【技术实现步骤摘要】
与本公开的示例实施方式一致的装置和方法涉及场效应晶体管(fet)，其在背侧配电网络(bspdn)的自对准直接背侧接触结构上具有均匀尺寸的源极/漏极区。
技术介绍
1、对具有高器件密度和性能的集成电路的不断增长的需求已经引入了诸如鳍式场效应晶体管(finfet)和纳米片晶体管的场效应晶体管(fet)。finfet具有一个或更多个水平布置的垂直鳍结构作为沟道结构，其至少三个表面被栅极结构围绕，并且纳米片晶体管的特征在于垂直堆叠在衬底上作为沟道结构的一个或更多个纳米片沟道层以及围绕每个纳米片沟道层的所有四个表面的栅极结构。纳米片晶体管被称为全环绕栅极(gaa)晶体管、多桥沟道场效应晶体管(mbcfet)。
2、此外，已经引入了形成在场效应晶体管的背侧的背侧配电网络(bspdn)以解决后道工序(beol)处(即，场效应晶体管的前侧)的布线复杂性，并防止场效应晶体管中的前侧的过度ir压降。bspdn包括背侧电源轨，通过该背侧电源轨可以向场效应晶体管的源极/漏极区提供正电压或负电压。
3、背侧电源轨可以使用前通路背侧电源轨(fvbp)结构作为接触插塞连接到源极/漏极区的顶表面。替代地，背侧电源轨还可以使用直接背侧接触(dbc)结构作为接触插塞直接连接到源极/漏极区的底表面。然而，在具有bspdn的场效应晶体管的背侧中形成dbc结构可能影响包括源极/漏极区的场效应晶体管的其他元件的形成。因此，需要包括具有背侧接触插塞和前侧接触插塞两者的场效应晶体管的改进的半导体器件或单元结构及其制造方法。
4、本
技术介绍
部
技术实现思路
1、各种示例实施方式提供一种半导体单元，包括至少一个场效应晶体管，其中前侧接触插塞和背侧接触插塞形成于具有相同或基本相同高度或尺寸的相应源极/漏极区上。
2、实施方式还提供了一种制造包括至少一个场效应晶体管的半导体单元的方法，其中前侧接触插塞和背侧接触插塞形成在具有相同或基本相同高度或尺寸的相应源极/漏极区上。
3、根据实施方式，提供了一种场效应晶体管结构，其可以包括：沟道结构；通过沟道结构彼此连接的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；第一接触插塞，在第一源极/漏极区的顶表面上，通过后段工艺(beol)结构连接到第一电压源或第一电路元件；以及第二接触插塞，在第二源极/漏极区的底表面上，通过背侧电源轨连接到第一电压源或另一电路元件，其中第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区具有基本相同的高度。
4、根据实施方式，提供了一种场效应晶体管结构，其可以包括：沟道结构；通过所述沟道结构彼此连接的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；第一接触插塞，在第一源极/漏极区的顶表面上，通过后段工艺(beol)结构连接到第一电压源或第一电路元件；以及第二接触插塞，在第二源极/漏极区的底表面上，通过背侧电源轨连接到第一电压源或另一电路元件，其中在沟道宽度方向或沟道长度方向上的截面图中，第一源极/漏极区和第二源极/漏极区具有基本相同的尺寸，并且第一源极/漏极区和第二源极/漏极区的顶表面基本在相同的水平处。
5、根据实施方式，提供了一种制造场效应晶体管结构的方法。该方法可以包括：在衬底上形成沟道结构；在衬底上形成第一凹槽和第二凹槽，使得沟道结构垂直地定位在衬底的在第一凹槽和第二凹槽之间的部分上；分别在第一凹槽和第二凹槽中形成第一占位器结构和第二占位器结构；分别在第一占位器结构和第二占位器结构上形成第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；从第一凹槽和第二凹槽去除第一占位器结构和第二占位器结构；以及在从其去除了第二占位器结构的第二凹槽中形成背侧接触插塞。
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1.一种场效应晶体管结构，包括：
2.根据权利要求1所述的场效应晶体管结构，还包括连接到所述第一源极/漏极区的底表面的背侧层间电介质结构。
3.根据权利要求2所述的场效应晶体管结构，还包括在所述背侧层间电介质结构和所述第一源极/漏极区之间的阻挡层，
