一种声表面滤波器的开发测试方法技术

技术编号:40802664 阅读:20 留言:0更新日期:2024-03-28 19:27
一种声表面滤波器的开发测试方法,属于射频芯片晶圆测试技术领域,本发明专利技术的整个晶圆由若干个封装晶粒和若干个GSG晶粒组成,经过外围电路设计的GSG晶粒与封装晶粒的仿真性能一致,利用GSG针进行TRL校准后测试GSG晶粒即可反应封装晶粒的性能,本测试方法能够有效缩短开发验证周期、减少开发成本,同时此种晶粒设计与测试方法可以用到产品生产过程中代替探针卡测试。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于射频芯片晶圆测试,具体涉及一种声表面滤波器的开发测试方法


技术介绍

1、声表面滤波器的测试结果是判定芯片性能的重要依据,探针卡是声表面滤波器cp测试的关键,通过对晶圆上的芯片进行cp测试,可以筛除其中有缺陷的芯片,然后再去做封装。这样不仅可以减少芯片封装成本,也能保证芯片的质量。

2、但是cp测试的探针卡属于定制器件,每一款产品都需要根据芯片设计公司提供的输入信息进行定制化设计,此种产品设计配合当前主流探针卡(探针卡通常采用非trl校准)测试方法开发周期长,成本高,误差大。


技术实现思路

1、本专利技术针对现有cp测试成本高、周期长以及误差大的问题,提出一种声表面滤波器的开发测试方法,本测试方法能够有效缩短开发验证周期、减少开发成本,同时此种晶粒设计与测试方法可以用到产品生产过程中代替探针卡测试。

2、为了实现上述目的,本专利技术通过以下技术方案予以实现:一种声表面滤波器的开发测试方法,整个晶圆由若干个封装晶粒和若干个gsg晶粒组成,经过外围电路设计的gsg晶粒与封装晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种声表面滤波器的开发测试方法,其特征在于:整个晶圆由若干个封装晶粒和若干个GSG晶粒组成,经过外围电路设计的GSG晶粒与封装晶粒的仿真性能一致,利用GSG针进行TRL校准后测试GSG晶粒即可反应封装晶粒的性能。

2.根据权利要求1所述的一种声表面滤波器的开发测试方法,其特征在于:具体步骤如下:步骤1)在整个晶圆上淀积金属形成声表面滤波器的叉指电极;

3.根据权利要求2所述的一种声表面滤波器的开发测试方法,其特征在于:所述步骤1)中淀积叉指电极的具体步骤为:

4.根据权利要求2所述的一种声表面滤波器的开发测试方法,其特征在于:所述步骤3)中的外围电...

【技术特征摘要】

1.一种声表面滤波器的开发测试方法,其特征在于:整个晶圆由若干个封装晶粒和若干个gsg晶粒组成,经过外围电路设计的gsg晶粒与封装晶粒的仿真性能一致,利用gsg针进行trl校准后测试gsg晶粒即可反应封装晶粒的性能。

2.根据权利要求1所述的一种声表面滤波器的开发测试方法,其特征在于:具体步骤如下:步骤1)在整个晶圆上淀积金属形成声表面滤波器的叉指电极;

3.根据权利要求2所述的一种声表面滤波器的开发测试方法,其特征在于:所述步骤1)中淀积叉指电极的具体步骤为:

4.根据权利要求2所述的一种声表面滤波器的开发测试方...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘撰李忠原陈东
申请(专利权)人:北纬三十八度集成电路制造有限公司
类型:发明
国别省市:

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