磁阻元件、磁传感装置及其制备方法制造方法及图纸

本发明专利技术属于磁传感装置技术领域，公开一种磁阻元件、磁传感装置及其制备方法。磁阻元件包括感测层、参考层及隧穿层；感测层具有闭合涡旋磁化图案，用于在预设磁场范围内响应于外部磁场输出线性变化的第一信号；参考层具有闭合涡旋磁化图案，用于在预设磁场范围内响应于外部磁场输出恒定的第二信号。本发明专利技术磁阻元件中感测层的输出信号对平行于感测层的外部磁场呈线性响应；参考层的输出信号对平行于感测层的外部磁场呈恒定响应，进而本发明专利技术磁阻元件的输出信号能够对平行于感测层在预设磁场范围内的外部磁场呈线性变化，实现对平行于感测层的不同方向的外部磁场的灵敏感应。另外，本发明专利技术磁阻元件还具有结构简单，易于工业化实现的有益效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及磁传感装置，尤其涉及一种磁阻元件、磁传感装置及其制备方法。

技术介绍

1、磁场传感器已经被广泛的应用于导航、定位、生物检测（例如：脑磁检测、心磁检测）等领域。按照检测原理，磁场传感器可以分为：霍尔传感器、磁阻传感器(各向异性磁阻传感器、巨磁阻传感器和隧穿磁阻传感器）、磁电传感器等。其中隧穿磁阻（tunnel magnetoresistance，tmr）传感器由于其室温下磁阻比可达200%左右，具有高灵敏、低噪声、低功耗等优点。

2、目前商业tmr传感器由于参考层被反铁磁层钉扎导致磁畴排布方向固定，因此tmr传感器灵敏度方向为参考层磁畴排列方向，在其他方向上均不灵敏。这导致传感器实际应用中要先了解磁场方向，之后使得传感器灵敏方向与磁场方向平行排列放置使用，导致传感器使用场景受限。

3、上述内容仅用于辅助理解本专利技术的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。

技术实现思路

1、本专利技术的主要目的在于提供了一种磁阻元件、磁传感装置及其制备方法，旨在改善现有单一磁阻元件仅对本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种磁阻元件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的磁阻元件，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的磁阻元件，其特征在于，

4.根据权利要求2或3所述的磁阻元件，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的磁阻元件，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的磁阻元件，其特征在于，

7.根据权利要求1-6中任一项所述的磁阻元件，其特征在于，

8.一种磁阻元件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

9.一种磁传感装置，其特征在于，包括至少一磁阻元件，所述磁阻元件为权利要求1-7中任一所述的磁阻元件...

【技术特征摘要】

1.一种磁阻元件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的磁阻元件，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的磁阻元件，其特征在于，

4.根据权利要求2或3所述的磁阻元件，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的磁阻元件，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的磁阻元件，其特征在于，

7.根据权利要求1-6中任一项所述的磁阻元件...

【专利技术属性】
技术研发人员：关蒙萌，胡忠强，刘佳明，
申请(专利权)人：珠海多创科技有限公司，
类型：发明
国别省市：