P-掺杂cdTe基薄膜太阳能电池装置的制备方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种覆板配置的p‑掺杂CdTe基薄膜太阳能电池装置的制备方法，至少包括，提供衬底、形成前电极、形成吸收层和形成背电极。形成吸收层的步骤至少包括交替沉积第一和第二吸收层材料的层，其中第一吸收层材料为CdSe，第二吸收层材料为CdTe。掺杂源层包含至少一种第一掺杂元素，所述第一掺杂元素选自V族元素，所述掺杂源层沉积在第一和第二吸收层材料的至少一个界面处。通过沉积p‑掺杂的背电极材料形成背电极。本发明专利技术还提供了一种p‑掺杂CdTe基薄膜太阳能电池装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种p-掺杂cdte基薄膜太阳能电池装置的制备方法。

技术介绍

1、cdte基薄膜太阳能电池装置通常用cu进行p掺杂。但cu作为掺杂元素还存在一些缺点，如降低长期稳定性和降低太阳能电池效率。因此，需要一种用替代掺杂元素对cdte基薄膜太阳能电池装置进行p掺杂的方法。在研究中，as显示出了克服cu所带来缺点的巨大潜力。

2、目前，as如何结合到cdte基的吸收层中还是一个未解决的问题。传统的铜掺杂技术包括铜涂层步骤及后续的扩散步骤，但是此技术不能够使砷离子扩散到cdte基的吸收层中。还有其他方法使用气相传输沉积(vapour-transport-deposition,vtd)，通过在气流中升华原材料并将掺杂元素添加到气流中。此外，还可以使用预掺杂的原材料，但仅适用于特殊的涂层工艺，以确保能够长时间保持恒定的掺杂剂浓度。

3、wo 2017/081477 a1公开了一种制备cu掺杂cdte基薄膜太阳能电池的方法，其中在吸收层和背接触之间施加连续有机层。通过热蒸发或通过用cu处理有机层的表面将cu提供到cdte吸收层上，从而本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种覆板配置的p-掺杂CdTe基薄膜太阳能电池装置的制备方法，其至少包括：提供衬底、形成前电极、形成吸收层和形成背电极，

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，通过近空间升华沉积所述第一吸收层材料的层、所述第二吸收层材料的层和所述掺杂源层。

3.如权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，在沉积所述第一吸收层材料的层、所述第二吸收层材料的层和所述掺杂源层之后，进行退火处理。

4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述退火处理作为一种活化处理。

5.如前述任一权利要求所述的制备方法，其特征在于，p-掺杂ZnTe沉积为背电极材料...

【技术特征摘要】

1.一种覆板配置的p-掺杂cdte基薄膜太阳能电池装置的制备方法，其至少包括：提供衬底、形成前电极、形成吸收层和形成背电极，

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，通过近空间升华沉积所述第一吸收层材料的层、所述第二吸收层材料的层和所述掺杂源层。

3.如权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，在沉积所述第一吸收层材料的层、所述第二吸收层材料的层和所述掺杂源层之后，进行退火处理。

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【专利技术属性】
技术研发人员：彭寿，殷新建，傅干华，马立云，巴斯蒂安·希普欣，
申请(专利权)人：中国建材国际工程集团有限公司，
类型：发明
国别省市：