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基板处理装置及包括其的基板处理系统及基板处理方法制造方法及图纸

技术编号:40804673 阅读:4 留言:0更新日期:2024-03-28 19:29
本发明专利技术公开了一种基板处理装置及包括其的基板处理系统及基板处理方法,根据本发明专利技术的实施例的基板处理装置包括:多个显影腔室,排列成一列;以及喷嘴单元,包括设置在所述多个显影腔室中的至少任一个而向基板供应显影液的多个显影液供应喷嘴,所述喷嘴单元包括:主喷嘴,向所述基板一次供应显影液;以及多个辅助喷嘴,配置在所述主喷嘴的下游,并在向所述主喷嘴的下游移送的所述基板的移送过程中向所述基板二次供应显影液。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种包括向基板供应显影液而处理基板的基板处理装置的基板处理系统及向基板供应显影液而处理基板的基板处理方法。


技术介绍

1、在半导体制造工艺或者平板显示装置制造工艺,半导体基板或者玻璃基板上的各种图形通过光刻(photolithography)技术而形成。

2、光刻技术由在晶圆或者玻璃形成的基板上喷涂感光液的工艺、把掩膜板整列在喷涂感光液的基板后暴露在紫外线等并根据掩膜板的图形形状在基板区分曝光部分和未曝光部分的曝光工艺以及为了只留下必要的图形而利用显影液仅去除曝光部分或者未曝光部分的显影工艺构成。

3、一般的,执行显影工艺的装置包括:基板移送单元,将进行过曝光工艺的多个基板以一列移送;喷嘴,向通过基板移送单元移送的基板的上面供应显影液。从喷嘴向基板的上面供应的显影液在基板的上面分散。

4、在这种显影工艺中,即使显影液通过基板的整体区域均匀地供应,根据形成在基板的图形密度而可能发生显影工艺不均匀地形成的负载效应(loading effect)。这种现象存在随着形成在基板的图形的细微化而更增加的问题。另外,随着玻璃基板的大型化,由于对基板的显影时间的差异而存在临界值(cd:critical dimension)发生偏差、负载效应加速化的问题。


技术实现思路

1、本专利技术为了解决上述的以往技术的问题点,提供一种能够改善在显影工艺可能发生的负载效应的基板处理装置。

2、另外,本专利技术提供一种能够最小化临界值偏差的基板处理装置

3、本专利技术的目的不限于前述内容,未描述的本专利技术的别的目的以及优点可以通过以下的说明所理解。

4、根据本专利技术的一实施例,可以是,提供一种基板处理装置,其中包括:多个显影腔室,排列成一列;以及喷嘴单元,包括设置在所述多个显影腔室中的至少任一个而向基板供应显影液的多个显影液供应喷嘴,所述喷嘴单元包括:主喷嘴,向所述基板一次供应显影液;以及多个辅助喷嘴,配置在所述主喷嘴的下游,并在向所述主喷嘴的下游移送的所述基板的移送过程中向所述基板二次供应显影液,

5、在一实施例中,可以是,所述多个辅助喷嘴的单个喷嘴的每一个被单独地控制显影液喷出流量。

6、在一实施例中,可以是,在所述多个辅助喷嘴中与所述主喷嘴相邻设置的单个喷嘴被控制为供应与其余单个喷嘴相比少的流量的显影液。即,所述多个辅助喷嘴中,设置在基板的移送方向上的最上游的单个喷嘴被控制为供应与其余单个喷嘴相比少的流量的显影液。

7、在一实施例中,可以是,所述多个辅助喷嘴包括:多个第一辅助喷嘴,针对所述基板的上面在第一方向上喷出显影液;以及多个第二辅助喷嘴,针对所述基板的上面在与所述第一方向不同的第二方向上与所述第一辅助喷嘴同时喷出显影液,所述多个第二辅助喷嘴配置在与所述基板的边缘区域对应的位置。

