补偿信号。
16、上述方案中，所述延时检测电路还包括：运行控制单元，耦接所述模拟单元，被配置为接收启动信号和停止信号，根据所述启动信号和所述停止信号，控制所述模拟单元的运行时间；寄存单元，耦接所述计数单元，被配置为寄存所述待测参数。
17、本公开实施例还提供了一种存储器，所述存储器包括：如上述方案中所述的数据采样电路，和/或，如上述方案中所述的延时检测电路。
18、上述方案中，所述存储器为动态随机存储器dram。
19、上述方案中，所述动态随机存储器dram符合ddr5内存规格。
20、由此可见，本公开实施例提供了一种数据采样电路、延时检测电路及存储器。数据采样电路包括：第一信号路径和第二信号路径。第一信号路径，被配置为接收第一信号，将第一信号处理并传输。第一信号路径具有第一延时；第一延时包括：第一物理延时和补偿延时。第二信号路径，被配置为接收第二信号，以及从第一信号路径接收处理后的第一信号，根据处理后的第一信号对第二信号进行采样。这样，在第一物理延时受到pvt条件的影响而发生变化的情况下，补偿延时会进行相应的补偿，以降低第一延时受到pvt条件的影响而发生的变化。从而，能够使得第一信号和第二信号的相对时延保持稳定，避免了采样失效。
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1.一种数据采样电路，其特征在于，所述数据采样电路包括：
2.根据权利要求1所述的数据采样电路，其特征在于，所述第一信号路径包括：
3.根据权利要求2所述的数据采样电路，其特征在于，所述补偿控制器包括：温度感测器；至少一个所述补偿信号包括：至少一个温度补偿信号；
4.根据权利要求2所述的数据采样电路，其特征在于，所述补偿单元包括：至少一个第一负载电容；
5.根据权利要求4所述的数据采样电路，其特征在于，每个所述第一负载电容包括：
6.根据权利要求5所述的数据采样电路，其特征在于，所述输入子单元包括：
7.根据权利要求6所述的数据采样电路，其特征在于，所述电容子单元包括：
8.根据权利要求1所述的数据采样电路，其特征在于，所述第一信号为数据选通信号，所述第二信号为数据信号。
9.一种延时检测电路，其特征在于，所述延时检测电路包括：
10.根据权利要求9所述的延时检测电路，其特征在于，所述模拟单元包括：
11.根据权利要求10所述的延时检测电路，其特征在于，
...【技术特征摘要】
1.一种数据采样电路，其特征在于，所述数据采样电路包括：
2.根据权利要求1所述的数据采样电路，其特征在于，所述第一信号路径包括：
3.根据权利要求2所述的数据采样电路，其特征在于，所述补偿控制器包括：温度感测器；至少一个所述补偿信号包括：至少一个温度补偿信号；
4.根据权利要求2所述的数据采样电路，其特征在于，所述补偿单元包括：至少一个第一负载电容；
5.根据权利要求4所述的数据采样电路，其特征在于，每个所述第一负载电容包括：
6.根据权利要求5所述的数据采样电路，其特征在于，所述输入子单元包括：
7.根据权利要求6所述的数据采样电路，其特征在于，所述电容子单元包括：
8.根据权利要求1所述的数据采样电路，其特征在于，所述第一信号为数据选通信号，所述第二信号为数据信号。
9.一种延时检测电路，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：张志强，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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