【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及金属表面阻氢。具体地说是一种含铈sol-gel封孔层的氢化锆微弧氧化膜层及其制备方法和应用。
技术介绍
1、表面阻氢涂层制备工艺众多,如电镀法、高温渗铝氧化法、原位氧化法、气相沉积法及微弧氧化法。其中微弧氧化法是一种原位制备氧化物陶瓷层的表面技术,其特点为工艺简单、所制涂层与基体结合力大、涂层厚度高,适用于高温、易腐环境服役的涂层材料制备。对zrh1.8基体微弧氧化制备zro2涂层由于凝固过程中存在t-zro2向m-zro2晶型转变使得涂层中裂纹萌生,并且微弧氧化成膜机制为电弧击穿导致涂层中存在放电孔等缺陷。因此,如何改善氢化锆mao膜层这类本身具有良好阻氢性能却存在微孔、裂纹等膜层的缺陷,成为了亟需研究的重点。
技术实现思路
1、为此,本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种含铈sol-gel封孔层的氢化锆微弧氧化复合膜及其制备方法和应用,可以在在氢化锆表面形成具有封孔、缓蚀、阻氢等功能于一体的阻氢mao/al2o3-ceo2复合膜,该复合膜可以应用在中子慢化材料中。
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【技术保护点】
1.一种含铈Sol-gel封孔层的氢化锆微弧氧化复合膜,其特征在于,在氢化锆基体上生成微弧氧化陶瓷膜层,在微弧氧化陶瓷膜层上密集生长含铈溶胶封孔层。
2.根据权利要求1所述的一种含铈Sol-gel封孔层的氢化锆微弧氧化复合膜,其特征在于,微弧氧化陶瓷膜层的厚度为30~50μm;含铈溶胶封孔层的高度为1~5μm,复合膜层的表面粗糙度为1.39~2.46μm,PRF值为12.6~18.1,失氢温度为665℃~730℃。
3.如权利要求1-2任一所述的一种含铈Sol-gel封孔层的氢化锆微弧氧化复合膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
【技术特征摘要】
1.一种含铈sol-gel封孔层的氢化锆微弧氧化复合膜,其特征在于,在氢化锆基体上生成微弧氧化陶瓷膜层,在微弧氧化陶瓷膜层上密集生长含铈溶胶封孔层。
2.根据权利要求1所述的一种含铈sol-gel封孔层的氢化锆微弧氧化复合膜,其特征在于,微弧氧化陶瓷膜层的厚度为30~50μm;含铈溶胶封孔层的高度为1~5μm,复合膜层的表面粗糙度为1.39~2.46μm,prf值为12.6~18.1,失氢温度为665℃~730℃。
3.如权利要求1-2任一所述的一种含铈sol-gel封孔层的氢化锆微弧氧化复合膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
4.根据权利要求3所述的一种含铈sol-gel封孔层的氢化锆微弧氧化复合膜的制备方法,其特征在于,在步骤(2)中,电解液以去离子水为溶剂,溶质为三聚磷酸钠、氢氧化钠和乙二胺四乙酸二钠;在电解液中,三聚磷酸钠的浓度为16g/l,氢氧化钠的浓度为2g/l;乙二胺四乙酸二钠的浓度为2g/l。
5.根据权利要求3所述的一种含铈sol-gel封孔层的氢化锆微弧氧化复合膜的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,微弧氧化的条件为:采用恒压模式,正向电压为380v,负向电压为160v,频率为200hz,占空比为50%,电解液温度为25℃,微弧氧化时间为15min。
6.根据权利要求3所述的一种含铈sol-gel封孔层的氢化锆微弧氧化复合膜的制备方法,其特征在于,步骤(3)中,铈掺杂的铝溶胶凝胶的具体配制方法为:将0.08...
【专利技术属性】
技术研发人员:闫淑芳,张泽华,杨傲,王海鸥,郭春霞,朱若非,李占林,陈健,康雨欣,王颖,李新,陈伟东,李鑫荣,盖施澎,陈柱,张泽,
申请(专利权)人:内蒙古工业大学,
类型:发明
国别省市:
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