下载P-掺杂cdTe基薄膜太阳能电池装置的制备方法的技术资料

文档序号:40808897

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种覆板配置的p‑掺杂CdTe基薄膜太阳能电池装置的制备方法,至少包括,提供衬底、形成前电极、形成吸收层和形成背电极。形成吸收层的步骤至少包括交替沉积第一和第二吸收层材料的层,其中第一吸收层材料为CdSe,第二吸收层材料为CdT...
该专利属于中国建材国际工程集团有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中国建材国际工程集团有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。