4.根据权利要求3所述的场效应晶体管结构，其中所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区中的每个包括p型杂质。
5.根据权利要求4所述的场效应晶体管结构，其中所述第二接触插塞的侧表面具有正斜率，使得所述第二接触插塞的面向所述第二源极/漏极区的所述底表面的顶表面的宽度小于所述第二接触插塞的面向所述背侧电源轨的底表面的宽度。
6.根据权利要求5所述的场效应晶体管结构，其中在所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区下方不形成硅衬底。
7.根据权利要求2所述的场效应晶体管结构，其中所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区中的每个包括p型杂质。
8.根据权利要求2所述的场效应晶体管结构，其中所述第二接触插塞的侧表面具有正斜率，使得所述第二接触插塞的面向所述第
9.根据权利要求2所述的场效应晶体管结构，其中在所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区下方不形成硅衬底。
10.根据权利要求1所述的场效应晶体管结构，还包括在所述第二源极/漏极区和所述第二接触插塞之间的阻挡层，
11.根据权利要求1所述的场效应晶体管结构，其中所述沟道结构包括多个纳米片层。
12.一种场效应晶体管结构，包括：
13.根据权利要求12所述的场效应晶体管结构，还包括连接到所述第一源极/漏极区的底表面的背侧层间电介质结构。
14.根据权利要求13所述的场效应晶体管结构，还包括在所述背侧层间电介质结构和所述第一源极/漏极区之间的阻挡层，
15.根据权利要求13所述的场效应晶体管结构，其中所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区中的每个包括p型杂质。
16.根据权利要求13所述的场效应晶体管结构，其中所述第二接触插塞的侧表面具有正斜率，使得所述第二接触插塞的面向所述第二源极/漏极区的所述底表面的顶表面的宽度小于所述第二接触插塞的面向所述背侧电源轨的底表面的宽度。
17.根据权利要求12所述的场效应晶体管结构，还包括在所述第二源极/漏极区和所述第二接触插塞之间的阻挡层，
18.一种制造包括场效应晶体管的半导体器件的方法，所述方法包括：
19.根据权利要求18所述的方法，还包括：
20.根据权利要求18所述的方法，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种场效应晶体管结构，包括：
2.根据权利要求1所述的场效应晶体管结构，还包括连接到所述第一源极/漏极区的底表面的背侧层间电介质结构。
3.根据权利要求2所述的场效应晶体管结构，还包括在所述背侧层间电介质结构和所述第一源极/漏极区之间的阻挡层，
4.根据权利要求3所述的场效应晶体管结构，其中所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区中的每个包括p型杂质。
5.根据权利要求4所述的场效应晶体管结构，其中所述第二接触插塞的侧表面具有正斜率，使得所述第二接触插塞的面向所述第二源极/漏极区的所述底表面的顶表面的宽度小于所述第二接触插塞的面向所述背侧电源轨的底表面的宽度。
6.根据权利要求5所述的场效应晶体管结构，其中在所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区下方不形成硅衬底。
7.根据权利要求2所述的场效应晶体管结构，其中所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区中的每个包括p型杂质。
8.根据权利要求2所述的场效应晶体管结构，其中所述第二接触插塞的侧表面具有正斜率，使得所述第二接触插塞的面向所述第二源极/漏极区的所述底表面的顶表面的宽度小于所述第二接触插塞的面向所述背侧电源轨的底表面的宽度。
9.根据权利要求2所述的场效应晶体管结构，其中在所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极...
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