【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其涉及一种芯片结构、封装结构和芯片结构的制备方法。
技术介绍
1、随着4g、5g通信的高速发展，对射频器件小型化的需求越来越高，其中csp封装工艺被广泛使用。参见图1，目前saw(声表面波滤波器，surface acoustic wave)滤波器的csp(chip scale package)封装方式为au bump(金球)+ggi(gold and goldinterconnection，金块连接)
2、+mold sheet(环氧树脂)，而使用该封装方式极易出现de-cap(开盖)后基板上无残金(参见图2a)，从而影响产品性能。
技术实现思路
1、因此，为克服现有技术中存在的至少部分缺陷和不足，本申请实施例提供一种芯片结构、一种封装结构和一种芯片结构的制备方法。
2、具体地，一方面，本申请实施例提供的芯片结构，包括：衬底；第一金属层，设置在所述衬底上，所述第一金属层包括pad区域；第二金属层，设置在所述第一金属层背离所述衬底的一侧，且电连接于所述pad区域；以及连接凸起结构，设置在所述第二金属层背离所述第一金属层的一侧，所述连接凸起结构用于连接焊料层。
3、另一方面，本申请实施例还提供一种封装结构，包括：如上所述的芯片结构；以及焊料层，所述焊料层通过所述连接凸起结构与所述第二金属层连接。
4、再一方面，本申请实施例还提供一种芯片结构的制备方法，所述制备方法包括步骤：步骤1：形成衬底；步骤2：在所述衬底上形成第一
5、由上可知，本申请实施例通过在芯片结构中的第二金属层背离衬底的一端设置有连接凸起结构，从而可以通过连接凸起结构连接焊料层的金球，使得第二金属层与焊料层的连接力降低，以使得焊料层的断裂点在焊料层的金球之间，这样可以保证de-cap后失效模式为焊料层中间断裂，使得芯片和基板都有残金，从而降低凸点打开的失效率。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种芯片结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，还包括：
3.如权利要求2所述的芯片结构，其特征在于，所述连接凸起结构和所述第二金属层为一体成型结构。
4.如权利要求2所述的芯片结构，其特征在于，还包括：钝化层，设置在所述第一金属层和第二金属层之间。
5.如权利要求4所述的芯片结构，其特征在于，所述钝化层与所述凸点层为一体成型结构。
6.如权利要求2所述的芯片结构，其特征在于，所述凸点层的材料为氧化硅、金属或者聚酰亚胺。
7.如权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述连接凸起结构的厚度与所述第二金属层的厚度的比例范围为1/4～1/3。
8.如权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述连接凸起结构在所述衬底上的投影面积与所述Pad区域的面积的比例范围为1/4～1/2。
9.一种封装结构，其特征在于，包括：
10.如权利要求9所述的封装结构，其特征在于，还包括：
11.如权利要求9所述的封装结构，其特征在于，还包括：
13.一种芯片结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括步骤：
14.如权利要求13所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤2与所述步骤3之间还包括：
15.如权利要求13所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤2与所述步骤3之间还包括：
16.如权利要求15所述的制备方法，其特征在于，所述步骤2.1包括：
17.如权利要求13所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤3之后还包括：步骤4：在所述第二金属层上形成凸点层。
...【技术特征摘要】
1.一种芯片结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，还包括：
3.如权利要求2所述的芯片结构，其特征在于，所述连接凸起结构和所述第二金属层为一体成型结构。
4.如权利要求2所述的芯片结构，其特征在于，还包括：钝化层，设置在所述第一金属层和第二金属层之间。
5.如权利要求4所述的芯片结构，其特征在于，所述钝化层与所述凸点层为一体成型结构。
6.如权利要求2所述的芯片结构，其特征在于，所述凸点层的材料为氧化硅、金属或者聚酰亚胺。
7.如权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述连接凸起结构的厚度与所述第二金属层的厚度的比例范围为1/4～1/3。
8.如权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述连接凸起结构在所述衬底上的投影面积与所述pad区域的面...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘联锋，许珂鸣，王硕，
申请(专利权)人：泉州市三安集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。