【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及氧化铝粉体制备，尤其涉及一种高纯γ-氧化铝粉体表面改性方法及高纯γ-氧化铝粉体。
技术介绍
1、在集成电路产业中，超高纯的氧化铝陶瓷除了用作陶瓷基片以外，还广泛地应用到各种晶圆制造设备中。在刻蚀设备中，主要采用高纯氧化铝涂层或氧化铝陶瓷作为刻蚀腔体和腔体内部件的防护材料。除了腔体以外，等离子体设备的气体喷嘴，气体分配盘和固定晶圆的固定环等也需用到氧化铝陶瓷；在晶圆抛光工艺中，氧化铝陶瓷可被广泛应用于抛光板、抛光磨垫校正平台、真空吸盘等。
2、氧化铝粉体由于al-o键键能较高，超高纯的氧化铝陶瓷很难烧结，为了获得致密的氧化铝陶瓷，目前常采取两种方案：第一种方案：采用超细的氧化铝粉体(中位粒径d5050-150nm)；第二种方案：采用氧化硅、氧化镁、氧化钙等表面改性较大粒径的氧化铝粉体(d50通常为400-800nm)。当采用第一种方案制备超高纯氧化铝陶瓷时，超高纯的氧化铝粉体很难均匀分散且很难成型，所以该粉体不适用于流延成型、凝胶铸造成型、注浆成型等；成型过程中需要非常高的成型压力(成型压力在300mpa以上)，...
【技术保护点】
1.一种高纯γ-氧化铝粉体表面改性方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的高纯γ-氧化铝粉体表面改性方法，其特征在于，所述S1中，所述料浆A的固含量为10％。
3.根据权利要求1所述的高纯γ-氧化铝粉体表面改性方法，其特征在于，所述S2具体包括：
4.根据权利要求1所述的高纯γ-氧化铝粉体表面改性方法，其特征在于，所述S3具体包括：
5.根据权利要求1所述的高纯γ-氧化铝粉体表面改性方法，其特征在于，所述S4具体为：
6.根据权利要求1所述的高纯γ-氧化铝粉体表面改性方法，其特征在于，所述S5具体为
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【技术特征摘要】
1.一种高纯γ-氧化铝粉体表面改性方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的高纯γ-氧化铝粉体表面改性方法，其特征在于，所述s1中，所述料浆a的固含量为10％。
3.根据权利要求1所述的高纯γ-氧化铝粉体表面改性方法，其特征在于，所述s2具体包括：
4.根据权利要求1所述的高纯γ-氧化铝粉体表面改性方法，其特征在于，所述s3具体包括：
5.根据权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：丁国强，彭朝阳，李锦章，刘锋，
申请(专利权)人：湘潭顺络电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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