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钙钛矿太阳能电池制造技术

技术编号:40821018 阅读:2 留言:0更新日期:2024-04-01 14:40
本发明专利技术提供一种钙钛矿太阳能电池,依序包含:一上封装层、一上透光电极层、一上载流子传输层、一吸光层、一下载流子传输层、一下透光电极层、一填充材料层、一封装胶以及一下封装层;其中该填充材料层未接触该下透光电极层的表面被该封装胶包覆或者该填充材料层与该封装胶为不同层;其中该填充材料层的颜色与该吸光层的材料色度差(国际照明委员会制定)ΔE小于2,透光度差小于10%。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种太阳能电池,尤其是指一种钙钛矿太阳能电池


技术介绍

1、在现有技术中,钙钛矿太阳能电池目前有两种主流的结构,分别是n-i-p以及p-i-n这两种结构。这两种结构指的是在两个电极之间,不同性质的半导体层由入光面至背光面分别形成不同顺序的叠层。一般而言,n指的是n型半导体,费米能阶(fermi level,ef)接近导带(conduction band),主要载流子为电子;另外,p则表示p型半导体,费米能阶接近价带(valence band),主要载流子为空穴;另外,i是指本征半导体(intrinsicsemiconductor),费米能阶接近能系正中央。

2、在现有技术中,钙钛矿作为本征半导体的主要材料,吸收光子后会产生光生电流,即为电子空穴对。n型半导体会传导生成的电子并阻挡空穴,而p型半导体则会传导生成的空穴并阻挡电子。因此,n型半导体和p型半导体又分别被称为电子传输层与空穴传输层。在大面积的太阳能电池中,为了缩短载流子的行经路径以避免其在材料缺陷复合,工艺上将大面积太阳能电池裁切成串接的太阳能电池单元。

3、图1是绘示现有技术的钙钛矿太阳能电池的剖面图。如图1所示,钙钛矿太阳能电池100被裁切成串接的太阳能电池单元,即相邻的太阳能电池单元之间被裁切分成三段,分别是切割区104、切割区106以及切割区108。切割区104为面光面电极短路切割;切割区106为串接通道切割;切割区108为背光面电极短路切割。其中切割区106所示串接通道会填入电极材料,使得相邻的单元得以串接。如图1所示,钙钛矿太阳能电池100包含封装层110(是位于面光面)、封装层112(是位于背光面)、电极114(是位于面光面)、电极122(是位于背光面)、载流子传输层116、吸光层118、载流子传输层120、外接线路124以及外接线路126。如图1所示,虚线102所框之处是包含切割区104、切割区106以及切割区108,即所谓切割的条纹位置。

4、从图1可以看出,在大面积的太阳能电池中,为了减少载流子的能量损耗,工艺上将其裁切成串接的小太阳能电池单元。因此,太阳能电池元件之间的切割纹路(图1虚线102所框之处)为电极(背光面)材料的颜色,若为透明电极,则切割纹路为透明。也就是说,大面积太阳能电池上必然有切割纹路,在建材一体型光电系统会有美观设计上的限制,目前也是许多建筑业期望能源业解决的问题。

5、综上所述,如何提供一个可以减少或解决大面积太阳能电池上切割纹路影响美观的问题的钙钛矿太阳能电池,乃是业界所需思考的重要课题。


技术实现思路

1、鉴于上述内容,本揭露的一态样是提供一种钙钛矿太阳能电池,包含:

2、一模块,包含:

3、一第一封装层;

4、一第一透光电极层,设置于该第一封装层的一上表面;

5、一第一载流子传输层,设置于该第一透光电极层的一上表面;

6、一吸光层,设置于该第一载流子传输层的一上表面;

7、一第二载流子传输层,设置于该吸光层的一上表面;

8、一第二透光电极层,设置于该第二载流子传输层的一上表面;以及一填充材料层,设置于该第二透光电极层的一上表面或是仅在模块串接线上;以及

9、一封装胶,将倒置后的该模块与一第二封装层结合,其中该填充材料层与该封装胶为不同层。

10、根据本揭露的一个或多个实施方式,其中该填充材料层是一填充颜料层。

11、根据本揭露的一个或多个实施方式,其中该填充颜料层的颜色与该吸光层的材料色度差(国际照明委员会制定)δe小于2,透光度差小于10%。

12、根据本揭露的一个或多个实施方式,其中该第一载流子传输层为电子传输层,该第二载流子传输层为空穴传输层。

13、根据本揭露的一个或多个实施方式,其中该第一载流子传输层为空穴传输层,该第二载流子传输层为电子传输层。

14、根据本揭露的一个或多个实施方式,其中该填充颜料层的厚度为1~100纳米。

15、本揭露的另一态样是提供一种钙钛矿太阳能电池,包含:

16、一模块,包含:

17、一第一封装层;

18、一第一透光电极层,设置于该第一封装层的一上表面;

19、一第一载流子传输层,设置于该第一透光电极层的一上表面;

20、一吸光层,设置于该第一载流子传输层的一上表面;

21、一第二载流子传输层,设置于该吸光层的一上表面;

22、一第二透光电极层,设置于该第二载流子传输层的一上表面;以及一填充材料层,设置于该第二透光电极层的一上表面或是仅在模块串接线上;以及

23、一封装胶,将倒置后的该模块与一第二封装层结合,其中该填充材料层未接触该第二透光电极层的表面被该封装胶包覆。

24、本揭露的另一态样是提供一种钙钛矿太阳能电池,包含:

25、一模块,包含:

26、一第一封装层;

27、一第一透光电极层,设置于该第一封装层的一上表面;

28、一第一载流子传输层,设置于该第一透光电极层的一上表面;

29、一吸光层,设置于该第一载流子传输层的一上表面;

30、一第二载流子传输层,设置于该吸光层的一上表面;

31、一第二透光电极层,设置于该第二载流子传输层的一上表面;以及一填充材料层,设置于该第二透光电极层的一上表面或是仅在模块串接线上;以及

32、一封装胶,将倒置后的该模块与一第二封装层结合,其中该填充材料层与该封装胶为不同层;

33、其中该填充材料层的颜色与该吸光层的材料色度差(国际照明委员会制定)δe小于2,透光度差小于10%;

34、其中该填充材料层的厚度为1~100纳米。

35、本揭露的另一态样是提供一种钙钛矿太阳能电池,包含:

36、一模块,包含:

37、一第一封装层;

38、一第一透光电极层,设置于该第一封装层的一上表面;

39、一第一载流子传输层,设置于该第一透光电极层的一上表面;

40、一吸光层,设置于该第一载流子传输层的一上表面;

41、一第二载流子传输层,设置于该吸光层的一上表面;

42、一第二透光电极层,设置于该第二载流子传输层的一上表面;以及一填充材料层,设置于该第二透光电极层的一上表面或是仅在模块串接线上;以及

43、一封装胶,将倒置后的该模块与一第二封装层结合,其中该填充材料层未接触该第二透光电极层的表面被该封装胶包覆;

44、其中该填充材料层的颜色与该吸光层的材料色度差(国际照明委员会制定)δe小于2,透光度差小于10%;

45、其中该填充材料层的厚度为1~100纳米。

46、本揭露的另一态样是提供一种钙钛矿太阳能电池,依序包含:一上封装层、一上透光电极层、一上本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种钙钛矿太阳能电池,其特征在于,包含:

2.如权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,其中该填充材料层是一填充颜料层。

3.如权利要求2所述的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,其中该填充颜料层的颜色与该吸光层的材料色度差(国际照明委员会制定)ΔE小于2,透光度差小于10%。

4.如权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,其中该第一载流子传输层为电子传输层,该第二载流子传输层为空穴传输层。

5.如权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,其中该第一载流子传输层为空穴传输层,该第二载流子传输层为电子传输层。

6.如权利要求2所述的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,其中该填充颜料层的厚度为1~100纳米。

7.一种钙钛矿太阳能电池,其特征在于,包含:

8.一种钙钛矿太阳能电池,其特征在于,包含:

9.一种钙钛矿太阳能电池,其特征在于,包含:

10.一种钙钛矿太阳能电池,其特征在于,依序包含:

【技术特征摘要】

1.一种钙钛矿太阳能电池,其特征在于,包含:

2.如权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,其中该填充材料层是一填充颜料层。

3.如权利要求2所述的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,其中该填充颜料层的颜色与该吸光层的材料色度差(国际照明委员会制定)δe小于2,透光度差小于10%。

4.如权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,其中该第一载流子传输层为电子传输层,该第二载流子传输层为空穴传输层。

5.如...

【专利技术属性】
技术研发人员:蓝翔赵芷暄
申请(专利权)人:台湾钙钛矿科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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