【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思的方面涉及直接接合的半导体封装及其制造方法。
技术介绍
1、在半导体工业中，需要大容量、轻薄的和小尺寸的半导体封装以及使用该半导体封装的电子产品，并且因此已经提出了各种封装技术。各种封装技术中的一种方法是竖直地堆叠多个半导体芯片以实现高密度芯片堆叠的封装技术。与由一个半导体芯片组成的传统封装相比，该封装技术具有能够在小面积上集成具有各种功能的半导体芯片的优点。
2、提供半导体封装以实现适合在电子产品中使用的集成电路芯片。半导体封装通常被配置为使得半导体芯片安装在印刷电路板上，并且接合布线或凸块用于将半导体芯片电连接到印刷电路板。随着电子工业的发展，已经进行了各种研究以提高半导体封装的可靠性和耐用性。
技术实现思路
1、本专利技术构思的一些实施例提供了一种具有增强的结构稳定性的半导体封装及其制造方法。
2、本专利技术构思的一些实施例提供了一种在半导体芯片之间具有良好电连接的半导体封装及其制造方法。
3、本专利技术构思的一些实施例提供了一种极少发生缺陷的半导体封装制造方法和通过该方法制造的半导体封装。
4、根据本专利技术构思的一些实施例，一种制造半导体封装的方法可以包括：提供半导体衬底，该半导体衬底在第一方向和垂直于所述第一方向的第二方向上延伸；在半导体衬底的有源表面上形成半导体元件；形成过孔，所述过孔从所述有源表面延伸到所述半导体衬底中；在半导体衬底的有源表面上形成第一焊盘层；对第一焊盘层执行第一平坦化工艺；对所述半导体衬
5、根据本专利技术构思的一些实施例，一种制造半导体封装的方法可以包括：提供半导体衬底，该半导体衬底在第一方向和垂直于所述第一方向的第二方向上延伸；在半导体衬底的有源表面上形成半导体元件；形成第一焊盘和第一钝化层，第一焊盘在半导体衬底的有源表面上，第一钝化层围绕第一焊盘，并暴露第一焊盘中的每一个的一个表面；对第一焊盘和第一钝化层执行第一平坦化工艺；对半导体衬底的非有源表面执行减薄工艺；对半导体衬底的非有源表面执行第二平坦化工艺；以及对第一焊盘和第一钝化层执行第三平坦化工艺。在第三平坦化工艺之后，第一钝化层在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上的厚度可以基于沿第一方向的位置而改变。
6、根据本专利技术构思的一些实施例，一种半导体封装可以包括：衬底，在第一方向和垂直于第一方向的第二方向上延伸；半导体芯片，堆叠在衬底上；以及模制层，在衬底上，该模制层围绕半导体芯片。半导体芯片中的每一个可以包括：半导体衬底，具有彼此相背的第一表面和第二表面；半导体元件，在半导体衬底的第一表面上；第一焊盘和第一钝化层，第一焊盘在半导体元件上，第一钝化层围绕第一焊盘，并暴露第一焊盘中的每一个的一个表面；第二焊盘和第二钝化层，第二焊盘在半导体衬底的第二表面上，第二钝化层围绕第二焊盘，并暴露第二焊盘中的每一个的一个表面；以及过孔，在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上穿透半导体衬底，并将第一焊盘连接到第二焊盘。半导体芯片中的两个相邻半导体芯片可以彼此接触。第一焊盘可以与第二焊盘接触。第一钝化层在第三方向上的厚度可以基于沿第一方向的位置而改变。
7、根据本专利技术构思的一些实施例，一种半导体封装可以包括：衬底，在第一方向和垂直于第一方向的第二方向上延伸；半导体芯片，堆叠在衬底上；以及模制层，在衬底上，该模制层围绕半导体芯片。半导体芯片中的每一个可以包括：半导体衬底；半导体元件，在半导体衬底的有源表面上；第一焊盘和第一钝化层，第一焊盘在半导体元件上，第一钝化层围绕第一焊盘，并暴露第一焊盘中的每一个的一个表面；第二焊盘，在半导体衬底的非有源表面上；以及过孔，在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上穿透半导体衬底，并将第一焊盘连接到第二焊盘。半导体芯片中的两个相邻半导体芯片可以彼此接触，并且第一焊盘与第二焊盘接触。第一钝化层的第一表面可以是不平坦的，并且第一钝化层的第二表面可以是平坦的。第一表面可以面向半导体衬底。第二表面可以与第一表面相背。
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1.一种制造半导体封装的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一焊盘层包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一钝化层的第二表面是不平坦的，所述第二表面面向所述半导体衬底。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述第三平坦化工艺之后，所述第一钝化层在垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上的厚度基于沿所述第一方向的位置而改变。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一钝化层的厚度的最大值和最小值之间的偏差在约至约的范围内。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二焊盘层包括：
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述减薄工艺使所述半导体衬底和所述第一焊盘层具有波浪形。
8.根据权利要求1所述的方法，在执行所述第三平坦化工艺之前，还包括：在所述第一焊盘层上形成附加导电层，
9.根据权利要求8所述的方法，在执行所述第三平坦化工艺之前，还包括：在所述第一焊盘层上形成附加介电层，
10.根据权利要求1所述的方法，
11.
12.根据权利要求11所述的方法，其中
13.根据权利要求11所述的方法，其中
14.一种制造半导体封装的方法，所述方法包括：
15.根据权利要求14所述的方法，其中，在所述第三平坦化工艺之后，所述第一钝化层的第一表面是平坦的，所述第一表面与所述半导体衬底相背。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述第一钝化层的第二表面是不平坦的，所述第二表面面向所述半导体衬底。
17.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第一钝化层的厚度的最大值和最小值之间的偏差在约至约的范围内。
18.根据权利要求14所述的方法，在所述第二平坦化工艺之前，还包括：形成第二焊盘和第二钝化层，所述第二焊盘在所述半导体衬底的所述非有源表面上，所述第二钝化层围绕所述第二焊盘，并暴露所述第二焊盘中每一个第二焊盘的一个表面，
19.根据权利要求14所述的方法，其中，所述减薄工艺使所述半导体衬底具有波浪形。
20.根据权利要求14所述的方法，在执行所述第三平坦化工艺之前，还包括：在所述第一焊盘和所述第一钝化层上形成附加导电层或附加介电层，
...【技术特征摘要】
1.一种制造半导体封装的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一焊盘层包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一钝化层的第二表面是不平坦的，所述第二表面面向所述半导体衬底。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述第三平坦化工艺之后，所述第一钝化层在垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上的厚度基于沿所述第一方向的位置而改变。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一钝化层的厚度的最大值和最小值之间的偏差在约至约的范围内。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二焊盘层包括：
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述减薄工艺使所述半导体衬底和所述第一焊盘层具有波浪形。
8.根据权利要求1所述的方法，在执行所述第三平坦化工艺之前，还包括：在所述第一焊盘层上形成附加导电层，
9.根据权利要求8所述的方法，在执行所述第三平坦化工艺之前，还包括：在所述第一焊盘层上形成附加介电层，
10.根据权利要求1所述的方法，
11.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：池永根，李相勋，姜芸炳，朴相天，朴点龙，郑玄喆，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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