8、在一实施例中,可以是,所述第一方向垂直于所述基板的上面,所述第二方向相对于所述基板的上面倾斜预定角度,所述预定角度能够变更。

9、在一实施例中,可以是,所述主喷嘴以及所述多个辅助喷嘴固定配置在所述多个显影腔室中的至少任一个显影腔室。

10、在一实施例中,可以是,所述喷嘴单元还包括:支承部件,支承所述多个辅助喷嘴;以及移动单元,使所述支承部件相对于所述主喷嘴向所述基板的移送方向移动。

11、在一实施例中,可以是,所述移动单元构成为使所述支承部件在所述多个显影腔室之间进行移动。

12、在一实施例中,可以是,所述喷嘴单元还包括:升降单元,使所述支承部件向与所述基板靠近的方向或者与所述基板隔开的方向移动。

13、根据本专利技术的一实施例,可以是,提供一种基板处理系统,所述基板处理系统包括:转位模组,流入或者流出基板;工艺模组,与所述转位模组的一侧相邻并执行对所述基板的处理工艺;接口模组,向所述工艺模组搬运基板并与所述工艺模组相邻;以及曝光模组,与所述接口模组的一侧相邻,并对基板执行曝光工艺,包括在所述工艺模组中并对所述基板执行显影处理的基板处理装置包括:多个显影腔室,排列成一列;基板移送单元,在所述多个显影腔室排列的方向上移送基板;以及喷嘴单元,包括设置在所述多个显影腔室中的至少任一个而向基板供应显影液的多个显影液供应喷嘴,所述喷嘴单元包括:主喷嘴,向所述基板一次供应显影液;以及多个辅助喷嘴,配置在所述主喷嘴的下游,并在向所述主喷嘴的下游移送的所述基板的移送过程中向所述基板二次供应显影液,所述主喷嘴具备在所述基板的宽度方向上延伸的狭缝形式的显影液喷出口,所述多个辅助喷嘴的单个喷嘴的每一个设置为朝向所述基板以飞沫形式喷射显影液的喷雾嘴,并被单独地控制显影液喷出压力。

14、根据本专利技术的实施例的基板处理装置,可以具备在基板上喷涂的显影液中追加供应显影液的多个显影液供应喷嘴,可以位于多个显影腔室的各区域内的最佳位置。随之,为了对应基板的大小、种类、特性的变化,特别是对应大型基板以及形成细微图形的区域,将多个显影液供应喷嘴的位置或者单个喷嘴喷出的显影液的流量等调整为最佳,在基板上的显影液的搅乱、循环、以及替换可以诱导为最佳,因此可以改善负载效应。

15、根据本专利技术的实施例的基板处理装置,在基板上喷涂的显影液中追加供应的多个显影液供应喷嘴具备为喷雾嘴形状。由于具备为喷雾嘴形状的显影液供应喷嘴具有高流速、波形、打力,所以喷涂在基板上的显影液可以活跃地进行搅乱以及循环。由此,特别是在大面积基板、形成细微图形的部分,将显影液的搅乱、循环、以及替换诱导为最佳而可以改善负载效应。

16、另外,具备为配置在基板边缘区域的喷嘴的角度可以调节而可以最小化从基板流失的的显影液。

17、本专利技术的效果不限于上面所说明的,在本专利技术所属
具备通常知识的人能够通过下面的记载明确理解未说明的又其它效果。

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【技术保护点】

1.一种基板处理装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,

3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,

4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,

5.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,

6.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,

7.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,

8.根据权利要求7所述的基板处理装置,其特征在于,

9.根据权利要求8所述的基板处理装置,其特征在于,

10.一种基板处理系统,其特征在于,包括:

11.根据权利要求10所述的基板处理系统,其特征在于,

12.根据权利要求11所述的基板处理系统,其特征在于,

13.根据权利要求12所述的基板处理系统,其特征在于,

14.根据权利要求10所述的基板处理系统,其特征在于,

15.根据权利要求10所述的基板处理系统,其特征在于,

16.根据权利要求15所述的基板处理系统,其特征在于,

17.一种基板处理方法,通过基板移送单元经过多个显影腔室的同时处理基板,其特征在于,所述基板处理方法包括:

18.根据权利要求17所述的基板处理方法,其特征在于,

19.根据权利要求18所述的基板处理方法,其特征在于,

20.根据权利要求18所述的基板处理方法,其特征在于,

...

【技术特征摘要】

1.一种基板处理装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,

3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,

4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,

5.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,

6.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,

7.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,

8.根据权利要求7所述的基板处理装置,其特征在于,

9.根据权利要求8所述的基板处理装置,其特征在于,

10.一种基板处理系统,其特征在于,包括:

11.根据权利要求10所述的基板处理系统,其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员:崔东旻都垈用朴奇洪
申请(专利权)人:细美事有限公司
类型:发明
国别省市:

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